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公开(公告)号：CN102754259B
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201180008938.2
申请日：2011-02-11
申请人： 华盛顿州立大学
IPC分类号： H01M4/78
CPC分类号： H01M4/0452 , C25D3/30 , C25D5/18 , C25D5/34 , C25D7/0614 , C25D21/02 , C25D21/10 , C25D21/12 , C25D21/14 , H01M4/0461 , H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M4/387 , H01M4/661 , H01M4/75 , H01M4/80 , H01M10/0525 , H01M2004/027 , Y02E60/122
摘要： 本文公开了一些实施方案，其涉及具有纳米结构体电极的锂离子电池、这种纳米结构体的组成、以及制造这种电极的相关方法。在一个实施方案中，用于制备适用于锂离子电池的阳极的方法包括准备基底材料表面和通过不使用模板的电沉积，在所述基底材料表面上形成多个导电的纳米结构体。
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公开(公告)号：CN109550910A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201710876109.5
申请日：2017-09-25
申请人： 上海宝钢工业技术服务有限公司
IPC分类号： B22D11/057 , C25D3/56 , C25D5/34 , C25D5/48
CPC分类号： B22D11/057 , C25D3/562 , C25D5/34 , C25D5/48
摘要： 本发明公开了一种倒角结晶器窄面铜板的修复方法，本方法首先对窄面铜板的正面和侧面进行磨削，去除失效镀层；将窄面铜板浸入特制电镀液中进行电镀层镀覆，得到钴基合金电镀层；对窄面铜板的侧面进行磨削并留0.5mm余量；采用铣床对窄面铜板的正面进行铣削，按窄面铜板的前段、中段和后段分别铣削电镀层厚度，并且后段倒角面电镀层为与后段平面电镀层衔接的梯度镀层；对窄面铜板的侧面进行磨削去除余量，完成倒角结晶器窄面铜板的修复。本方法采用高硬度耐磨损的电镀钴基合金技术和针对倒角结晶器铜板的镀层设计，能够针对性预防易磨损区域的失效形式，有效提高倒角结晶器窄面铜板的使用寿命。
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公开(公告)号：CN109504990A
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201811510123.4
申请日：2018-12-11
申请人： 湖北工程学院
摘要： 本发明提供了一种近中性电刷镀镀银液，按照质量浓度计，包括以下组分：硝酸银20-45g/L、焦磷酸钾90-150g/L、甲基磺酸6-12g/L、咪唑15-30g/L、硝酸铵25-40g/L、硫酸铵25-35g/L、NH3·H2O 15-27.5g/L。还包括复配添加剂，所述复配添加剂为聚乙二醇15-25份、乙二胺25-40份、脂肪醇聚氧乙烯醚8-12份、2-巯基苯并噻唑0.25-0.475份、乙醇40-52份、去离子水25-40份。本申请的电刷镀镀银液具有化学性质稳定、无毒环保等优点，能够在铜基材料表面形成电化学性能优异、结构均匀、致密、附着力强的镀银金属层，其操作简单便捷、成本较低，适合大规模工业应用。另外，本发明还提供了所述近中性电刷镀镀银液的制备方法和使用方法。
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公开(公告)号：CN109267115A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201811268269.2
申请日：2018-10-29
申请人： 江西凤凰光学科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种铜质零部件镀镍方法，在阴极电解除油后增加一道阳极电解除油，有效的解决了高要求电镀件卡口表面花斑的发生几率。将传统的双层镍(瓦特镍+亮镍)更改为单层亮镍，以一个工艺槽达到要求的外观及性能要求，采用单层镍的电镀方式，消除双层镍之间存在的结合率问题，从而提高高要求外观件的合格率，使0级外观要求的铜卡口镍镀层合格率显著提高，按照索尼的外观0级要求能达到90％以上。
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公开(公告)号：CN108823616A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201810910988.3
申请日：2018-08-10
申请人： 四川海英电子科技有限公司
发明人： 卢小燕
摘要： 本发明公开了一种高阶高密度电路板镀铜的工艺，S3、镀铜：将待镀电路板放入镀槽中，控制镀槽内温度在30℃～40℃之间，电镀电流为1.2A/dm2～3A/dm2之间，电镀时间为10min～20min；S4、步骤S3结束后用风机将附着于电路板表面上的电镀液吹下，落下的电镀液又进入镀槽中，从而节省了电镀液；S5、步骤S4结束后，工人在电路板表面上喷洒光亮剂，以使电路板表面更加光洁美观，在喷洒光亮剂过程中，确保光亮剂均匀涂抹到电路板的表面上。本发明的有益效果是：节省蚀刻成本、循环利用电镀液、镀铜质量高。
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公开(公告)号：CN108677228A
