公开(公告)号：CN101535442B

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN200780040805.7

申请日：2007-11-01

申请人： 卡伯特微电子公司

发明人： 弗拉斯塔·布鲁西克 ,  周仁杰 ,  克里斯托弗·汤普森 ,  保罗·菲尼

IPC分类号： C09K3/14

CPC分类号： C09K3/1409 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1436 ,  C09K3/1463

摘要： 本发明提供一种用于抛光基材的化学机械抛光组合物。该抛光组合物包含研磨剂、氧化剂、两亲性非离子型表面活性剂、钙离子或镁离子、铜腐蚀抑制剂及水，其中该抛光组合物的pH值为6至12。本发明进一步提供用上述抛光组合物对基材进行化学机械抛光的方法。

公开(公告)号：CN101535442A

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200780040805.7

申请日：2007-11-01

申请人： 卡伯特微电子公司

发明人： 弗拉斯塔·布鲁西克 ,  周仁杰 ,  克里斯托弗·汤普森 ,  保罗·菲尼

IPC分类号： C09K3/14

CPC分类号： C09K3/1409 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1436 ,  C09K3/1463

摘要： 本发明提供一种用于抛光基材的化学机械抛光组合物。该抛光组合物包含研磨剂、氧化剂、两亲性非离子型表面活性剂、钙离子或镁离子、铜腐蚀抑制剂及水，其中该抛光组合物的pH值为6至12。本发明进一步提供用上述抛光组合物对基材进行化学机械抛光的方法。

公开(公告)号：CN101978019B

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN200980110032.4

申请日：2009-03-13

申请人： 卡伯特微电子公司

发明人： 弗拉斯塔·布鲁西克 ,  克里斯托弗·汤普森 ,  杰弗里·戴萨德

IPC分类号： C09K3/14

CPC分类号： H01L21/30625 ,  B24B37/044 ,  B24D3/00 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1436 ,  C09K3/1463 ,  C23F3/03 ,  C23F3/06

摘要： 本发明提供用于平坦化或抛光基材的组合物和方法。该组合物包含：由任选地经聚合物处理的氧化铝颗粒组成的研磨剂、α-羟基羧酸、使至少一种金属氧化的氧化剂、聚丙烯酸、任选的含钙化合物、任选的杀生物剂、任选的pH调节剂和水。该方法使用该组合物对基材进行化学机械抛光。

公开(公告)号：CN101296780B

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN200680039784.2

申请日：2006-10-12

申请人： 卡伯特微电子公司

发明人： 克里斯托弗·汤普森 ,  弗拉斯塔·布鲁西克 ,  周仁杰

IPC分类号： B24B3/06 ,  B24B37/04 ,  H01L21/304

CPC分类号： H01L21/3212 ,  C09G1/02 ,  C23F3/04

摘要： 本发明提供一种化学机械抛光基板的方法。使包含钌及铜的基板与包含抛光组件、过氧化氢、有机酸、至少一种包含至少一个氮原子的杂环化合物及水的化学机械抛光系统接触。使该抛光组件相对于该基板移动，且研磨该基板的至少一部分以抛光该基板。该抛光系统的pH值为6至12，钌与铜电接触，且在该抛光系统中，铜的开路电位与钌的开路电位之差为50mV或更低。

公开(公告)号：CN1753961B

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN200480005222.7

申请日：2004-02-19

申请人： 卡伯特微电子公司

发明人： 弗朗西斯科·德里格西索罗 ,  弗拉斯塔·布鲁西克 ,  本杰明·P·拜尔

IPC分类号： C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  H01L21/768 ,  H01L21/321

CPC分类号： B24B37/044 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  C23F3/04 ,  C23F3/06 ,  H01L21/3212 ,  H01L28/65

摘要： 本发明提供一种抛光含有贵金属的基底的方法，其包括(i)将基底与CMP体系相接触和(ii)研磨至少一部分基底以抛光该基底。该CMP体系含有研磨剂和/或抛光垫、液体载体、和磺酸化合物。

