公开(公告)号：CN110050310B

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN201780075747.5

申请日：2017-11-28

申请人： 卡尔蔡司SMT有限责任公司

发明人： R.迈耶 ,  H.基利 ,  C.雅利奇 ,  E.伊娃 ,  R.温特 ,  A.施密特纳 ,  A.库兹涅佐夫 ,  V.斯洛弗 ,  C.诺特波姆 ,  W.默克尔

IPC分类号： G21K1/06 ,  G03F7/20

摘要： 本发明涉及一种修复EUV光刻的反射光学元件的经济有效的方法。所述元件具有基板(61)以及在5nm和20nm之间的范围中的工作波长处反射的涂层(62)，并且由于形成氢气泡而被损坏。该方法包括以下步骤：在涂层(62)中定位损坏区域(63、64、65、66)；以及通过将覆盖元件施加到损坏区域用具有低氢渗透率的一个或多个材料来覆盖损坏区域(63、64、65、66)，其中覆盖元件由表面结构、凸表面或凹表面、或与反射光学元件的涂层对应的涂层、或者其组合来形成。该方法特别适合于EUV光刻的集光器反射镜(70)。在修复之后，它们具有覆盖元件(71、72、73)。

公开(公告)号：CN110050310A

公开(公告)日：2019-07-23

申请号：CN201780075747.5

申请日：2017-11-28

申请人： 卡尔蔡司SMT有限责任公司

发明人： R.迈耶 ,  H.基利 ,  C.雅利奇 ,  E.伊娃 ,  R.温特 ,  A.施密特纳 ,  A.库兹涅佐夫 ,  V.斯洛弗 ,  C.诺特波姆 ,  W.默克尔

IPC分类号： G21K1/06 ,  G03F7/20

摘要： 本发明涉及一种修复EUV光刻的反射光学元件的经济有效的方法。所述元件具有基板(61)以及在5nm和20nm之间的范围中的工作波长处反射的涂层(62)，并且由于形成氢气泡而被损坏。该方法包括以下步骤：在涂层(62)中定位损坏区域(63、64、65、66)；以及通过将覆盖元件施加到损坏区域用具有低氢渗透率的一个或多个材料来覆盖损坏区域(63、64、65、66)，其中覆盖元件由表面结构、凸表面或凹表面、或与反射光学元件的涂层对应的涂层、或者其组合来形成。该方法特别适合于EUV光刻的集光器反射镜(70)。在修复之后，它们具有覆盖元件(71、72、73)。