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公开(公告)号：CN101968609B
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201010265577.7
申请日：2007-09-18
申请人： 卡尔蔡司SMT有限责任公司 , ASML荷兰有限公司
发明人： D·H·埃姆 , S·米勒伦德 , T·施泰因 , J·H·J·莫尔斯 , B·T·沃尔斯施里金 , D·克劳斯 , R·维尔斯路易斯 , M·G·H·迈耶因克
CPC分类号： G03B27/16 , B82Y10/00 , G03F7/70841 , G03F7/70883 , G03F7/70916 , G21K2201/061
摘要： 本发明涉及一种光学装置，特别是一种用于EUV光刻的投影曝光设备(1)，包括：围住内部空间(15)的外壳(2)；至少一个布置在所述外壳(2)中的光学元件(4至10，12，14.1至14.6)，特别是反射光学元件；至少一个用于在所述外壳(2)的所述内部空间(15)中产生真空的真空产生单元(3)；以及至少一个真空外壳(18，18.1至18.10)，布置在所述外壳(2)的所述内部空间(15)中，并且至少围住所述光学元件(4至10，12，14.1至14.5)的光学表面(17，17.1，17.2)，其中，污染降低单元与所述真空外壳(18.1至18.10)关联，相对于所述内部空间(15)中的所述污染物质的分压，所述污染降低单元降低至少在所述光学表面(17，17.1，17.2)附近处污染物质的分压，特别是水和/或碳氢化合物的分压。
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公开(公告)号：CN101495921B
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN200780027669.8
申请日：2007-09-18
申请人： 卡尔蔡司SMT有限责任公司 , ASML荷兰有限公司
发明人： D·H·埃姆 , S·米勒伦德 , T·施泰因 , J·H·J·莫尔斯 , B·T·沃尔斯施里金 , D·克劳斯 , R·维尔斯路易斯 , M·G·H·迈耶因克
CPC分类号： G03B27/16 , B82Y10/00 , G03F7/70841 , G03F7/70883 , G03F7/70916 , G21K2201/061
摘要： 本发明涉及一种光学装置，特别是一种用于EUV光刻的投影曝光设备(1)，包括：围住内部空间(15)的外壳(2)；至少一个布置在所述外壳(2)中的光学元件(4至10，12，14.1至14.6)，特别是反射光学元件；至少一个用于在所述外壳(2)的所述内部空间(15)中产生真空的真空产生单元(3)；以及至少一个真空外壳(18，18.1至18.10)，布置在所述外壳(2)的所述内部空间(15)中，并且至少围住所述光学元件(4至10，12，14.1至14.5)的光学表面(17，17.1，17.2)，其中，污染降低单元与所述真空外壳(18.1至18.10)关联，相对于所述内部空间(15)中的所述污染物质的分压，所述污染降低单元降低至少在所述光学表面(17，17.1，17.2)附近处污染物质的分压，特别是水和/或碳氢化合物的分压。
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公开(公告)号：CN101968609A
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN201010265577.7
申请日：2007-09-18
申请人： 卡尔·蔡司半导体技术股份公司 , ASML荷兰有限公司
发明人： D·H·埃姆 , S·米勒伦德 , T·施泰因 , J·H·J·莫尔斯 , B·T·沃尔斯施里金 , D·克劳斯 , R·维尔斯路易斯 , M·G·H·迈耶因克
CPC分类号： G03B27/16 , B82Y10/00 , G03F7/70841 , G03F7/70883 , G03F7/70916 , G21K2201/061
摘要： 本发明涉及一种光学装置，特别是一种用于EUV光刻的投影曝光设备(1)，包括：围住内部空间(15)的外壳(2)；至少一个布置在所述外壳(2)中的光学元件(4至10，12，14.1至14.6)，特别是反射光学元件；至少一个用于在所述外壳(2)的所述内部空间(15)中产生真空的真空产生单元(3)；以及至少一个真空外壳(18，18.1至18.10)，布置在所述外壳(2)的所述内部空间(15)中，并且至少围住所述光学元件(4至10，12，14.1至14.5)的光学表面(17，17.1，17.2)，其中，污染降低单元与所述真空外壳(18.1至18.10)关联，相对于所述内部空间(15)中的所述污染物质的分压，所述污染降低单元降低至少在所述光学表面(17，17.1，17.2)附近处污染物质的分压，特别是水和/或碳氢化合物的分压。
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公开(公告)号：CN101495921A
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200780027669.8
申请日：2007-09-18
申请人： 卡尔·蔡司半导体技术股份公司 , ASML荷兰有限公司
发明人： D·H·埃姆 , S·米勒伦德 , T·施泰因 , J·H·J·莫尔斯 , B·T·沃尔斯施里金 , D·克劳斯 , R·维尔斯路易斯 , M·G·H·迈耶因克
CPC分类号： G03B27/16 , B82Y10/00 , G03F7/70841 , G03F7/70883 , G03F7/70916 , G21K2201/061
摘要： 本发明涉及一种光学装置，特别是一种用于EUV光刻的投影曝光设备(1)，包括：围住内部空间(15)的外壳(2)；至少一个布置在所述外壳(2)中的光学元件(4至10，12，14.1至14.6)，特别是反射光学元件；至少一个用于在所述外壳(2)的所述内部空间(15)中产生真空的真空产生单元(3)；以及至少一个真空外壳(18，18.1至18.10)，布置在所述外壳(2)的所述内部空间(15)中，并且至少围住所述光学元件(4至10，12，14.1至14.5)的光学表面(17，17.1，17.2)，其中，污染降低单元与所述真空外壳(18.1至18.10)关联，相对于所述内部空间(15)中的所述污染物质的分压，所述污染降低单元降低至少在所述光学表面(17，17.1，17.2)附近处污染物质的分压，特别是水和/或碳氢化合物的分压。
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