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201810588410.0
申请日：2018-06-08
申请人： 湖南东谷云商集团有限公司
摘要： 本发明属于白银表面处理领域，具体涉及一种白银防暗化变黑的涂敷工艺。该工艺包括以下步骤：(1)白银样品表面预处理；(2)对样品进行表面机械研磨处理；(3)退火处理，得到表面纳米化的白银样品基体；(4)电镀；(5)向镀钯后的白银样品进行后处理后，向其表面喷涂纳米二氧化硅液，红外烘干即可。该工艺不但能够有效阻止白银暗化变黑，还提高了白银制品的耐磨性、且镀层不容易磨损和脱落。
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公开(公告)号：CN108588797A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810347630.4
申请日：2018-04-18
申请人： 安徽永晶金属科技有限公司
发明人： 潘胜勇
摘要： 本发明公开了一种金刚砂磨针的制备方法，该金刚砂磨针的制备方法包括超声波清洗、一次冲洗、一次电解除油、二次冲洗、盐酸除锈、一道纯水浸洗、硫酸活化、二道纯水浸洗、烘干、预镀镍、装夹、装管、上砂、加厚、卸夹、光亮镀镍、封闭共计17个工艺步骤，通过超声波清洗、盐酸除锈能将磨针在机械加工时沾染的油污去除，通过在硫酸活化后的磨针上预镀一层镍，使得金刚砂与磨针的结合了更加紧密，通过加厚处理，使得吸附在磨针上的金刚砂外层再附着一层镍，极大提高了结合强度，同时，采用将磨针插入金刚砂进行上砂，磨针与金刚砂接触充分均匀，提高电镀质量。
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公开(公告)号：CN108350595A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201680067135.7
申请日：2016-11-16
发明人： 朱利恩·古尔特·桑塔纳赫 , 艾伦·维奥拉 , 法布里斯·克拉布斯
CPC分类号： C25D3/06 , B32B15/04 , B32B15/16 , B32B33/00 , C22C3/00 , C25D5/34 , C25D5/50 , C25D7/008 , C25D15/00
摘要： 本发明涉及一种飞机发动机部件(1)，该部件包括至少一个金属基底(2)和存在于该基底上的防腐蚀涂层(3)，所述涂层包括至少一个相(4)，所述相包含原子含量大于或等于45％的铬和原子含量在5％至20％范围内的碳，所述相包含Cr7C3和Cr23C6碳化铬。本发明还涉及一种制造该部件的方法，其中通过电镀在部件上沉积涂层组合物，并且该部件在250℃至700℃范围内的温度下热处理。
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公开(公告)号：CN108339199A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201711457368.0
申请日：2017-12-28
申请人： 贺利氏德国有限责任两合公司
CPC分类号： H05K5/0247 , A61N1/3754 , C25D3/48 , C25D5/34 , C25D7/00 , C25D17/12 , H05K5/0095
摘要： 本发明涉及一种用于可植入医疗装置的电气套管，其包括电绝缘基体和导电元件，其中导电元件包括金属陶瓷，并且其中基体和导电元件通过物质-物质烧结结合而连接，使得导电元件相对于基体被气密地密封；所述导电元件从所述基体的第一表面穿过所述基体延伸到所述基体的第二表面，其中所述导电元件具有在基体的第一表面内的第一导电区域和在基体的第二表面内的第二导电区域，并且导电区域中的至少一个至少部分地由包括金属的层状接触元件叠加，从而导电元件可以通过接触元件以导电方式连接。根据本发明，接触元件是电化学产生的层，并且接触元件具有多孔结构，其中接触元件的孔隙率不超过20％。
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公开(公告)号：CN105937043B
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201610124296.7
申请日：2016-03-04
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： C25D3/38 , C25D7/12 , H01L21/768
CPC分类号： C25D7/123 , C25D3/38 , C25D5/34 , C25D17/001 , H01L21/2885 , H01L21/76861 , H01L21/76873 , H01L21/76877 , H01L21/76879 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L23/53238
摘要： 本发明涉及用于将铜电沉积到硅通孔内的镍和钴衬垫的预处理。在将铜电沉积到含镍和/或含钴籽晶层上之前，通过使所述籽晶层与预润湿液体接触而对半导体晶片进行预处理，所述预润湿液体包含浓度为至少约10克/升，优选至少约30克/升的铜离子，和电镀抑制剂，例如聚亚烷基二醇类化合物。这种预处理对于具有一个或多个大型凹陷特征(例如穿硅通孔(TSV))的晶片是特别有用的。预润湿液体优选在与晶片衬底接触前脱气。预处理优选在低于大气压的压强下进行以防止在特征中气泡的形成。在对晶片进行预处理后，从电镀溶液(例如酸性电镀溶液)电镀铜以填充晶片上的凹陷特征。所描述的预处理最小化电镀期间籽晶层的腐蚀，并减少电镀缺陷。
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