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公开(公告)号：CN119401973A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411510827.7
申请日：2024-10-28
Applicant: 南通大学
Abstract: 本申请的实施例提供了一种高阶模态兰姆波谐振器及其制备方法，属于射频MEMS器件领域。所述高阶模态兰姆波谐振器包括：衬底，所述衬底的上表面中央设置有释放腔；压电振动结构，悬浮在所述释放腔中；顶部插指电极，布置在所述压电振动结构的上表面上，并且包括主体电极和连接主体电极的bus区域；底部平板电极，布置在所述压电振动结构的下表面上，其中，所述bus区域设置有空槽结构，用于抑制横向杂散模态。本发明的无杂散的高阶模态兰姆波谐振器，具有无杂散和高频率的特点。
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公开(公告)号：CN118960612A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411121188.5
申请日：2024-08-15
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明提供了一种基于四芯光纤的曲率光纤传感器及制备方法，属于光纤传感技术领域。解决了传统马赫曾德尔干涉仪传感器中较长的光纤受外界因素干扰灵敏度较低的技术问题。由宽带光源、第一个单模光纤、第一个耦合点、微双臂结构、第二个耦合点、第二个单模光纤、光谱仪依次连接而成；制备方法：将单模光纤与无芯光纤和四芯光纤直接熔接，形成单模光纤‑无芯光纤‑四芯光纤‑无芯光纤‑单模光纤在线型马赫曾德尔干涉仪对称结构；将一段去除涂覆层的单模光纤与上述对称结构中的单模光纤平行放置在熔接机中心，放电两次后使两根光纤熔接耦合，形成两个耦合点间距离为8cm。本发明的有益效果为：四芯光纤具有多个纤芯均匀分布的结构特点。
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公开(公告)号：CN118890025A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202411092501.7
申请日：2024-08-09
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明的实施例提供一种横向激励体声波谐振器及其制备方法，属于射频MEMS器件领域。所述横向激励体声波谐振器包括：衬底；压电层，所述压电层位于衬底上；空腔结构，所述空腔结构设置成从衬底的上表面向下的释放腔并且所述释放腔的顶部由压电层覆盖；声学散射阵列，所述声学散射阵列设置成贯穿所述压电层的成阵列形式排布的多个孔。在本发明的实施例中，通过在横向激励体声波谐振器中设置声学散射阵列，可以达到抑制杂散模态的目的，从而具有杂散模态少的性能特点，能够实现高频、大带宽且极小带内纹波的滤波器。
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公开(公告)号：CN114297983B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202210027770.X
申请日：2022-01-11
Applicant: 南通大学 , 苏州锐杰微科技集团有限公司
IPC: G06F30/398 , G06F30/394 , G06F115/12
Abstract: 本发明公开一种优化通信功耗的2.5D chiplet排布方法，步骤包括根据每个chiplet之间的比例关系以及排布间距确定每个chiplet的尺寸理论值；根据全部chiplet的尺寸理论值确定拓扑结构的大小，并将拓扑结构划分为若干个相等尺寸的第一单位格；根据待映射排布的chiplet的通信数据量的大小从大到小依次确认待映射排布的chiplet在拓扑结构上的未确认有chiplet的映射排布位置的第一单位格上的映射排布位置，形成映射排布方式；计算每一个映射排布方式的总体通信能耗；选择总体通信能耗的最小值对应的映射排布方式作为最终映射排布方式。本申请能够实现映射排布在2.5D集成中硅载板上的chiplet之间通信能耗达到最小并减小拓扑结构的面积，有效解决2.5D集成功耗和散热方面的问题，并有效降低成本。
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公开(公告)号：CN116667810A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310470060.9
申请日：2023-04-27
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明属于射频微机电系统(MEMS)器件领域，涉及一种高频兰姆(Lamb)波谐振器及制备方法。本发明提供的Lamb波谐振器，包括具有中部内凹的释放腔且上表面沉积有释放保护层的衬底、上表面为顶部电极结构且下表面为底部电极结构的压电振动结构以及设置于所述电极结构四周的焊盘。本发明申请的高频Lamb波谐振器，通过优化工艺形成边缘剪切角趋近60°的底部低阻硅电极以高质量生长压电振动结构，提高了谐振器的Q值从而使器件的性能得到提升。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114297983A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202210027770.X
