后处理装置
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108691619B

    公开(公告)日:2021-11-30

    申请号:CN201810262495.3

    申请日:2018-03-28

    发明人: K·切诺韦思

    IPC分类号: F01N3/28 F01N13/18

    摘要: 后处理装置包括具有细长形状的第一垫和具有细长形状的第二垫。其中第一垫和第二垫交错,每个垫与至少两个基材中的每一个的四个侧面中的至少三个接触;此外,第一垫和第二垫至少部分重叠,使得第一舌部至少部分地设置在第二开口中,并且第二舌部至少部分地设置在第一开口中,以形成围绕位于外壳内的至少两个基材中的每一个的所有的侧面的连续层。

    催化剂基材安装垫
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108691619A

    公开(公告)日:2018-10-23

    申请号:CN201810262495.3

    申请日:2018-03-28

    发明人: K·切诺韦思

    IPC分类号: F01N3/28 F01N13/18

    摘要: 后处理装置包括具有细长形状的第一垫和具有细长形状的第二垫。其中第一垫和第二垫交错,每个垫与至少两个基材中的每一个的四个侧面中的至少三个接触;此外,第一垫和第二垫至少部分重叠,使得第一舌部至少部分地设置在第二开口中,并且第二舌部至少部分地设置在第一开口中,以形成围绕位于外壳内的至少两个基材中的每一个的所有的侧面的连续层。