公开(公告)号：CN106104383A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201580013909.3

申请日：2015-03-05

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： A·I·厄肖夫

IPC: G03F7/20

CPC classification number: B08B7/0035 ,  B08B7/0057 ,  G02B27/0006 ,  G03F7/70033 ,  G03F7/70883 ,  G03F7/70925 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32339 ,  H01J37/32651 ,  H01J37/32715 ,  H01J2237/327 ,  H01J2237/335 ,  H05G2/003 ,  H05G2/008

Abstract: 净化用于生成极紫外辐射的系统中的光学元件(30)的导电表面的装置和方法，其中导电表面被使用作为用于生成净化该表面的等离子体的电极。

公开(公告)号：CN102880008B

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201210282444.X

申请日：2008-11-18

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： Y·J·G·范德维基沃尔 ,  J·H·J·莫尔斯 ,  W·J·M·沃斯蒂格 ,  P·G·约克斯

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G03F7/70933 ,  G03F7/70841 ,  G03F7/70866 ,  G03F7/70883 ,  G03F7/70916

Abstract: 本发明公开了一种光刻设备(1)，包括：投影系统(7)，其配置成将所述图案化的辐射束(9)投影到衬底的目标部分上；真空室(8)，在使用期间所述图案化的辐射束(9)被投影通过真空室；和净化系统(13、16、17)，其配置成在所述室(8)内提供净化气体流。

公开(公告)号：CN103019038A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210347809.2

申请日：2012-09-18

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： H·G·希梅尔 ,  J·F·迪克斯曼 ,  D·兰贝特斯基

IPC: G03F7/20

CPC classification number: H05G2/005 ,  G03F7/70033 ,  G03F7/70883 ,  G03F7/70916 ,  H05G2/006 ,  H05G2/008

Abstract: 本发明公开了一种辐射源，包括贮存器、喷嘴、激光器以及正透镜。贮存器配置成保持一体积的燃料。喷嘴与贮存器流体连接并配置成沿着朝向等离子体形成位置的轨迹引导燃料流。激光器配置成将激光辐射引导到在等离子体形成位置处的所述流上，以在使用中产生用于产生辐射的等离子体。正透镜布置配置成朝向等离子体形成位置聚焦燃料流的轨迹的至少潜在的展度范围，透镜包括电场生成元件和/或磁场生成元件。

公开(公告)号：CN102841513A

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN201210282310.8

申请日：2008-11-18

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： Y·J·G·范德维基沃尔 ,  J·H·J·莫尔斯 ,  W·J·M·沃斯蒂格 ,  P·G·约克斯

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G03F7/70933 ,  G03F7/70841 ,  G03F7/70866 ,  G03F7/70883 ,  G03F7/70916

Abstract: 本发明公开了一种光刻设备(1)，包括：投影系统(7)，其配置成将所述图案化的辐射束(9)投影到衬底的目标部分上；真空室(8)，在使用期间所述图案化的辐射束(9)被投影通过真空室；和净化系统(13、16、17)，其配置成在所述室(8)内提供净化气体流。

公开(公告)号：CN102804071A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201080028972.1

申请日：2010-05-04

Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司

Inventor： S.西克斯

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G02B1/18 ,  G02B27/0006 ,  G03F7/7015 ,  G03F7/70341 ,  G03F7/70858 ,  G03F7/70883

Abstract: 本发明涉及用于光学成像方法的光学布置，其包含光学元件(108)、浸没区(109)和液体排斥装置(111)。在光学成像方法过程中，浸没区与光学元件相邻并用浸没液(109.1)填充。该光学元件具有第一表面区域(108.1)和第二表面区域(108.2)，第一表面区域在光学成像方法过程中被该浸没液润湿。液体排斥装置至少暂时地在光学成像方法过程中在第二表面的区域中产生电场，电场适配成在浸没液的响应于电场并非故意地接触第二表面区域的部分上引起排斥力。该排斥力具有将浸没液的该部分从第二表面区域驱离的方向。

公开(公告)号：CN1987657B

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN200610169059.9

申请日：2006-12-20

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： T·F·森杰斯 ,  N·A·A·J·范阿斯坦 ,  W·J·伯西 ,  T·A·R·范恩佩尔 ,  L·M·勒瓦斯尔 ,  E·R·卢普斯特拉 ,  M·J·E·H·穆特杰斯 ,  L·奥维汉德 ,  L·J·M·范登舒尔 ,  M·贝克斯 ,  R·詹森 ,  E·范洛恩侯特

