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公开(公告)号：CN117750788A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311752957.7
申请日：2023-12-19
申请人： 吉林大学
摘要： 本发明公开了一种三维立体式互补型有机非门电路及其制备方法，属于有机集成电路技术领域，所述非门电路包括衬底及依次位于其上的p型或n型有机薄膜晶体管及n型或p型有机薄膜晶体管；所述p型或n型有机薄膜晶体管及n型或p型有机薄膜晶体采用三维立体堆叠模式联接，共用一个栅电极作为输入端；位于底部的p型或n型有机薄膜晶体管采用顶栅结构，位于顶部的n型或p型有机薄膜晶体管采用底栅结构，两个晶体管的漏电极相互联接，作为输出端；本发明的三维立体式非门电路，能显著缩减单元门电路的面积，为后续发展三维立体式有机集成电路电路奠定了基础，能显著提升有机集成电路的集成度，进而极大地增大其商业竞争力。
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公开(公告)号：CN116528595A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310503183.8
申请日：2023-05-06
申请人： 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
摘要： 本发明公开了一种基于隔离与互连的共聚物有机半导体器件及制备方法，包括衬底、光刻阻挡层、绝缘隔离层、N个有机场效应晶体管和N‑1根互连线；光刻阻挡层包括隔离层和无机介质层；隔离层沿长度方向开设有N个纵向贯通的隔离槽；无机介质层包括下介质层和上介质层；下介质层位于N个隔离内，上介质层铺设在隔离层和下介质层顶部；每个有机场效应晶体管均包括半导体层、源极、漏极和栅极；半导体层布设在对应下介质层节段底部的隔离槽内，其材料为有机共聚物。本发明有效利用隔离槽以及光刻阻挡层，将不同半导体材料的半导体层进行包裹隔离，从而实现在同一基板上集成不同的有机场效应晶体管，且有机场效应晶体管能实现有效互连。
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公开(公告)号：CN118829237A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410789679.0
申请日：2024-06-18
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 本发明公开一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域，以提高三维集成的半导体器件的良率。半导体器件包括半导体基底、底层硅基场效应晶体管、顶层碳纳米管场效应晶体管、中部互联层和顶层互联金属层。中部互联层包括绝缘层、以及设置在绝缘层内的互联结构。顶层碳纳米管场效应晶体管和底层硅基场效应晶体管通过中部互联层和顶层互联金属层电性耦合。其中，顶层碳纳米管场效应晶体管包括的沟道设置在源极、漏极和部分栅介质层上；或者，中部互联层包括的绝缘层靠近顶层碳纳米管场效应晶体管的一侧的材料包括具有悬挂键的绝缘材料，且顶层碳纳米管场效应晶体管包括的沟道设置在源极、漏极和部分栅介质层上栅介质层分别与源极和漏极之间。
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公开(公告)号：CN118795702A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410892819.7
申请日：2024-07-04
申请人： 友达光电股份有限公司
IPC分类号： G02F1/1362 , G02F1/1343 , H01L27/12 , H10K19/80 , H10K19/10
摘要： 本发明公开一种显示装置，包括：多条扫描线、多条数据线、多个像素结构、多条第一共用电极线以及多条第二共用电极线。各像素结构包括：开关元件、第一电极以及第二电极。开关元件电连接对应的扫描线及对应的数据线。第一电极电连接开关元件。第二电极重叠第一电极。多条第一共用电极线及多条第二共用电极线沿第一方向延伸，且沿与第一方向相交的第二方向交替排列。沿第一方向相邻的两个像素结构的两个第二电极彼此分离且分别电连接对应的第一共用电极线及对应的第二共用电极线。
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公开(公告)号：CN117042471A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310948173.5
申请日：2023-07-31
申请人： 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
摘要： 本发明公开了一种插指结构的共聚物有机反相器及制备方法，包括衬底、2个有机场效应晶体管、电源端、接地端、输出端、输入端和互连线；每个有机场效应晶体管均包括有机半导体层、光刻介质阻挡层、源极、漏极和栅极；源极包括n个源极指节；漏极包括n个漏极指节，n个漏极指节与n个源极指节等距交错插设，且形成2n‑1个源漏间隙；栅极包括布设在源漏间隙正上方的2n‑1个栅极指节。本发明能有效利用光刻介质阻挡层，将光刻引入有机电路的制备，能有效保护有机半导体材料，并能实现在同一基板上集成多个有机场效应晶体管。另外，插指结构能提高电路的导通电流以及减小导通电阻，同时可以很好的降低电路开启电压，降低电路功耗。
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公开(公告)号：CN118488719A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410620325.3
申请日：2024-05-17
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 本发明公开一种互补场效应晶体管及其制备方法，涉及半导体技术领域，用于解决现有技术中场效应晶体管性能较差，不能满足实际电路的功能及性能需求的问题。包括：底层的硅基器件；淀积于所述硅基器件上的绝缘层；在所述绝缘层的互联窗口淀积形成的互联金属；所述绝缘层内的互联通孔；所述互联通孔暴露在所述绝缘层表面；以及所述绝缘层表面的碳纳米管器件。本发明进行了器件的三维设计，在底层制备硅基器件，并在绝缘层上方制备碳纳米管器件，突破平面型器件的制备限制，并进行金属互联，可以呈数量级的提升单位面积上晶体管的数量，提高芯片集成度，提高器件工作性能。
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公开(公告)号：CN116347959A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310369625.4
申请日：2023-04-10
申请人： 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
摘要： 本发明提供了一种共聚物有机场效应晶体管通孔方法，通过采用阻挡层与刻蚀技术，可以有效的避免显影液以及光刻胶清洗液污染损坏半导体层以及介质层，同时将刻蚀技术引入有机场效应晶体管，解决了有机场效应晶体管长期以来无法实现通孔技术的难题，简便了器件的测试过程，使得有机半导体能够更好的实现集成化。
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公开(公告)号：CN218888958U
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202222954116.1
申请日：2022-11-07
申请人： 华碧新能源技术研究(苏州)有限公司
发明人： 请求不公布姓名
IPC分类号： H10K50/805 , H10K19/80
摘要： 本实用新型提供了一种钙钛矿太阳能电池组件，涉及太阳能电池技术领域。包括基底层，所述基底层上间隔并排设置有若干子电池；所述子电池从下往上依次包括底电极层、功能层和顶电极层；所述基底层包括导电部分和位于端部的非导电部分，并且任意相邻两个子电池的非导电部分交替首尾排列，任意所述两个相邻子电池的底电极层与顶电极层之间通过导电栅极连接。本实用新型能够提高光生电子收集效率的同时，还能缓解导电栅极对电池有效面积的遮荫问题。
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