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公开(公告)号：CN102097541B
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201010528189.3
申请日：2010-11-02
申请人： 南开大学
IPC分类号： H01L31/20 , C23C16/24 , H01L31/0352
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 一种提高产业化单室沉积非晶硅基薄膜电池效率的方法，将产业化单室沉积的非晶硅基薄膜太阳电池与窄带隙的微晶硅基太阳电池组成多结叠层太阳电池，对中间的np隧穿结进行工艺设计，形成重掺的掺杂层和良好的隧穿特性，具体步骤如下：1）通过氢等离子工艺刻蚀产业化单室沉积的非晶硅基薄膜太阳电池的非晶硅n层；2）然后通过等离子工艺沉积微晶硅n层；3）最后通过等离子工艺沉积微晶硅基电池。本发明的优点和积极效果：本方法通过氢等离子体处理电池非晶硅n层表面氧化物，然后沉积微晶N和微晶硅底电池，在不需要额外引入其它气体情况下，可以拓宽电池的吸收光谱，获得高的开路电压，提高电池的转换效率。
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公开(公告)号：CN101697363B
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200910071050.8
申请日：2009-10-30
申请人： 南开大学
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 一种提高单室沉积硅基太阳电池用窗口层材料性能的方法，制备单室沉积硅基薄膜太阳电池的窗口层材料采用高频率、高气压、高功率密度和小电极间距相结合的工艺，该方法既适用于单结、双结或三结叠层微晶硅基或纳米硅基薄膜太阳电池，也适用于分室微晶硅基薄膜太阳电池的沉积。本发明的有益效果是：该方法工艺简单、成本低、交叉污染低、实用性强，利用快速成核工艺制备的窗口 层材料同时具有高电导率和高透过率，明显提高了硅基薄膜太阳电池的开路电压和短路电流密度，进而提高硅基薄膜太阳电池的光电转换效率，特别是对单室沉积微晶硅基(纳米硅基)薄膜太阳电池的产业化具有非常重要的意义。
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公开(公告)号：CN101576602B
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200910069331.X
申请日：2009-06-19
申请人： 南开大学
IPC分类号： G01R31/26 , H01L31/042
摘要： 本发明公开了一种检测上转换材料对太阳电池短路电流密度提高效果的装置，包括有工作暗室(10)，该工作暗室(10)里水平放置有近红外光源(20)，所述近红外光源(20)的右边纵向设置有太阳电池(30)，所述太阳电池(30)位于所述近红外光源(20)右端发射孔相对应的位置，所述太阳电池(30)的两极与工作暗室(10)外部的电流表(40)相连，所述太阳电池(30)上设置有上转换材料(50)。本发明提供的装置可以通过检测不同的上转换材料对太阳电池短路电流密度的提高效果，实现对不同上转换材料的光转换效果的验证，获知不同上转换材料对太阳电池效率的提高效果，从而促进上转换材料制备技术的发展以及在太阳电池中的应用。
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公开(公告)号：CN101697363A
公开(公告)日：2010-04-21
申请号：CN200910071050.8
申请日：2009-10-30
申请人： 南开大学
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 一种提高单室沉积硅基太阳电池用窗口层材料性能的方法，制备单室沉积硅基薄膜太阳电池的窗口层材料采用高频率、高气压、高功率密度和小电极间距相结合的工艺，该方法既适用于单结、双结或三结叠层微晶硅基或纳米硅基薄膜太阳电池，也适用于分室微晶硅基薄膜太阳电池的沉积。本发明的有益效果是：该方法工艺简单、成本低、交叉污染低、实用性强，利用快速成核工艺制备的窗口层材料同时具有高电导率和高透过率，明显提高了硅基薄膜太阳电池的开路电压和短路电流密度，进而提高硅基薄膜太阳电池的光电转换效率，特别是对单室沉积微晶硅基(纳米硅基)薄膜太阳电池的产业化具有非常重要的意义。
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公开(公告)号：CN101576602A
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200910069331.X
申请日：2009-06-19
申请人： 南开大学
IPC分类号： G01R31/26 , H01L31/042
摘要： 本发明公开了一种检测上转换材料对太阳电池短路电流密度提高效果的装置，包括有工作暗室(10)，该工作暗室(10)里水平放置有近红外光源(20)，所述近红外光源(20)的右边纵向设置有太阳电池(30)，所述太阳电池(30)位于所述近红外光源(20)右端发射孔相对应的位置，所述太阳电池(30)的两极与工作暗室(10)外部的电流表(40)相连，所述太阳电池(30)上设置有上转换材料(50)。本发明提供的装置可以通过检测不同的上转换材料对太阳电池短路电流密度的提高效果，实现对不同上转换材料的光转换效果的验证，获知不同上转换材料对太阳电池效率的提高效果，从而促进上转换材料制备技术的发展以及在太阳电池中的应用。
