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公开(公告)号：CN118472128A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410695961.2
申请日：2024-05-31
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
摘要： 本发明公开了一种垂直结构Micro‑LED发光模组及其制备方法，包括：在硅衬底GaN基外延层上制备第一反射电极层和金属掩膜层；刻蚀获得金属掩膜层阵列和第一反射电极层阵列；刻蚀制备出完全独立的Micro‑LED像素单元和牺牲层阵列；侧壁制备侧壁钝化层，在侧壁钝化层的间隙填充第一隔离层，在金属掩膜层阵列的表面制备第一键合金属层阵列；在驱动电路基板的表面制备第二键合金属层阵列，并在阵列间隙填充第二隔离层；第一键合金属层阵列与第二键合金属层阵列键合；去除硅衬底和牺牲层阵列，并在第二电极接触层阵列和第一隔离层的表面制备第二电极层，最终获得Micro‑LED发光模组。本发明的制备方法能够简化垂直结构Micro‑LED发光模组制备工艺流程，提高生产效率，有利于实际生产及应用。
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公开(公告)号：CN117293157A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202310589759.7
申请日：2023-05-24
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种具有高色纯度的氮化镓基全彩Micro‑LED显示模组及制备方法，该制备方法首先利用MOCVD外延生长获得氮化镓基蓝光、氮化镓基绿光和氮化镓基红光三种颜色的外延片，利用光刻、ICP刻蚀和制备电极得到氮化镓基蓝光、绿光和红光三色Micro‑LED像素阵列，然后将三种颜色的氮化镓基Micro‑LED设置在驱动基板上，实现氮化镓基全彩Micro‑LED显示模组，最后在氮化镓基全彩Micro‑LED上生长介质滤波膜，该介质滤波膜具有可以同时对氮化镓基红光Micro‑LED像素和氮化镓基绿光Micro‑LED像素发出来的光过滤，实现窄发光峰的红光和绿光，同时红光和和绿光发光稳定。本发明可以提高氮化镓基全彩Micro‑LED显示模组的色纯度及稳定性。
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公开(公告)号：CN117111420A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202311099718.6
申请日：2023-08-30
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种用于制备金属凸点的双层正性光刻胶剥离方法：S1，外延片清洗；S2，在外延片上旋涂底层的第一类型正性光刻胶；S3，软烘，对第一类型正性光刻胶进行固化；S4，在第一类型正性光刻胶表面旋涂顶层的第二类型正性光刻胶；S5，软烘，对第二类型正性光刻胶进行固化；S6，曝光，使用光刻机对双层光刻胶进行曝光；S7，后烘焙；S8，显影，使用碱性显影液对双层光刻胶进行显影；S9，金属沉积，使用金属沉积设备沉积金属膜；S10，使用光刻胶剥离液对双层光刻胶进行剥离；S11，在外延片表面制备得到金属凸点。本发明通过双层正性光刻胶实现Lift‑off工艺，解决了Micro‑LED微显示器件中小尺寸金属凸点难以制备的问题，可实现间距小且厚度高的金属凸点制备。
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公开(公告)号：CN116314481A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310130572.0
申请日：2023-02-17
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种RGB三色集成的Mini‑LED芯片及其制造方法、显示面板，该RGB三色集成的Mini‑LED芯片的制造方法包括刻蚀外延片获得分别含RGB三色的Mini‑LED阵列的外延片，在Mini‑LED阵列上制备P型反射电极层和第一粘结层，通过键合的方式依次将三种颜色的Mini‑LED阵列转移至支撑基板，沉积绝缘材料钝化侧壁并蒸发形成N型电极。本发明通过刻蚀一定厚度的硅衬底，在键合转移过程中，后转移的Mini‑LED阵列的硅衬底不会接触到已经转移的Mini‑LED阵列，实现大量Mini‑LED芯片的精准转移，有效解决键合转移过程中的对位精度和转移效率的问题。且在芯片制造过程中即可实现单个像素中RGB三色Mini‑LED芯片的集成，可简化后续的封装工艺，制程简单，降低了Mini‑LED的制造成本。
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公开(公告)号：CN118280818A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410410912.X
申请日：2024-04-08
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
IPC分类号： H01L21/033 , H01L21/027 , H01L21/3065
摘要： 本申请提供了一种复合掩膜刻蚀Si基GaN图形阵列结构的方法，涉及半导体器件制造领域。该复合掩膜刻蚀Si基GaN图形阵列结构的方法具体包括制备：提供Si基GaN外延片，在Si基GaN外延片上进行光刻，在待刻蚀区域表面形成光刻胶层；在所述光刻胶层和非刻蚀GaN窗口区域的表面制备复合掩膜层，复合掩膜层的层与层之间直接接触，制备过程连续；光刻后留下非刻蚀GaN窗口区域表面的复合掩膜层，利用所述复合掩膜层保护非刻蚀区域，将待刻蚀区域的GaN外延片刻蚀到指定深度获得Si基GaN图形阵列结构。本发明能够解决保持刻蚀深度的同时，控制掩膜厚度尽可能薄，提高掩膜图案精度。在刻蚀多种材料时无需要换用不同掩膜，从而减小刻蚀工艺难度及其复杂性，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN118053947A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410251588.1
