公开(公告)号：CN105679930B

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201510888378.4

申请日：2015-12-07

申请人： 西部数据(弗里蒙特)公司

发明人： S·李 ,  G·A·贝尔泰罗 ,  Y·郑 ,  Q·凌 ,  S·赫 ,  Y·丁 ,  M·毛 ,  A·邹古乐 ,  D·K·罗帝斯

IPC分类号： H01L43/08 ,  H01L43/02 ,  H01L43/10

CPC分类号： H01L43/02 ,  G11C11/161 ,  H01F10/123 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3272 ,  H01F10/3286 ,  H01F10/329 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

摘要： 一种自旋转移转矩磁结包含具有垂直于衬底平面的磁各向异性的磁性基准层结构。层压磁性自由层包括至少三个子层(例如，CoFeB、CoPt、FePt或CoPd的6埃至30埃的子层)，所述至少三个子层具有垂直于所述衬底平面的磁各向异性。每个此类子层通过钽除尘层与相邻子层分离。绝缘阻挡层(例如，MgO)设置在层压自由层和磁性基准层结构之间。自旋转移转矩磁结包括导电基电极和导电顶电极，以及具有平行于衬底平面的磁各向异性的电流极化结构。在某些实施例中，电流极化结构也可以包括非磁性分隔层(例如，MgO、铜等)。

公开(公告)号：CN109712657A

公开(公告)日：2019-05-03

申请号：CN201810864101.1

申请日：2018-08-01

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李桢赫

IPC分类号： G11C13/00

CPC分类号： H01L27/228 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/52 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3272 ,  H01F10/3286 ,  H01F10/329 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2463 ,  H01L43/08 ,  H01L45/06 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147

摘要： 提供可变电阻存储器器件。可变电阻存储器器件包括存储器单元，该存储器单元包括开关器件和与开关器件串联连接的电阻感测元件。可变电阻存储器器件包括在第一方向上延伸并连接到开关器件的栅极的字线。而且，可变电阻存储器器件包括在第二方向上延伸的多个位线。多个位线当中的第一位线的第一连接节点电连接到电阻感测元件。在多个位线当中，与第一位线相邻的第二位线的第二连接节点电连接到开关器件。

公开(公告)号：CN103633240B

公开(公告)日：2017-07-04

申请号：CN201310366932.3

申请日：2013-08-21

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 吴世忠 ,  金基雄 ,  金英铉 ,  金晥均 ,  朴相奂

IPC分类号： H01L43/08 ,  G11C11/16

CPC分类号： H01L43/02 ,  B82Y25/00 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  H01F10/123 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3272 ,  H01F10/3286 ,  H01F10/3295 ,  H01L27/224 ,  H01L27/226 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

摘要： 提供了具有垂直磁性隧道结的磁性存储器件。该器件包括磁性隧道结，其中磁性隧道结包括自由层结构、钉扎层结构、和它们之间的隧道势垒。钉扎层结构可以包括具有本征垂直磁化特性的第一磁性层、具有本征平面内磁化特性的第二磁性层、和插入第一磁性层与第二磁性层之间的交换耦合层。交换耦合层可以具有使第一磁性层与第二磁性层之间的反铁磁交换耦合最大化的厚度，而第二磁性层可以至少部分地因为与第一磁性层的反铁磁交换耦合而展示出垂直磁化方向。

公开(公告)号：CN103988293B

公开(公告)日：2017-05-03

申请号：CN201280057912.1

申请日：2012-10-31

申请人： 索尼公司

发明人： 肥后丰 ,  细见政功 ,  大森广之 ,  别所和宏 ,  浅山徹哉 ,  山根一阳 ,  内田裕行

IPC分类号： H01L21/8246 ,  G11B5/39 ,  H01L27/105 ,  H01L29/82 ,  H01L43/08

CPC分类号： G11C11/161 ,  G11B5/3906 ,  G11B5/3909 ,  G11C11/15 ,  G11C11/155 ,  G11C11/1675 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3268 ,  H01F10/3272 ,  H01F10/3286 ,  H01F10/329 ,  H01L27/228 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08

摘要： 【问题】提供一种能够在短时间内执行写操作而不产生写入错误的存储元件和存储装置。【解决方案】该存储元件被配置为具有层状结构，该层状结构包括：存储层，其磁化方向根据信息而变化；磁化固定层，其磁化方向是固定的；以及中间层，设置在存储层与磁化固定层之间、由非磁性体产生。磁化固定层分层为在其间具有耦合层的至少两个铁磁层，该两个铁磁层经由耦合层磁耦合。该两个铁磁层的磁化方向从膜表面的垂直方向倾斜。通过这种配置，可以有效地抑制存储层的磁化方向与固定磁化层的磁化方向变得粗略平行或反平行所产生的磁化反转时间的分散，并且可以减少写入错误以及支持短时间的写入。

