一种用于制备金属凸点的双层正性光刻胶剥离方法

    公开(公告)号:CN117111420A

    公开(公告)日:2023-11-24

    申请号:CN202311099718.6

    申请日:2023-08-30

    摘要: 本发明公开了一种用于制备金属凸点的双层正性光刻胶剥离方法:S1,外延片清洗;S2,在外延片上旋涂底层的第一类型正性光刻胶;S3,软烘,对第一类型正性光刻胶进行固化;S4,在第一类型正性光刻胶表面旋涂顶层的第二类型正性光刻胶;S5,软烘,对第二类型正性光刻胶进行固化;S6,曝光,使用光刻机对双层光刻胶进行曝光;S7,后烘焙;S8,显影,使用碱性显影液对双层光刻胶进行显影;S9,金属沉积,使用金属沉积设备沉积金属膜;S10,使用光刻胶剥离液对双层光刻胶进行剥离;S11,在外延片表面制备得到金属凸点。本发明通过双层正性光刻胶实现Lift‑off工艺,解决了Micro‑LED微显示器件中小尺寸金属凸点难以制备的问题,可实现间距小且厚度高的金属凸点制备。

    一种高光效单面低面积比例出光的微型LED芯片制备方法

    公开(公告)号:CN116404074A

    公开(公告)日:2023-07-07

    申请号:CN202310235069.1

    申请日:2023-03-13

    摘要: 本发明公开了一种高光效单面低面积比例出光的微型LED芯片制备方法,对于单面出光且出光面积比例小于80%的微型LED芯片,在制备方法上,在衬底上先生长过渡层,进而获得晶体质量较好的第一半导体层、有源层、第二半导体层,这样能提升材料质量和器件的内量子效率;另外,在LED初始外延与永久基板完成键合并去除衬底后,去除过渡层、部分第一半导体层获得的效果,一是在外延被减薄后,LED芯片的纵向尺寸减小,横向尺寸不变,增大了LED芯片正向的出光角,而又由于LED芯片的侧壁存在挡光的第一电极层,在侧壁出光占比减小的情况下,LED芯片的正向出光性得到了提升,二是减少了这些部分对发射光的吸收;最终,结合粗化表面,能大幅度提升LED芯片的光提取效率。

    一种RGB三色集成的Mini-LED芯片及其制造方法、显示面板

    公开(公告)号:CN116314481A

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN202310130572.0

    申请日:2023-02-17

    IPC分类号: H01L33/00 H01L27/15

    摘要: 本发明公开了一种RGB三色集成的Mini‑LED芯片及其制造方法、显示面板,该RGB三色集成的Mini‑LED芯片的制造方法包括刻蚀外延片获得分别含RGB三色的Mini‑LED阵列的外延片,在Mini‑LED阵列上制备P型反射电极层和第一粘结层,通过键合的方式依次将三种颜色的Mini‑LED阵列转移至支撑基板,沉积绝缘材料钝化侧壁并蒸发形成N型电极。本发明通过刻蚀一定厚度的硅衬底,在键合转移过程中,后转移的Mini‑LED阵列的硅衬底不会接触到已经转移的Mini‑LED阵列,实现大量Mini‑LED芯片的精准转移,有效解决键合转移过程中的对位精度和转移效率的问题。且在芯片制造过程中即可实现单个像素中RGB三色Mini‑LED芯片的集成,可简化后续的封装工艺,制程简单,降低了Mini‑LED的制造成本。

    一种垂直结构Micro-LED发光模组及其制备方法

    公开(公告)号:CN118472128A

    公开(公告)日:2024-08-09

    申请号:CN202410695961.2

    申请日:2024-05-31

    摘要: 本发明公开了一种垂直结构Micro‑LED发光模组及其制备方法,包括:在硅衬底GaN基外延层上制备第一反射电极层和金属掩膜层;刻蚀获得金属掩膜层阵列和第一反射电极层阵列;刻蚀制备出完全独立的Micro‑LED像素单元和牺牲层阵列;侧壁制备侧壁钝化层,在侧壁钝化层的间隙填充第一隔离层,在金属掩膜层阵列的表面制备第一键合金属层阵列;在驱动电路基板的表面制备第二键合金属层阵列,并在阵列间隙填充第二隔离层;第一键合金属层阵列与第二键合金属层阵列键合;去除硅衬底和牺牲层阵列,并在第二电极接触层阵列和第一隔离层的表面制备第二电极层,最终获得Micro‑LED发光模组。本发明的制备方法能够简化垂直结构Micro‑LED发光模组制备工艺流程,提高生产效率,有利于实际生产及应用。

    一种具有高色纯度的氮化镓基全彩Micro-LED显示模组及制备方法

    公开(公告)号:CN117293157A

    公开(公告)日:2023-12-26

    申请号:CN202310589759.7

    申请日:2023-05-24

    IPC分类号: H01L27/15 H01L33/38 H01L33/00

    摘要: 本发明公开了一种具有高色纯度的氮化镓基全彩Micro‑LED显示模组及制备方法,该制备方法首先利用MOCVD外延生长获得氮化镓基蓝光、氮化镓基绿光和氮化镓基红光三种颜色的外延片,利用光刻、ICP刻蚀和制备电极得到氮化镓基蓝光、绿光和红光三色Micro‑LED像素阵列,然后将三种颜色的氮化镓基Micro‑LED设置在驱动基板上,实现氮化镓基全彩Micro‑LED显示模组,最后在氮化镓基全彩Micro‑LED上生长介质滤波膜,该介质滤波膜具有可以同时对氮化镓基红光Micro‑LED像素和氮化镓基绿光Micro‑LED像素发出来的光过滤,实现窄发光峰的红光和绿光,同时红光和和绿光发光稳定。本发明可以提高氮化镓基全彩Micro‑LED显示模组的色纯度及稳定性。

