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发明公开
用于增加产率的半导体特征的测量方法与装置审中-实审

公开(公告)号：CN118435125A

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202280084329.3

申请日：2022-11-21

Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司

Inventor： A·弗赖塔格 , O·马尔基 , J·珀施 , T·科尔布 , J·T·纽曼 , A·阿维沙伊 , A·巴克斯鲍姆 , D·克洛奇科夫 , E·佛卡

IPC: G03F7/20 , G06T7/00 , H01J37/22

Abstract: 本发明提供一种用于对增加产率的晶圆内的半导体对象的参数值进行测量的系统和方法。该测量方法利用改进的机器学习算法，从半导体对象的实例提取测量结果。本发明提供一种用于训练该改进的机器学习算法的训练方法，其中使用者互动降到最低。该方法相比于现有方法，更为灵活和稳健，且需要更少的使用者互动。该系统和方法可用于对半导体晶圆内的集成电路进行定量计量。

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