公开(公告)号：CN101553550B

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN200780045436.0

申请日：2007-12-04

申请人： 卡伯特微电子公司

发明人： 弗拉斯塔·布鲁西克 ,  周仁杰 ,  保罗·菲尼 ,  克里斯托弗·汤普森

IPC分类号： C09K3/14

CPC分类号： H01L21/3212 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1436 ,  C09K3/1463

摘要： 本发明提供用于抛光基板的化学机械抛光组合物。该抛光组合物包含氧化剂、钙离子、有机羧酸及水，其中该抛光组合物具有1.5至7的pH值。本发明进一步提供一种利用上述抛光组合物对基板进行化学机械抛光的方法。

公开(公告)号：CN101553550A

公开(公告)日：2009-10-07

申请号：CN200780045436.0

申请日：2007-12-04

申请人： 卡伯特微电子公司

发明人： 弗拉斯塔·布鲁西克 ,  周仁杰 ,  保罗·菲尼 ,  克里斯托弗·汤普森

IPC分类号： C09K3/14

CPC分类号： H01L21/3212 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1436 ,  C09K3/1463

摘要： 本发明提供用于抛光基板的化学机械抛光组合物。该抛光组合物包含氧化剂、钙离子、有机羧酸及水，其中该抛光组合物具有1.5至7的pH值。本发明进一步提供一种利用上述抛光组合物对基板进行化学机械抛光的方法。

公开(公告)号：CN101218378A

公开(公告)日：2008-07-09

申请号：CN200680021023.4

申请日：2006-06-06

申请人： 卡伯特微电子公司

发明人： 保罗·菲尼 ,  弗拉斯塔·布鲁西克

IPC分类号： C25F3/02

CPC分类号： C25F3/02 ,  B23H5/08 ,  C25D5/34 ,  C25D5/48 ,  C25D7/12 ,  H01L21/32125

摘要： 本发明涉及一种通过在与包含还原剂或氧化剂的抛光组合物接触的基底和至少一个电极之间施加电化学电势来抛光含有至少一层金属层的基底的方法。

公开(公告)号：CN1556840A

公开(公告)日：2004-12-22

申请号：CN02818538.2

申请日：2002-09-06

申请人： 卡伯特微电子公司

发明人： 凯文·J·莫根伯格 ,  弗拉斯塔·布鲁西克 ,  艾萨克·K·彻里安

IPC分类号： C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  H01L21/321

CPC分类号： H01L21/3212 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463

摘要： 本发明提供一种使用化学－机械抛光系统抛光具有金属层的基片的方法。化学－机械抛光系统包含研磨剂及/或抛光垫、稀土盐、比稀土盐更强的氧化剂以及液态载体。

公开(公告)号：CN1906262B

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN200580001954.3

申请日：2005-01-05

申请人： 卡伯特微电子公司

发明人： 弗朗西斯科·德里格蒂索罗 ,  弗拉斯塔·布鲁西克 ,  本杰明·P·拜尔

IPC分类号： C09G1/02 ,  H01L21/321 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/3212

摘要： 本发明提供用于抛光包含氧化形式的金属的基板的方法，该方法包括以下步骤：(a)提供包含氧化形式的金属的基板；(b)将一部分该基板与化学机械抛光体系接触，其中该化学机械抛光体系包括：(i)抛光成分、(ii)还原剂及(iii)液体载体；以及(c)研磨至少一部分氧化形式的金属以抛光该基板。该还原剂可以选自3-羟基-4-吡喃酮、α-羟基-γ-丁内酯、抗坏血酸、硼烷、硼氢化物、二烷基胺硼烷、甲醛、甲酸、氢、氢醌、羟胺、次磷酸、亚磷酸、具有标准氧化还原电位小于氧化形式的金属的标准氧化还原电位的金属或氧化态金属离子、三羟基苯、溶剂化电子、亚硫酸、其盐及其混合物。