    一种窄发光峰LED芯片及其制备方法

    公开(公告)号:CN116314529A

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN202211546929.5

    申请日:2022-12-05

    IPC分类号: H01L33/44 H01L33/46 H01L33/00

    摘要: 本发明公开了一种窄发光峰LED芯片及其制备方法,所述LED芯片至少包括:P型电极层、P型半导体层、有源层、N型半导体层、N型电极、介质滤波层、粘结层。在LED芯片的N型半导体层的上面和N型半导体层、有源层、P型半导体层的外侧壁上生长介质滤波层,介质滤波层对LED芯片特定波长范围的光具有高透射率,对其余波长的光具有高反射率,从而使得LED发光峰变窄。在芯片侧壁制备反射镜,将侧壁出射的光反射回LED芯片,减少侧壁出光的光串扰效应,同时提高正面出光效率。本发明的窄发光峰LED芯片减小了发光半高宽,提高了发光方向性,减小了光串扰。

    一种具有互锁结构的混合键合方法

    公开(公告)号:CN118053947A

    公开(公告)日:2024-05-17

    申请号:CN202410251588.1

    申请日:2024-03-06

    IPC分类号: H01L33/00

    摘要: 本发明提供一种具有互锁结构的混合键合方法,所述方法包括:采用干法刻蚀工艺精准调节绝缘介质层的高度;引入牺牲层金属,于其中一侧待键合晶圆上制备金属/介质凹陷结构;另一侧待键合晶圆形成图形化金属焊盘,或制备金属/介质凸起结构;两侧晶圆对准热压,形成具有互锁结构的金属/介质混合键合。该方法中,绝缘介质的填充无需复杂的化学机械抛光(CMP)和光刻工艺,制备工艺简单、成本低,并且实现了键合点的自对准和滑移锁止,可大幅提升键合强度和良率,获得高可靠性的Micro‑LED器件。

    一种基于硅衬底GaN基外延片制备Micro LED微显示模组的方法

    公开(公告)号:CN118782696A

    公开(公告)日:2024-10-15

    申请号:CN202410931016.8

    申请日:2024-07-12

    摘要: 本申请提供了一种基于硅衬底GaN基外延片制备Micro LED微显示模组的方法。所述方法包括:在硅衬底GaN基外延片上获得GaN阵列,在GaN阵列上制备金属凸点点阵,像素区以外制作四周环状金属,在金属凸点点阵的间隙,及四周环状金属以外的区域制备第一特种光刻胶层,制成硅衬底GaN基Micro LED芯片;在CMOS驱动基板上制备像素区金属凸点点阵,像素区以外的区域覆盖金属,在像素区金属凸点点阵的间隙制备第二特种光刻胶层;硅衬底GaN基Micro LED芯片与CMOS驱动基板对准键合;湿法去除芯片端的硅衬底;制备CMOS驱动基板的焊盘,制成Micro LED微显示模组。本发明采用湿法去除GaN基Micro LED芯片的硅衬底,保护CMOS驱动基板不受酸腐蚀液侵蚀,成本低,腐蚀速度快,可批量操作。

    一种可见光波段可调双通道滤波器

    公开(公告)号:CN117130084A

    公开(公告)日:2023-11-28

    申请号:CN202310589816.1

    申请日:2023-05-24

    IPC分类号: G02B5/28 G02B1/00

    摘要: 本发明公开了一种可见光波段可调双通道滤波器,包括可见光透明衬底和介质滤波器,介质滤波器由两组介质膜组成,记第一介质膜组A,第二介质膜组B;第一介质膜组A控制长波长通道的位置,第二介质膜组B控制短波长通道的位置;可以通过改变第一介质膜组A和第二介质膜组B中的介质材料层的厚度来任意调控双通道的位置,实现可见光波段的双通道滤波的效果。这种可见光波段可调双通道滤波器的通道窗口的透光率高,能够减少目标波长的损失,同时滤波通道的半高宽窄,可以满足彩色显示中对色纯度的滤波要求。这种可见光波段可调双通道滤波器可以直接贴合到彩色显示中,使显示的色纯度高和稳定性高。

    一种Micro-LED全彩显示模组及制备方法

    公开(公告)号:CN116895681A

    公开(公告)日:2023-10-17

    申请号:CN202310803186.3

    申请日:2023-07-03

    摘要: 本发明公开了一种Micro‑LED全彩显示模组及制备方法,在一块驱动基板上集成有能自发白光的Micro‑LED阵列,每个像素均能独立地控制自发白光的Micro‑LED开关和亮度。这些自发白光的Micro‑LED被分成三组,其中第一组自发白光的Micro‑LED表面上设置有红色光子晶体滤波膜,第二组自发白光的Micro‑LED表面上设置有绿色光子晶体滤波膜,第三组自发白光的Micro‑LED表面上设置有蓝色光子晶体滤波膜。使自发白光的Micro‑LED经过滤波膜后发出的光分别为红色、绿色和蓝色,作为发光像素。红色、绿色、蓝三组像素均形成二维周期性排列,使每个周期内均包含有至少一个红色、一个绿色和一个蓝色像素,从而构成全彩像素。本发明能够降低Micro‑LED全彩显示像素转移难度,提高Micro‑LED全彩显示的色纯度和稳定性。