公开(公告)号：CN101288186A

公开(公告)日：2008-10-15

申请号：CN200680038128.0

申请日：2006-10-13

申请人： 原子能源局 ,  国家科学研究中心

发明人： B·迪耶尼 ,  A·维耶夫 ,  J·富尔-万桑 ,  P·瓦兰 ,  M·雅梅 ,  Y·萨姆森

IPC分类号： H01L43/08 ,  G11C11/15 ,  G11C11/16 ,  H01L27/12

CPC分类号： G11C11/15 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  G11C11/1675 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3286 ,  H01F41/305 ,  H01L27/222 ,  H01L43/08

摘要： 包括磁阻隧道结(100)的磁性器件，该磁阻隧道结包括：具有固定磁化方向的基准磁性层(120)，具有可变磁化方向的存储磁性层(110)；和作为隧道势垒的中间层(130)，该中间层实质是半导体或电绝缘的，用来分隔基准磁性层(120)和存储磁性层(110)。中间层(130)的电势分布图在所述层(130)的厚度内是非对称的，以便产生作为施加电压函数的非对称的电流响应随。本器件可用于磁性随机存取存储器。

公开(公告)号：CN101288186B

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：CN200680038128.0

申请日：2006-10-13

申请人： 原子能源局 ,  国家科学研究中心

发明人： B·迪耶尼 ,  A·维耶夫 ,  J·富尔-万桑 ,  P·瓦兰 ,  M·雅梅 ,  Y·萨姆森

IPC分类号： H01L43/08 ,  G11C11/15 ,  G11C11/16 ,  H01L27/12

CPC分类号： G11C11/15 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  G11C11/1675 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3286 ,  H01F41/305 ,  H01L27/222 ,  H01L43/08

摘要： 包括磁阻隧道结(100)的磁性器件，该磁阻隧道结包括：具有固定磁化方向的基准磁性层(120)，具有可变磁化方向的存储磁性层(110)；和作为隧道势垒的中间层(130)，该中间层实质是半导体或电绝缘的，用来分隔基准磁性层(120)和存储磁性层(110)。中间层(130)的电势分布图在所述层(130)的厚度内是非对称的，以便产生作为施加电压函数的非对称的电流响应随。本器件可用于磁性随机存取存储器。