公开(公告)号：CN116347959A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202310369625.4

申请日：2023-04-10

申请人： 南京邮电大学 ,  南京邮电大学南通研究院有限公司

发明人： 潘柯宇 ,  朱越 ,  唐蔚宇 ,  李方怡 ,  胡晨晨 ,  张珺 ,  姚佳飞 ,  陈静 ,  郭宇锋

IPC分类号： H10K71/00 ,  H10K19/80

摘要： 本发明提供了一种共聚物有机场效应晶体管通孔方法，通过采用阻挡层与刻蚀技术，可以有效的避免显影液以及光刻胶清洗液污染损坏半导体层以及介质层，同时将刻蚀技术引入有机场效应晶体管，解决了有机场效应晶体管长期以来无法实现通孔技术的难题，简便了器件的测试过程，使得有机半导体能够更好的实现集成化。

公开(公告)号：CN116528595A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202310503183.8

申请日：2023-05-06

申请人： 南京邮电大学 ,  南京邮电大学南通研究院有限公司

发明人： 张珺 ,  王赋斌 ,  张浩 ,  沈希舟 ,  林昊南 ,  唐蔚宇 ,  汪磊 ,  胡晨晨 ,  牟亚彬 ,  吴鑫 ,  常恒典 ,  郭宇锋 ,  姚佳飞 ,  陈静

IPC分类号： H10K19/10 ,  H10K19/80 ,  H10K71/00

摘要： 本发明公开了一种基于隔离与互连的共聚物有机半导体器件及制备方法，包括衬底、光刻阻挡层、绝缘隔离层、N个有机场效应晶体管和N‑1根互连线；光刻阻挡层包括隔离层和无机介质层；隔离层沿长度方向开设有N个纵向贯通的隔离槽；无机介质层包括下介质层和上介质层；下介质层位于N个隔离内，上介质层铺设在隔离层和下介质层顶部；每个有机场效应晶体管均包括半导体层、源极、漏极和栅极；半导体层布设在对应下介质层节段底部的隔离槽内，其材料为有机共聚物。本发明有效利用隔离槽以及光刻阻挡层，将不同半导体材料的半导体层进行包裹隔离，从而实现在同一基板上集成不同的有机场效应晶体管，且有机场效应晶体管能实现有效互连。

公开(公告)号：CN116546823A

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202310369616.5

申请日：2023-04-10

申请人： 南京邮电大学 ,  南京邮电大学南通研究院有限公司

发明人： 朱越 ,  沈希舟 ,  潘柯宇 ,  王文渊 ,  唐蔚宇 ,  张珺 ,  姚佳飞 ,  陈静 ,  郭宇锋

IPC分类号： H10K10/46 ,  H10K10/82

摘要： 本发明公开了一种提高横向共聚物器件耐压的高K介质结构，包括横向共聚物器件本体和高K介质阵列；横向共聚物器件本体包括从下至上依次布设的衬底、有机半导体层、栅极绝缘层和栅极；有机半导体层内置有源极和漏极，位于栅极和漏极之间的有机半导体层形成为有机半导体漂移区；有机半导体漂移区的长度范围为L＝20～50um；高K介质阵列沉积在有机半导体漂移区正上方的栅极绝缘层内部或表面；高K介质阵列包括沿有机半导体漂移区长度方向等间距排列的若干个高K介质；若干个高K介质的横向长度从栅极至源极逐渐减小。本发明能够大幅提高器件耐压，提升器件可靠性。