公开(公告)号：CN1697201A

公开(公告)日：2005-11-16

申请号：CN200510013862.9

申请日：2005-06-20

申请人： 南开大学

发明人： 赵颖 ,  张晓丹 ,  耿新华 ,  魏长春 ,  薛俊明 ,  侯国付 ,  仁慧志 ,  张德坤 ,  孙建 ,  张建军 ,  熊绍珍

IPC分类号： H01L31/04 ,  H01L31/18

CPC分类号： Y02E10/50 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明涉及硅薄膜太阳电池的窗口层，特别是p型窗口层的结构和制备技术，属于新能源中薄膜太阳电池的技术领域。硅薄膜太阳电池用p型窗口层，由透明衬底、透明导电薄膜、p型窗口层等组成，其特点在于：P层分为P1和P2两层，P1层是具有高晶化率宽带隙纳米硅的薄膜，厚度比P2层要薄一个数量级。在设计p型窗口层时，采用双层p型掺杂层结构。调控两层的晶化率、掺杂浓度与厚度，来达到晶化和掺杂效果分别完成、最终合成一致达到高电导、高晶化率同时得以满足的效果，为随后微晶硅有源层的生长提供良好晶化基础，并以高电导的p型掺杂提供高开路电压和低的串联电阻，从而在保证稳定性基础上提高电池效率，有利展示薄膜电池低成本的优势。

公开(公告)号：CN1287471C

公开(公告)日：2006-11-29

申请号：CN200510014307.8

申请日：2005-07-01

申请人： 南开大学

发明人： 赵颖 ,  耿新华 ,  张晓丹 ,  魏长春 ,  薛俊明 ,  仁慧志 ,  张德坤 ,  孙建 ,  侯国付 ,  张建军 ,  熊绍珍

IPC分类号： H01L31/042 ,  H01L31/18

CPC分类号： Y02E10/50 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明涉及一种硅薄膜太阳电池集成组件，它的结构和制备技术，特别是具有氧化锌(ZnO)背反射电极的硅薄膜太阳电池集成组件及其制备技术。而ZnO背反射电极是硅薄膜太阳电池陷光结构的重要组成部分，可大幅提高电池效率。它涉及硅薄膜太阳电池集成组件的关键工艺——子电池内联集成技术，属于新型能源中薄膜太阳电池的技术领域。本发明采用掩膜蒸镀金属电极，结合湿法腐蚀ZnO的方法，实现具有ZnO背反射电极的硅薄膜太阳电池子电池的内联集成技术，最终获得硅薄膜太阳电池集成组件。该方法简单、成品率高、成本低，有利展示硅薄膜太阳电池低成本的优势。是一个结构设计思想巧妙的制备技术。

公开(公告)号：CN1277318C

公开(公告)日：2006-09-27

申请号：CN200510013862.9

申请日：2005-06-20

申请人： 南开大学

发明人： 赵颖 ,  张晓丹 ,  耿新华 ,  魏长春 ,  薛俊明 ,  侯国付 ,  仁慧志 ,  张德坤 ,  孙建 ,  张建军 ,  熊绍珍

IPC分类号： H01L31/04 ,  H01L31/18

CPC分类号： Y02E10/50 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明涉及硅薄膜太阳电池的窗口层，特别是p型窗口层的结构和制备技术，属于新能源中薄膜太阳电池的技术领域。硅薄膜太阳电池用p型窗口层，由透明衬底、透明导电薄膜、p型窗口层等组成，其特点在于：P层分为P1和P2两层，P1层是具有高晶化率宽带隙纳米硅的薄膜，厚度比P2层要薄一个数量级。在设计p型窗口层时，采用双层p型掺杂层结构。调控两层的晶化率、掺杂浓度与厚度，来达到晶化和掺杂效果分别完成、最终合成一致达到高电导、高晶化率同时得以满足的效果，为随后微晶硅有源层的生长提供良好晶化基础，并以高电导的p型掺杂提供高开路电压和低的串联电阻，从而在保证稳定性基础上提高电池效率，有利展示薄膜电池低成本的优势。

公开(公告)号：CN1710723A

公开(公告)日：2005-12-21

申请号：CN200510014307.8

申请日：2005-07-01

申请人： 南开大学

发明人： 赵颖 ,  耿新华 ,  张晓丹 ,  魏长春 ,  薛俊明 ,  仁慧志 ,  张德坤 ,  孙建 ,  侯国付 ,  张建军 ,  熊绍珍

IPC分类号： H01L31/042 ,  H01L31/18

CPC分类号： Y02E10/50 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明涉及一种硅薄膜太阳电池集成组件，它的结构和制备技术，特别是具有氧化锌(ZnO)背反射电极的硅薄膜太阳电池集成组件及其制备技术。而ZnO背反射电极是硅薄膜太阳电池陷光结构的重要组成部分，可大幅提高电池效率。它涉及硅薄膜太阳电池集成组件的关键工艺——子电池内联集成技术，属于新型能源中薄膜太阳电池的技术领域。本发明采用掩膜蒸镀金属电极，结合湿法腐蚀ZnO的方法，实现具有ZnO背反射电极的硅薄膜太阳电池子电池的内联集成技术，最终获得硅薄膜太阳电池集成组件。该方法简单、成品率高、成本低，有利展示硅薄膜太阳电池低成本的优势。是一个结构设计思想巧妙的制备技术。

公开(公告)号：CN2775071Y

公开(公告)日：2006-04-26

申请号：CN200520025309.2

申请日：2005-02-25

申请人： 南开大学

发明人： 耿新华 ,  赵颖 ,  薛俊明 ,  仁慧志 ,  魏长春 ,  张德坤

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/40

摘要： 本实用新型涉及一种氧化锌透明导电膜的制备设备，特别是用金属有机化学气相沉积法（MOCVD）制备氧化锌透明导电膜的反应器，以便实现制备氧化锌透明导电膜的大面积均匀性。 MOCVD法制各氧化锌透明导电膜，具有无轰击，衬底温度低（～ 150℃）等优点，特别适合于低温薄膜太阳电池应用，对提高电池效率有重要作用。本实用新型的技术方案：这种金属制备氧化锌透明导电膜的反应器，是在一个圆柱形反应室中设置加热丝、匀热板、二乙基锌和硼烷布气管、水布气管等，其特点在于：二乙基锌和硼烷布气管为梳状，梳状分管上布有微孔，水布气管呈十字交叉状。本新型的有益效果：反应器结构简单、造价低，在不加旋转的情况下，20cm×20cm基片范围内实现了薄膜不均匀性小于5％。