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发明公开
兼具自愈合功能和高线性度输出的忆阻器及制备方法审中-实审

公开(公告)号：CN118748908A

公开(公告)日：2024-10-08

申请号：CN202410891366.6

申请日：2024-07-04

申请人： 南京邮电大学

发明人： 唐仕林 , 凌海峰 , 李艳飞 , 明建宇 , 陈嘉仪

IPC分类号： H10N70/20 , H10N70/00

摘要： 本发明属于半导体和神经形态硬件领域，公开了一种兼具自愈合功能和高线性度输出的忆阻器及制备方法，忆阻器包括由上至下依次设置的氧化铟锡电极、电解质层和俘获层，电解质层、俘获层均具有自愈合功能，电解质层和俘获层之间通过形成氢键实现良好的自愈性，同时电解质层薄膜、俘获层薄膜之间由于自愈而导致的界面消失使得离子不需要克服势垒而是在电场作用下就能在两层膜之间发生定向移动以实现高线性变化的电导调制。本发明为可自愈神经形态器件的设计以及实现高精度神经形态提供了可行方案。