场路耦合的实现方法、装置、设备及介质

    公开(公告)号:CN109408878B

    公开(公告)日:2023-04-28

    申请号:CN201811081464.4

    申请日:2018-09-17

    IPC分类号: G06F30/23 G06F30/367

    摘要: 本发明公开了一场路耦合的实现方法,包括获取谐波电路的电路模型和所述谐波电路中断路器的电弧模型;其中,所述谐波电路为输入谐波激励的电路;根据预设的时长与步长,获取初始时刻的所述电路模型的元器件参数和所述元器件参数中的电弧电流;其中,所述元器件参数包括元器件的电压与电流;根据所述电弧电流和初始电弧阻抗,获取所述步长内所述电弧模型的电弧电压;根据所述电弧电压与所述电弧电流更新所述电弧阻抗;基于所述电路模型,根据所述元器件参数与所述更新后的电弧阻抗,更新所述元器件参数和所述元器件参数中的电弧电流,直至迭代达到预设的迭代步数,实现了场路耦合。

    场路耦合的实现方法、装置、设备及介质

    公开(公告)号:CN109408878A

    公开(公告)日:2019-03-01

    申请号:CN201811081464.4

    申请日:2018-09-17

    IPC分类号: G06F17/50

    摘要: 本发明公开了一场路耦合的实现方法,包括获取谐波电路的电路模型和所述谐波电路中断路器的电弧模型;其中,所述谐波电路为输入谐波激励的电路;根据预设的时长与步长,获取初始时刻的所述电路模型的元器件参数和所述元器件参数中的电弧电流;其中,所述元器件参数包括元器件的电压与电流;根据所述电弧电流和初始电弧阻抗,获取所述步长内所述电弧模型的电弧电压;根据所述电弧电压与所述电弧电流更新所述电弧阻抗;基于所述电路模型,根据所述元器件参数与所述更新后的电弧阻抗,更新所述元器件参数和所述元器件参数中的电弧电流,直至迭代达到预设的迭代步数,实现了场路耦合。

    基于汤姆逊散射的喷口气体电弧电子数密度测量装置

    公开(公告)号:CN118338519A

    公开(公告)日:2024-07-12

    申请号:CN202410611621.7

    申请日:2024-05-16

    IPC分类号: H05H1/00 H01H33/04

    摘要: 本发明公开了一种基于汤姆逊散射的喷口气体电弧电子数密度测量装置及方法,所述装置包括:用于切入等离子体对象的探针激光产生及聚焦装置、气体电弧稳定装置、散射信号收集装置;所述探针激光产生及聚焦装置由激光光源、半波片、偏振片、聚焦透镜组成;所述气体电弧稳定装置由静触头及其夹具、气体喷口、动触头及其夹具组成;所述散射信号收集装置由信号收集透镜组、转90°反射镜组、偏振片、光谱仪、ICCD组成。本发明具有针对性强、数据测量信噪比高、数据精准性好的特点,通过喷口装置对气体电弧进行稳定,并且对气体电弧特定的噪声进行了针对性的过滤,获得较高信噪比的散射信号数据,并最终获得高精准度的电子数密度数据。

    一种基于静电激励电容检测的差分式硅谐振压力传感器

    公开(公告)号:CN116907694A

    公开(公告)日:2023-10-20

    申请号:CN202310889509.5

    申请日:2023-07-19

    IPC分类号: G01L1/14

    摘要: 本发明公开了一种基于静电激励电容检测的差分式硅谐振压力传感器,属于微纳传感器技术领域,包括基底层、受拉谐振器和受压谐振器,所述基底层包括压力敏感膜与固定在压力敏感膜上的硅岛;所述受拉谐振器布置在压力敏感膜的受拉区域,所述受压谐振器布置在压力敏感膜的受压区域;所述拉谐振器与受压谐振器通过硅岛与压力敏感膜连接;所述受拉谐振器与受压谐振器结构相同。该压力传感器有效提升传感器的灵敏度,并降低了温度和封装应力对谐振器的影响,从而提高传感器的输出精度。

    基于静电激励压阻检测的硅微谐振压力传感器

    公开(公告)号:CN113865755B

    公开(公告)日:2023-08-25

    申请号:CN202111040514.6

    申请日:2021-09-06

    IPC分类号: G01L1/18

    摘要: 本发明公开了一种基于静电激励压阻检测的硅微谐振压力传感器,传感器采用压力敏感膜和谐振器复合的二次敏感结构,其中谐振器为面内平行反向振动。谐振器与压力敏感膜通过锚点连接,当外界压力作用于压力敏感膜并使其发生变形时,该变形将通过压力敏感膜上的硅岛与锚点传递给谐振器,使谐振器上谐振梁的内应力发生改变,从而改变谐振器的固有谐振频率。在拾振梁上布置有压敏电阻用来完成谐振频率的拾取,而后通过与耦合梁相连接的第一蛇形梁实现压阻信号输出。

