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发明公开
高阶模态兰姆波谐振器及其制备方法审中-实审

公开(公告)号：CN119401973A

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202411510827.7

申请日：2024-10-28

Applicant: 南通大学

Inventor： 赵继聪 , 叶文淏 , 张煜昕 , 孙海燕 , 吕世涛 , 孙泽鑫

IPC: H03H9/17 , H03H9/13 , H03H9/02 , H03H3/02

Abstract: 本申请的实施例提供了一种高阶模态兰姆波谐振器及其制备方法，属于射频MEMS器件领域。所述高阶模态兰姆波谐振器包括：衬底，所述衬底的上表面中央设置有释放腔；压电振动结构，悬浮在所述释放腔中；顶部插指电极，布置在所述压电振动结构的上表面上，并且包括主体电极和连接主体电极的bus区域；底部平板电极，布置在所述压电振动结构的下表面上，其中，所述bus区域设置有空槽结构，用于抑制横向杂散模态。本发明的无杂散的高阶模态兰姆波谐振器，具有无杂散和高频率的特点。

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