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公开(公告)号：CN101556971A
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200910068787.4
申请日：2009-05-11
申请人： 南开大学
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L31/20 , C23C16/505 , C23C16/46 , C23C16/50 , H01L31/042 , H01L31/075
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： 硅基薄膜太阳电池用背反射电极及其制备方法，涉及薄膜太阳电池领域。本发明的硅基薄膜太阳电池用背反射电极为n型SiOx材料(x＝0.1～1.5)，其导电类型为n型。背反射电极的制备，采用射频等离子体增强化学气相沉积技术或热丝化学气相沉积技术或甚高频等离子体增强化学气相沉积技术。本发明采用与硅基薄膜太阳电池相同的化学气相沉积技术，在制备硅基薄膜太阳电池n层后，原位沉积具有和ZnO背反射电极相类似作用的n型SiOx材料，所使用的制备技术和电池中n层材料的制备技术有很好的兼容性，可以使用相同的沉积方法，不需要更换沉积系统，只需要变换反应气体或宏观沉积参数，工艺简单且有利于降低成本。
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公开(公告)号：CN101550544A
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200910068786.X
申请日：2009-05-11
申请人： 南开大学
摘要： 一种改善高速沉积微晶硅材料中非晶孵化层的方法，公开了一种改善高速沉积本征微晶硅薄膜中起始非晶孵化层的方法：将衬底放在真空室内，采用等离子体增强化学气相沉积或者热丝化学气相沉积技术在衬底上沉积高速率本征微晶硅薄膜；采用改变沉积过程中加热温度的办法来改变反应前驱物在衬底表面的迁移能力，进而来改变高速率材料初期的非晶孵化层。本发明有益效果是：通过改变沉积高速率微晶硅材料时的加热温度，而达到对反应前驱物在衬底表面迁移时间的控制，进而达到改善材料非晶硅孵化层厚度的效果。
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公开(公告)号：CN100519836C
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200710150228.9
申请日：2007-11-19
申请人： 南开大学
IPC分类号： C23C16/505
摘要： 本发明公开了一种可获得均匀电场的大面积VHF-PECVD反应室异形电极。它的功率电极板在功率馈入端口附近设有对应的附加电极片，所述附加电极片平行于功率电极板水平面，所述附加电极片的厚度小于功率电极板，所述附加电极片连接在功率电极板的功率电极面的边缘。本发明的异形功率电极可以在任意激发频率和任意面积大小的PECVD反应室中采用。这种异形功率电极利用电极功率馈入端口的附加电极改变电极表面电流分布，可以抑制电极馈入端口附近电势的对数奇点效应。
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公开(公告)号：CN101183512A
公开(公告)日：2008-05-21
申请号：CN200710060377.6
申请日：2007-12-19
申请人： 南开大学
IPC分类号： G09G3/36
摘要： 一种显示屏周边集成与控制电路共同完成的LCD列驱动模式，显示屏周边集成电路包括有3m个TFT开关自左向右构成n组，同一像素的三个子像素所连的TFT在同一组，将每组含有的3m/n个TFT的栅极相连，对外有n条控制线与控制电路相连；控制电路部分有译码器、模拟多路选通器、模拟灰度级电压产生电路、电压反转电路、电位选择器。本发明的控制电路通过电位选择器在多个灰度级电压中进行选择，将适当的电压传输到显示屏基板，集成在数据线上的开关依次打开，模拟多路选通器依次将数据写入像素电容，从而完成逐点写入的过程，将前级传输过来的数据写入LCD像素单元，从而取代了数据驱动芯片的功能，为分辨率不高的LCD显示屏提供了一种更为经济实用的数据驱动方式，节约了成本。
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公开(公告)号：CN101183509A
公开(公告)日：2008-05-21
申请号：CN200710060376.1
申请日：2007-12-19
申请人： 南开大学
IPC分类号： G09G3/32
摘要： 一种显示屏周边集成与控制电路共同完成的OLED列驱动模式，显示屏周边集成电路包括有：由3m个TFT开关自左向右构成n组，且每组含有3m/n个TFT，对外共引出n条控制线；有3m/n根对外数据线。控制电路有：依次相连的译码器、模拟多路选通器、电位选择器，为模拟二选一选择器，共三个，分别通过模拟多路选通器向三个子象素中输入电平信号。本发明通过上述部分的协调工作，使集成在数据线上的开关依次打开，模拟多路选通器依次将数据写入像素电容，从而完成逐点写入的过程。通过显示屏周边集成电路以及控制电路协调工作，将前级传输过来的数据写入OLED像素单元，从而取代了数据驱动芯片的功能，为分辨率不高的OLED显示屏提供了一种更为经济实用的驱动方式，节约了成本。
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