公开(公告)号：CN116463611B

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202310476095.3

申请日：2023-04-28

Applicant: 南通大学

Inventor： 孟雨欣 ,  余晨辉 ,  成田恬 ,  王奕锦 ,  罗向东 ,  罗曼

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/26 ,  C23C16/44 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种纯纤锌矿晶相的砷化铟纳米线或二维层状结构的制备方法，制备砷化铟衬底层；采用金刚石纳米颗粒制备所需尺寸的石墨烯纳米管，将制得的石墨烯纳米管纵向放置在衬底层上，并在衬底层上沉积银作为催化剂；将石墨烯纳米管和衬底层快速转移到MBE反应器的加载室中，开始催化制备砷化铟纳米线；砷化铟分子沿着石墨烯纳米管内壁径向生长，控制砷化铟分子的生长时间，即可制得含有砷化铟纳米线或二维层状结构的石墨烯纳米管；将处理后的石墨烯纳米管经过热处理，得到沿纵轴打开的石墨烯纳米管，分离获得纯纤锌矿晶相的砷化铟纳米线或二维层状结构。本发明的制备方法可高效制备性能更佳的砷化铟纳米线或二维层状结构，降低生产成本。

公开(公告)号：CN116463611A

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN202310476095.3

申请日：2023-04-28

Applicant: 南通大学

Inventor： 孟雨欣 ,  余晨辉 ,  成田恬 ,  王奕锦 ,  罗向东 ,  罗曼

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/26 ,  C23C16/44 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种纯纤锌矿晶相的砷化铟纳米线或二维层状结构的制备方法，制备砷化铟衬底层；采用金刚石纳米颗粒制备所需尺寸的石墨烯纳米管，将制得的石墨烯纳米管纵向放置在衬底层上，并在衬底层上沉积银作为催化剂；将石墨烯纳米管和衬底层快速转移到MBE反应器的加载室中，开始催化制备砷化铟纳米线；砷化铟分子沿着石墨烯纳米管内壁径向生长，控制砷化铟分子的生长时间，即可制得含有砷化铟纳米线或二维层状结构的石墨烯纳米管；将处理后的石墨烯纳米管经过热处理，得到沿纵轴打开的石墨烯纳米管，分离获得纯纤锌矿晶相的砷化铟纳米线或二维层状结构。本发明的制备方法可高效制备性能更佳的砷化铟纳米线或二维层状结构，降低生产成本。

公开(公告)号：CN116564968A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202310555610.7

申请日：2023-05-17

Applicant: 南通大学

Inventor： 余晨辉 ,  王鑫 ,  祖源泽 ,  孟雨欣 ,  罗曼

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/423 ,  H01L29/778 ,  H01L21/8252 ,  H01L29/51

Abstract: 本发明公开了一种新型氮化镓共源共栅开关器件及其制备方法，包括增强型InAs HEMT和耗尽型GaN HEMT，所述增强型InAs HEMT的漏极与耗尽型GaN HEMT的源极电连接；所述增强型InAs HEMT的源极与耗尽型GaN HEMT的栅极电连接，且与外接电路连接；所述耗尽型GaN HEMT的漏极与外接电路连接；所述增强型InAs HEMT的栅极与外加栅压电路连接；其中，所述增强型InAs HEMT的阈值电压高于2.0 V。本发明将改进的增强型InAs HEMT应用于氮化镓共源共栅开关器件，通过提高增强型InAs HEMT阈值电压，从而可提高氮化镓共源共栅开关器件的开关效率。

公开(公告)号：CN115659545A

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202211366861.2

申请日：2022-11-02

Applicant: 南通大学

Inventor： 孟雨欣 ,  罗曼 ,  成田恬 ,  罗向东 ,  余晨辉

IPC: G06F30/17 ,  G06F30/20 ,  G06F17/10

Abstract: 本发明公开了一种基于类费米函数的SiC功率二极管的设计与优化方法，其中该类费米函数由结个数参量与结中心位置参量控制。本发明通过改变结个数参量的大小实现对单结、双结、三结SiC功率二极管JTE结构的变换，通过改变结中心位置参量的大小实现JTE结中心位置的移动和JTE长度的变化，可改进器件JTE结构传统设计方法中所存在的变量多和计算量大的缺点，用于提高具有理想击穿电压的SiC功率二极管结构的设计效率。在类费米函数的作用下，对不同长度和不同掺杂浓度的单、双、三结JTE结构进行扫描式仿真，得到器件击穿电压以结个数参量、结中心位置参量为坐标的二维图，即可找到最大理想击穿电压点所对应二极管作为设计最优解。