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公开(公告)号：CN109154680A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201780026114.5
申请日：2017-03-28
申请人： 卡尔蔡司SMT有限责任公司
CPC分类号： G02B5/0891 , G02B1/14 , G02B1/16 , G02B5/0816 , G03F7/7015 , G03F7/70916 , G03F7/70941 , G03F7/70958 , G03F2007/2067 , G21K1/062 , G21K2201/067
摘要： 本发明涉及一种光学元件(14)，特别是EUV光刻的光学元件(14)，其包括：基板(15)、施加到基板(15)上的反射涂层(16)和导电涂层(19)，该导电涂层(19)在基板(15)和反射涂层(16)之间延伸并且具有拉张应力下的至少一个第一层(22a)和压缩应力下的至少一个第二层(22b)。该导电涂层(19)具有在基板(15)上横向延伸超出反射涂层(16)的至少一个段(20)。本发明还涉及光学组件、特别是EUV光刻系统，其包括这种类型的至少一个光学元件(14)。
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公开(公告)号：CN109154680B
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN201780026114.5
申请日：2017-03-28
申请人： 卡尔蔡司SMT有限责任公司
摘要： 本发明涉及一种光学元件(14)，特别是EUV光刻的光学元件(14)，其包括：基板(15)、施加到基板(15)上的反射涂层(16)和导电涂层(19)，该导电涂层(19)在基板(15)和反射涂层(16)之间延伸并且具有拉张应力下的至少一个第一层(22a)和压缩应力下的至少一个第二层(22b)。该导电涂层(19)具有在基板(15)上横向延伸超出反射涂层(16)的至少一个段(20)。本发明还涉及光学组件、特别是EUV光刻系统，其包括这种类型的至少一个光学元件(14)。
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公开(公告)号：CN110050310A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201780075747.5
申请日：2017-11-28
申请人： 卡尔蔡司SMT有限责任公司
摘要： 本发明涉及一种修复EUV光刻的反射光学元件的经济有效的方法。所述元件具有基板(61)以及在5nm和20nm之间的范围中的工作波长处反射的涂层(62)，并且由于形成氢气泡而被损坏。该方法包括以下步骤：在涂层(62)中定位损坏区域(63、64、65、66)；以及通过将覆盖元件施加到损坏区域用具有低氢渗透率的一个或多个材料来覆盖损坏区域(63、64、65、66)，其中覆盖元件由表面结构、凸表面或凹表面、或与反射光学元件的涂层对应的涂层、或者其组合来形成。该方法特别适合于EUV光刻的集光器反射镜(70)。在修复之后，它们具有覆盖元件(71、72、73)。
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公开(公告)号：CN110050310B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN201780075747.5
申请日：2017-11-28
申请人： 卡尔蔡司SMT有限责任公司
摘要： 本发明涉及一种修复EUV光刻的反射光学元件的经济有效的方法。所述元件具有基板(61)以及在5nm和20nm之间的范围中的工作波长处反射的涂层(62)，并且由于形成氢气泡而被损坏。该方法包括以下步骤：在涂层(62)中定位损坏区域(63、64、65、66)；以及通过将覆盖元件施加到损坏区域用具有低氢渗透率的一个或多个材料来覆盖损坏区域(63、64、65、66)，其中覆盖元件由表面结构、凸表面或凹表面、或与反射光学元件的涂层对应的涂层、或者其组合来形成。该方法特别适合于EUV光刻的集光器反射镜(70)。在修复之后，它们具有覆盖元件(71、72、73)。
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