申请日：2024-03-06
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
IPC分类号： H01L33/00
摘要： 本发明提供一种具有互锁结构的混合键合方法，所述方法包括：采用干法刻蚀工艺精准调节绝缘介质层的高度；引入牺牲层金属，于其中一侧待键合晶圆上制备金属/介质凹陷结构；另一侧待键合晶圆形成图形化金属焊盘，或制备金属/介质凸起结构；两侧晶圆对准热压，形成具有互锁结构的金属/介质混合键合。该方法中，绝缘介质的填充无需复杂的化学机械抛光（CMP）和光刻工艺，制备工艺简单、成本低，并且实现了键合点的自对准和滑移锁止，可大幅提升键合强度和良率，获得高可靠性的Micro‑LED器件。
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公开(公告)号：CN118867064A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410833996.8
申请日：2024-06-26
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
IPC分类号： H01L33/00 , H01L27/15 , H01L21/762
摘要： 本发明公开了一种氮化镓基Micro‑LED阵列隔离沟槽的制备方法，通过湿法刻蚀氮化镓外延层制备隔离沟槽，同时完成Micro‑LED阵列的图形化。通过在湿法刻蚀外延层前，对外延层的厚度、粗化效果进行控制等步骤实现高像素图形的隔离，实现提高Micro‑LED器件侧壁的平整度与光滑度的同时提升Micro‑LED阵列的均匀性。本发明在增大Micro‑LED器件均匀性与稳定性的同时制备隔离沟槽，不损伤Micro‑LED器件的其他金属结构，具有操作简单、侧壁损伤小、生产效率高、设备简单、无金属溅射等优点，实际应用价值高。
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公开(公告)号：CN118538835A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410713135.6
申请日：2024-06-04
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
IPC分类号： H01L33/00 , H01L25/075 , H01L33/62
摘要： 本发明公开了一种制备Micro‑LED发光模组的方法，包括以下步骤：S1在硅衬底外延层上整面沉积金属键合层；S2在CMOS基板上的驱动电极的表面制备金属键合单元；S3在金属键合单元的间隙填充第一隔离层；S4金属键合层与金属键合单元完成键合；S5去除硅衬底；S6对暴露出的外延层进行减薄或粗化；S7分割外延层形成芯片单元，芯片单元与金属键合单元一一对应；S8在所述芯片单元的侧壁制备钝化层；S9将所述金属键合层分割形成相互独立的金属单元，金属单元、芯片单元、金属键合单元和驱动电极构成像素单元；S10在所述像素单元的间隙填充第二隔离层；S11在所述像素单元和第二隔离层的上方生长透明导电薄膜或/和金属层作为N电极，获得Micro‑LED发光模组。
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公开(公告)号：CN117976794A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410076919.2
申请日：2024-01-19
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
摘要： 本发明公开了一种Micro LED的钝化层，所述Micro LED为具有金属反射镜的阵列结构，金属反射镜作用为改变出光路径，钝化层包覆金属反射镜并填充Micro LED阵列间沟槽，钝化层材料为有机物。本发明还公开了包含钝化层的Micro LED。有机物制备钝化层的过程处于常温、常压的大气环境中，最大程度的减小金属迁移及氧化现象；本发明公开的钝化层具有良好的绝缘性、热稳定性、粘结性、高透光率和较好的机械性能，适用于金属反射镜的隔离及绝缘钝化，提高器件可靠性。
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公开(公告)号：CN118782696A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410931016.8
申请日：2024-07-12
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
摘要： 本申请提供了一种基于硅衬底GaN基外延片制备Micro LED微显示模组的方法。所述方法包括：在硅衬底GaN基外延片上获得GaN阵列，在GaN阵列上制备金属凸点点阵，像素区以外制作四周环状金属，在金属凸点点阵的间隙，及四周环状金属以外的区域制备第一特种光刻胶层，制成硅衬底GaN基Micro LED芯片；在CMOS驱动基板上制备像素区金属凸点点阵，像素区以外的区域覆盖金属，在像素区金属凸点点阵的间隙制备第二特种光刻胶层；硅衬底GaN基Micro LED芯片与CMOS驱动基板对准键合；湿法去除芯片端的硅衬底；制备CMOS驱动基板的焊盘，制成Micro LED微显示模组。本发明采用湿法去除GaN基Micro LED芯片的硅衬底，保护CMOS驱动基板不受酸腐蚀液侵蚀，成本低，腐蚀速度快，可批量操作。
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