申请日：2022-01-11
Applicant: 南通大学 , 苏州锐杰微科技集团有限公司
IPC: G06F30/398 , G06F30/394 , G06F115/12
Abstract: 本发明公开一种优化通信功耗的2.5D chiplet排布方法，步骤包括根据每个chiplet之间的比例关系以及排布间距确定每个chiplet的尺寸理论值；根据全部chiplet的尺寸理论值确定拓扑结构的大小，并将拓扑结构划分为若干个相等尺寸的第一单位格；根据待映射排布的chiplet的通信数据量的大小从大到小依次确认待映射排布的chiplet在拓扑结构上的未确认有chiplet的映射排布位置的第一单位格上的映射排布位置，形成映射排布方式；计算每一个映射排布方式的总体通信能耗；选择总体通信能耗的最小值对应的映射排布方式作为最终映射排布方式。本申请能够实现映射排布在2.5D集成中硅载板上的chiplet之间通信能耗达到最小并减小拓扑结构的面积，有效解决2.5D集成功耗和散热方面的问题，并有效降低成本。
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公开(公告)号：CN119828291A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202510041749.9
申请日：2025-01-10
Applicant: 南通大学
IPC: G02B6/255
Abstract: 本发明公开了一种反谐振空芯光纤与单模光纤的耦合结构及耦合方法，属于光纤耦合技术领域；其技术方案为：一种反谐振空芯光纤与单模光纤的耦合结构，其特征在于，包括宽带光源、单模光纤一、反谐振空芯光纤、锥形无芯光纤、锥形单模光纤、单模光纤二、光谱仪。本发明的有益效果是：通过调整锥形无芯光纤的参数将反谐振空芯光纤出射的光聚焦到锥形单模光纤内，从而实现单模光纤和反谐振空芯光纤模场直径匹配。仿真和实验结果表明，相比于传统的锥形单模光纤和反谐振空芯光纤的耦合，在锥形单模光纤尖端熔接锥形无芯光纤后显著提高了耦合效率。
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公开(公告)号：CN116505908A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310463272.4
申请日：2023-04-26
Applicant: 南通大学
Abstract: 本申请属于射频MEMS器件领域，涉及一种横向激励的体声波谐振器。包括：压电层结构；顶部叉指双电极结构，配置于压电层结构的上表面；衬底；介质层结构，位于压电层结构与衬底之间；空腔结构，位于压电层结构下方。本申请的横向激励的体声波谐振器，采用叉指双电极结构能够实现高品质因数(Q)、高机电耦合系数(kt2)和抑制寄生模态、提高频谱光滑度的效果，并且其形成的滤波器具有大带宽、低损耗、低功耗以及陡峭的滚降，具有重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN113381720A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110740039.7
申请日：2021-06-29
Applicant: 南通大学
Abstract: 本申请公开了一种二维模态兰姆波谐振结构、包含其的兰姆波谐振器及其制备方法，该二维模态兰姆波谐振结构包括压电振动层，位于压电振动层上表面的梳齿电极，及位于压电振动层下表面的底部金属电极；所述压电振动层的两个横向边界均超出底部金属电极的两个横向边界，压电振动层每侧的横向边界超出该侧的底部金属电极的横向边界的距离用外延边界距离d表示，d为2‑2.1倍的电极周期间距p。本申请提供的二维模态兰姆波谐振结构以及包含其的兰姆波谐振器，通过优化设计压电振动层的两个横向边界超出底部金属电极的两个横向边界的距离，有效解耦了主模外其余的兰姆波振动模态，因此有效的抑制杂散模态，提升了谐振器性能。
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公开(公告)号：CN110970390B
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201911276819.X
申请日：2019-12-12
Applicant: 南通大学
IPC: H01L23/498 , H05K1/11 , G06F30/398 , G06F113/18 , G06F119/04 , G06F119/08
Abstract: 本发明型提供一种微细间距铜柱晶圆级封装结构，包括：印刷电路板；焊盘，设于所述印刷电路板上；焊点，设于所述焊盘上；铜柱，设于所述焊点上；重分布层，设于所述铜柱上；钝化层，设于所述重分布层上；低介电常数层，设于所述钝化层上；芯片，设于所述低介电常数层上。通过确定封装中关键结构参数以及焊料材料属性，通过不同的因素组合对封装结构进行系统性分析，最终获得最佳的设计方案，以提高热疲劳寿命。
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