公开(公告)号：CN113445005B

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN202110555105.3

申请日：2021-05-21

申请人： 南昌大学 ,  南昌硅基半导体科技有限公司

发明人： 吴小明 ,  王子超 ,  陈芳 ,  王光绪 ,  陶喜霞

IPC分类号： C23C14/16 ,  C23C14/18 ,  C23C14/22

摘要： 本发明公开了一种低应力TiW薄膜的制备方法，它是在待沉积薄膜的基片上，小沉积速率下生长偏薄的种子薄膜层，大沉积速率下生长主要薄膜层，通过控制生长的厚度和速率，使得两层的薄膜达到最优结合，得到低应力的TiW薄膜。本发明在基片上分步沉积TiW薄膜，小沉积速率下生长的种子薄膜层致密度高，通过与基片原子相互融合获得具有高可靠性的界面；大沉积速率下生长的主要薄膜层，在种子层缓冲基础上生长的薄膜附着力增强，使得TiW薄膜厚度稳定、分布均匀，对基片的应力减弱、消散，使其变形量较小并得到低应力高质量的TiW薄膜的制备方法。本发明的TiW薄膜可以通过常用沉积方式进行制备，获得薄膜的稳定性高，膜层应力低，具有较好的可用及推广性。

公开(公告)号：CN113445005A

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN202110555105.3

申请日：2021-05-21

申请人： 南昌大学 ,  南昌硅基半导体科技有限公司

发明人： 吴小明 ,  王子超 ,  陈芳 ,  王光绪 ,  陶喜霞

IPC分类号： C23C14/16 ,  C23C14/18 ,  C23C14/22

摘要： 本发明公开了一种低应力TiW薄膜的制备方法，它是在待沉积薄膜的基片上，小沉积速率下生长偏薄的种子薄膜层，大沉积速率下生长主要薄膜层，通过控制生长的厚度和速率，使得两层的薄膜达到最优结合，得到低应力的TiW薄膜。本发明在基片上分步沉积TiW薄膜，小沉积速率下生长的种子薄膜层致密度高，通过与基片原子相互融合获得具有高可靠性的界面；大沉积速率下生长的主要薄膜层，在种子层缓冲基础上生长的薄膜附着力增强，使得TiW薄膜厚度稳定、分布均匀，对基片的应力减弱、消散，使其变形量较小并得到低应力高质量的TiW薄膜的制备方法。本发明的TiW薄膜可以通过常用沉积方式进行制备，获得薄膜的稳定性高，膜层应力低，具有较好的可用及推广性。