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/70883 ,  G03F7/7075 ,  G03F7/70858 ,  G03F9/7011 ,  G03F9/7034

Abstract: 光刻设备和制造器件的方法公开了一种光刻设备。该设备包括保持衬底的衬底台。衬底台是可移动的，以便在衬底测量位置和衬底处理位置之间传送衬底。该设备还包括测量系统，用于在衬底台将衬底保持在测量位置中时测量衬底的至少一个方面或特性。测量系统用于将至少一个测量束和/或测量场向衬底的表面引导。投影系统用于在衬底台将衬底保持在衬底处理位置中时将已构图的辐射束投射到衬底的目标部分上，并且调节系统用于将调节流体提供到测量系统的测量束和/或测量场路径的至少一部分，以调节该部分路径。

公开(公告)号：CN101606104B

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN200880004740.5

申请日：2008-02-14

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： V·M·克里夫特逊 ,  V·Y·班尼恩 ,  V·V·伊娃诺夫 ,  E·D·克洛普 ,  K·N·克什烈夫 ,  Y·V·斯戴尼克夫 ,  O·雅克什夫

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G03F7/70916 ,  B82Y10/00 ,  G03F7/70033 ,  G03F7/70858 ,  G03F7/70883 ,  G03F7/70983

Abstract: 一种用于形成电磁辐射束的设备包括等离子体辐射源(24)和翼片阱(25)，该翼片阱设置有基本上平行于等离子体源(20)的辐射的方向延伸的多个薄翼片(20)。在等离子体辐射源(20)和翼片阱(24)之间设置格栅(22)。在格栅(22)和翼片阱(24)之间设置空间。该设备还包括电势应用电路(28)，其构造并布置成施加电势到格栅(22)上，使得格栅(22)排斥由等离子体辐射源(22)发射的电子并在格栅(20)和翼片阱(24)之间产生正的空间电荷，以使由等离子体辐射源(20)发射的离子偏转到翼片阱(24)。

公开(公告)号：CN102495538A

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN201210005732.0

申请日：2008-11-18

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： Y·J·G·范德维基沃尔 ,  J·H·J·莫尔斯 ,  W·J·M·沃斯蒂格 ,  P·G·约克斯

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G03F7/70933 ,  G03F7/70841 ,  G03F7/70866 ,  G03F7/70883 ,  G03F7/70916

Abstract: 本发明公开了一种光刻设备(1)，包括：投影系统(7)，其配置成将所述图案化的辐射束(9)投影到衬底的目标部分上；真空室(8)，在使用期间所述图案化的辐射束(9)被投影通过真空室；和净化系统(13、16、17)，其配置成在所述室(8)内提供净化气体流。

公开(公告)号：CN101218543A

公开(公告)日：2008-07-09

申请号：CN200680021245.6

申请日：2006-06-06

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： G·H·德拉 ,  T·克卢肯

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G03F7/70916 ,  G03F7/70883 ,  G03F7/70908 ,  G03F7/70933

Abstract: 本发明涉及一种碎片抑制系统，尤其是用在用于EUV辐射和/或X射线的辐射单元中的系统。该碎片抑制系统包括一种箔捕获装置(11)，所述箔捕获装置(11)具有多个允许直路辐射的通道，以及一个或几个用于缓冲气体(7)的气体供应的进给管道(5)，所述气体供应提供给所述箔捕获装置。该箔捕获装置具有至少一个延伸分布几个所述通道的内部空间(14)，其中所述进给管道向该空间开口。本碎片抑制系统能有效地抑制碎片。

公开(公告)号：CN1503059A

公开(公告)日：2004-06-09

申请号：CN200310119662.2

申请日：2003-11-27

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： W·O·普里尔 ,  E·A·F·范德帕斯奇 ,  R·F·狄龙 ,  P·D·肯肖

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/70958 ,  G01B9/02007 ,  G01B9/02014 ,  G01B9/02027 ,  G01B9/0207 ,  G01B9/02074 ,  G01B2290/45 ,  G01B2290/60 ,  G01B2290/70 ,  G03F7/70775 ,  G03F7/70883

Abstract: 由于大气条件的变化，诸如压力、温度和扰动，使用来自二次谐波干涉仪的测量来校正干涉测量系统的测量结果。在使用SHI数据以前，去除代表SHI数据与光路长度关系的匀变。该SHI可以使用无源Q开关激光器作为光源，可以在接收模块使用布儒斯特棱镜。可以使用光纤来将光引导到探测器。反射测量束的镜子具有这样的涂层，即其厚度选择为使SHI数据对涂层厚度的变化的敏感性最小化。