    一种碳化硅MEMS温压复合式传感器芯片及其制备方法

    公开(公告)号:CN113526452B

    公开(公告)日:2023-07-04

    申请号:CN202110694517.5

    申请日:2021-06-22

    IPC分类号: B81B7/00 B81B7/02 B81C1/00

    摘要: 本发明公开了一种碳化硅MEMS温压复合式传感器芯片及其制备方法,传感器芯片包括外围压力测量单元和中心温度测量单元;压力测量单元由带凸起岛的碳化硅基底,背面刻蚀有圆形背腔形成压力敏感膜片,凸起岛和压力敏感膜片构成了膜岛结构,在凸起岛之外,压力敏感膜片之内,沿着压力敏感膜片根部圆周对称布置四个压阻条;温度测量单元包括基底凸起岛以及布置在其上的薄膜热电偶;当压力作用在芯片上时,压力测量单元通过半导体压阻效应及惠斯通电桥将压力转变成电信号输出,同时温度测量单元通过金属薄膜热电偶塞贝克效应将温度转换成热电势输出,以此完成高温下压力和温度的实时检测,具有耐高温、微型化、灵敏度高、稳定性好等优点。

    一种热压解耦的液体活塞压缩空气储能系统及其运行方法

    公开(公告)号:CN115822912A

    公开(公告)日:2023-03-21

    申请号:CN202211505205.6

    申请日:2022-11-28

    摘要: 本发明公开了一种热压解耦的液体活塞压缩空气储能系统及运行方法,系统包括压缩空气储能单元、换热蓄热单元以及膨胀发电机组;多变压缩空气系统和双罐式近等温压缩空气系统分别作为整个系统储能侧的低压级和高压级依次压缩空气,调节多变压缩系统中多级压缩机的压缩比,并匹配调节双罐式近等温压缩系统中水气罐的压缩比以达到目标压力,使得储能过程中压缩空气产生的压缩热得以在释能过程全部利用,解决了膨胀机入口装设节流阀导致的储释能过程热量供需不平衡问题;并用蓄热器单元存储压缩热,利用此压缩空气储能单元所具有的灵活性获取并存储压力势能,达到热能和压力势能解耦合,高效分配释放压力势能时所需要的热能。

    用于高温环境温压集成芯片测试的温度校准装置和方法

    公开(公告)号:CN115752810A

    公开(公告)日:2023-03-07

    申请号:CN202211506399.1

    申请日:2022-11-28

    IPC分类号: G01K15/00

    摘要: 本发明公开了一种用于高温环境温压集成芯片测试的温度校准装置和方法,包括热电偶、固定装置和信号采集器;所述固定装置包括陶瓷板,所述陶瓷板上设置有限位凸台、第一焊盘和第二焊盘,所述限位凸台一端与热电偶的热电偶外壳端面相接触,所述限位凸台用于安装温压集成芯片,进行校准时,所述热电偶的热电偶温度探头和温压集成芯片相接触;所述温压集成芯片通过第一焊盘与第二焊盘连接,所述第二焊盘通过导线与信号采集器连接。该装置能在空气中耐受600℃及以上高温,并且可对600℃及以上高温环境进行温度校准,精准获取高温环境下温压集成芯片感压处的温度参数,实现对温度单元的温度校准以及对压力单元零压温度漂移的补偿。

    基于热等离子体的六氟化硫降解装置

    公开(公告)号:CN115554823A

    公开(公告)日:2023-01-03

    申请号:CN202211140600.9

    申请日:2022-09-20

    IPC分类号: B01D53/32

    摘要: 本发明公开了一种基于热等离子体的六氟化硫降解装置,基于热等离子体的六氟化硫降解装置中,封闭壳体包括可循环的水冷夹层和经由水冷夹层包围的反应腔,反应腔连通进气控制系统以按预定比例接收载气Ar、反应气H2和六氟化硫,环形电极电连接直流电源以生成热等离子体喷流,硫粉滤除装置连通反应腔以滤除来自反应腔的混合气体中的硫粉,碱液喷淋塔连通硫粉滤除装置以吸收酸性气体产物,碱液喷淋塔包括将碱液循环抽取形成水雾的砂浆泵,废气检测装置连通碱液喷淋塔,采样并检测从碱液喷淋塔排出的废气。