公开(公告)号：CN107546340A

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：CN201710736125.4

申请日：2017-08-24

Applicant: 南昌航空大学

Inventor： 李清华 ,  纪丽珊 ,  张虚谷 ,  蒋杰 ,  王凛烽 ,  张青松 ,  李丹阳 ,  裴名卿

IPC: H01L51/56 ,  H01L51/00

Abstract: 本发明提供了一种红光全无机杂化钙钛矿量子点墨水及其柔性发光二极管的制备方法，本发明将包括一种钙钛矿量子点墨水的制备，包括将PEDOT：PSS溶液通过旋涂均匀沉积到基底ITO表面，包括将Poly-TPD溶液通过旋涂沉积到沉积好的PEDOT：PSS薄膜表面，包括将红光全无机杂化钙钛矿量子点墨水通过喷墨印刷均匀沉积到沉积好的Poly-TPD薄膜表面，包括将配置好的ZnO溶液通过喷墨印刷的均匀沉积到沉积好的红光全无机杂化钙钛矿量子点薄膜表面，包括将Al通过蒸镀沉积到沉积好的ZnO薄膜表面，得到量子点发光二极管。本发明采用喷墨打印技术、蒸镀技术、旋涂技术实现量子点发光二极管的制备。

公开(公告)号：CN108034425A

公开(公告)日：2018-05-15

申请号：CN201711127352.3

申请日：2017-11-15

Applicant: 南昌航空大学

Inventor： 李凤 ,  张虚谷 ,  纪丽珊 ,  张之轩 ,  张青松 ,  王凛烽

IPC: C09K11/88 ,  C09K11/02 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L33/00 ,  H01L33/04

CPC classification number: Y02B20/181 ,  C09K11/883 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C09K11/025 ,  H01L33/005 ,  H01L33/04

Abstract: 本发明提供一种多层壳结构纳米棒及其制备方法，以及白光LED的制备。本发明采用阴阳离子交替注入法分步包裹无机壳层方式制备多层核壳结构量子点，有助于避免一次性加入过量的阴或者阳离子，导致产生的相应的不同价态的离子副产物，并且避免过量独立成核，实现对量子点尺寸的控制，提高粒径均匀性；本发明制备得到的多层壳结构纳米棒成晶效果好，稳定性好。本发明制备得到的量子点具有半峰宽窄，发光光谱对称，光学性质稳定，量子点产率高的优点，将其用于制备白光led，其色纯度高，稳定性好，几乎没有光衰。实施例的结果表明，本发明制备得到的量子点半峰宽窄，光谱对称，荧光产率达80%以上，白光led稳定性好且色纯度高CIR>90。

公开(公告)号：CN107611273A

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201710736849.9

申请日：2017-08-24

Applicant: 南昌航空大学

Inventor： 张芹 ,  顾小兵 ,  蒋杰 ,  金肖 ,  张青松

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/54 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明提供了一种无机氧化物量子点发光二极管及其制备方法。该无极氧化物量子点发光二极管包括相邻设置的阳极、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、阴极，其中空穴传输层和电子传输层均由无机半导体材料组成，对于所述空穴传输层的无机半导体材料可以通过调控退火温度控制其中的氧离子空位数量，少量的氧离子空位有类似于N型掺杂的效果，可以大幅度提高空穴的注入和传输。本发明使得量子点发光二极管能够长期稳定工作，改善了器件中空穴和电子的注入和传输速率，尤其是空穴的注入效率，平衡了电子和空穴的数量，提高了量子点发光二极管的外量子效率。

公开(公告)号：CN107706315A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201710736808.X

申请日：2017-08-24

Applicant: 南昌航空大学

Inventor： 张芹 ,  顾小兵 ,  蒋杰 ,  纪丽珊 ,  张虚谷 ,  王凛烽 ,  李丹阳 ,  张青松 ,  徐小均

IPC: H01L51/56 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L51/56 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/502

Abstract: 本发明提供了一种量子点发光二极管及其制备方法，本发明将包括掺杂少量钒的三氧化钼有机溶液、包括三苯基二胺聚合物的有机溶液、包括量子点的有机溶液和包括氧化锌的有机溶液通过匀胶机旋涂方法顺次在导电基底旋涂成膜，得到初级量子点发光二极管；在所述得到的量子点发光二极管非导电基底侧的表层沉积铝电极，得到量子点发光二极管。本发明采用掺杂少量钒的三氧化钼溶液作为空穴注入层实现量子点发光二极管发光效率的提高；并且本发明所使用的掺杂少量钒的三氧化钼溶液作为空穴注入层相比传统的空穴注入层材料（聚乙撑二氧噻吩和聚苯乙烯磺酸盐的混合有机溶剂），具有价格便宜，透光率更好等特点。

公开(公告)号：CN206193419U

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201621105985.5

申请日：2016-10-09

Applicant: 南昌航空大学

Inventor： 陈文勇 ,  蔡金甫 ,  张寒香 ,  张青松 ,  钟小怡 ,  刘佳维 ,  胡涛

IPC: G02F2/00

Abstract: 本实用新型涉及一种InS@ZnS量子点的全光波长转换器，包括激光器、第一光连接器、InS@ZnS量子点材料、TiO2胶体、第二光连接器和光谱仪；激光器的输出端通过第一光纤与第一光连接器的输入端连接；第一光连接器的输出端与量子点材料的输入端连接；InS@ZnS量子点材料的输出端与第二光连接器的输入端连接；第二光连接器的输出端通过第二光纤与光谱仪的输入端连接。本实用新型利用量子点材料的宽吸收谱、窄发射谱，光电转化效率搞等的特点来实现光波长转换效率高，稳定性好。