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公开(公告)号：CN116505908A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310463272.4
申请日：2023-04-26
申请人： 南通大学
摘要： 本申请属于射频MEMS器件领域，涉及一种横向激励的体声波谐振器。包括：压电层结构；顶部叉指双电极结构，配置于压电层结构的上表面；衬底；介质层结构，位于压电层结构与衬底之间；空腔结构，位于压电层结构下方。本申请的横向激励的体声波谐振器，采用叉指双电极结构能够实现高品质因数(Q)、高机电耦合系数(kt2)和抑制寄生模态、提高频谱光滑度的效果，并且其形成的滤波器具有大带宽、低损耗、低功耗以及陡峭的滚降，具有重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN116614107A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310569824.X
申请日：2023-05-19
申请人： 南通大学
摘要： 本申请属于射频MEMS器件领域，涉及一种基于氮化铝压电薄膜的双模谐振器及双通带滤波器。本发明提供基于掺钪氮化铝(Al0.6Sc0.4N)双模谐振器分为第一区域和第二区域，模态1和模态2分别设置于第一区域和第二区域，包括压电振动结构、配置于压电振动结构上表面的顶部叉指电极、配置于压电振动结构下表面的底部叉指电极，第一区域与第二区域间配置用于抑制不同模态间的相互干扰的声学隔绝槽。本发明申请的掺钪氮化铝压电薄膜谐振器，两个工作模态均具有相近且较高的品质因数和有效机电耦合系数，并具备无寄生模态的特点，能够在互不干扰的条件下实现对其两个模态的频率调节以构成双通带声学滤波器。
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公开(公告)号：CN115955207A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202211623370.1
申请日：2022-12-16
申请人： 南通大学
摘要： 本申请属于射频MEMS器件领域，公开了一种基于铌酸锂单晶薄膜的反对称模态谐振器及制备方法。本发明提供的反对称模态谐振器，包括压电振动结构、配置于压电振动结构上表面的顶部电极、衬底及位于压电振动结构与衬底之间的介质层，衬底与介质层配置用于释放压电振动结构的释放腔。本发明申请的铌酸锂单晶薄膜反对称模态谐振器，具有高机电耦合系数和无杂散模态的特点，能够实现高频、大带宽且极小带内纹波的滤波器。
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公开(公告)号：CN118300593A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410462392.7
申请日：2024-04-17
申请人： 南通大学
摘要： 本申请属于射频MEMS器件领域，涉及一种近零功率的微机械光开关。包括：驱动结构；悬臂结构；支撑结构和底电极结构。本专利申请的近零功率微机械光开关改变悬臂的高低热膨胀系数材料的排列位置，使悬臂的驱动的方式发生改变，平衡了驱动结构热膨胀对悬臂驱动的影响。左端闭合的方式，也让悬臂与驱动结构的连接点到开关左端闭合点之间形成力臂，提高了悬臂产生机械位移的利用率，降低了所需的阈值功率。所述驱动结构采用对称堆叠方式，平衡了由材料热膨胀导致的顶电极的应力弯曲，提升了顶电极的平整度，提高光开光闭合的准确性。实现具有高探测率和高响应率的近零功率微机械光开关。对于无线传感网络的发展，具有重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN117938108A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202311855366.2
申请日：2023-12-29
申请人： 南通大学
摘要： 本申请属于射频MEMS器件领域，涉及一种具有声学减速带结构的Lamb波谐振器。本发明提供的Lamb波谐振器，包括压电振动结构、配置于压电振动结构上表面的顶部叉指电极、配置于压电振动结构下表面的底部叉指电极、配置于顶部叉指电极Bus区域上表面的声学减速带结构。本发明申请的具有声学减速带结构的Lamb波谐振器，具有高品质因数、高有效机电耦合系数的特点，能够实现大带宽且显著抑制带内纹波的滤波器。
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公开(公告)号：CN117060878A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202310885482.2
申请日：2023-07-19
申请人： 南通大学
摘要： 本申请属于射频微机电系统器件领域，涉及一种横向振动的水平剪切波谐振器。本发明提供的横向振动的水平剪切波谐振器，自底向上依次包括衬底、介质层、压电层与顶层金属，顶层金属中电极采用两个边缘电极与叉指电极结合的形式。此外，通过优化声波的传播角度可以减小杂散模态的机电耦合系数，从而达到抑制杂散模态的效果。本发明申请的横向振动的水平剪切波模态谐振器在100MHz～600MHz频率范围内具有高机电耦合系数和杂散模态少的性能特征，为构建大带宽、低损耗的滤波器和低相位噪声的振荡器奠定基础，在射频前端中具有良好的应用前景。
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