公开(公告)号：CN106575519A

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201480081448.9

申请日：2014-09-26

申请人： 英特尔公司

发明人： M·L·多齐 ,  K·奥乌兹 ,  B·S·多伊尔 ,  C·C·郭 ,  R·S·周 ,  S·苏里

IPC分类号： G11C11/16

CPC分类号： G11C11/161 ,  H01F10/3286 ,  H01L27/222 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

摘要： 一种用于磁性隧道结的材料层叠置体，材料层叠置体包括：固定磁性层；电介质层；自由磁性层；以及非晶导电籽晶层，其中，固定磁性层设置在电介质层与籽晶层之间。一种非易失性存储器器件，包括材料叠置体，材料叠置体包括：非晶导电籽晶层；以及固定磁性层，其与籽晶层并置并接触。一种方法，包括：在存储器器件的第一电极上形成非晶籽晶层；在非晶籽晶层上形成材料层叠置体，材料叠置体包括设置在固定磁性层与自由磁性层之间的电介质层，其中固定磁性层。

公开(公告)号：CN103392245B

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201180045555.2

申请日：2011-07-21

申请人： 国家科学研究中心 ,  原子能与替代能源委员会 ,  约瑟夫·傅立叶大学 ,  卡塔拉纳米技术研究所(ICN) ,  加泰罗尼亚调研高等研究学院(ICREA)

发明人： 吉勒斯·路易斯·伽丁 ,  约安·米哈依·米隆 ,  彼得罗·加姆巴德拉 ,  阿兰·舒尔

IPC分类号： H01L43/08 ,  G11C11/16 ,  H01F10/32

CPC分类号： H01L43/08 ,  B82Y25/00 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/18 ,  H01F10/123 ,  H01F10/325 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3286

摘要： 本发明涉及一种可写入的磁性元件，其包括具有磁性写入层的层叠体，所述元件的特征在于，所述层叠体包括由至少一种磁性材料制成的中间层（13、53、90），所述至少一种磁性材料呈现出垂直于中间层的平面的磁化方向，形成所述磁性写入层的所述中间层夹在由非磁性材料制成的第一外层（12、52、91）和由非磁性材料制成的第二外层（14、54、92）之间，第一外层（12、52、91）包括第一非磁性材料，并且第二外层（14、54、92）包括与第一非磁性材料不同的第二非磁性材料，至少第二非磁性材料为导电的，以及所述元件一方面包括用于使写入电流仅通过第二外层和中间层、仅当第一外层导电时才能通过第一外层的装置，所述写入电流在平行于中间层的平面的电流方向上流动，以及所述元件另一方面包括用于在所述写入电流存在下沿着垂直于中间层（13、53、90）的平面的磁场方向施加写入磁场的装置，通过对施加的写入磁场的方向作用沿着一个方向或另一方面写入存储器。

公开(公告)号：CN105229811A

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201480028752.7

申请日：2014-04-14

申请人： 海德威科技公司

发明人： 诺真·杰 ,  童儒颖

IPC分类号： H01L43/08 ,  H01F10/30 ,  H01F10/32 ,  H01L43/12

CPC分类号： H01L43/10 ,  H01F10/30 ,  H01F10/32 ,  H01F10/3272 ,  H01F10/3286 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

摘要： 本发明公开了一种合成反铁磁、一种磁性隧穿接合元件以及一种层状结构的制造方法，其中，合成反铁磁可作为磁性隧穿接合的参考层，其包含有x+1层的磁性子层以及x个与其交错配置的非磁性空间隔层，且层状堆栈最上方和最下方皆为磁性子层，每一个非磁性空间隔层具有上表面与下表面，以与相邻的磁性子层形成界面并建立反铁磁耦合，垂直磁性非等向性会受到导引而穿过空间隔层的界面来进入每一个磁性子层，因而施加于自由层的偶极场相对于由现有的合成反铁磁参考层所产生的偶极场会明显降低，其中当非磁性空间隔层为钌、铑或铱时，磁性子层以钴为佳。

公开(公告)号：CN102893332B

公开(公告)日：2015-10-07

申请号：CN201180024160.4

申请日：2011-05-18

申请人： 国际商业机器公司

发明人： D·C·沃莱吉

IPC分类号： G11B5/33

CPC分类号： H01L43/08 ,  B82Y25/00 ,  G11C11/161 ,  H01F10/30 ,  H01F10/3286 ,  H01F10/3295 ,  H01L43/10

摘要： 一种磁性层，其包括至少包含钽的种子层和至少包含铁的自由磁性层。所述自由磁性层生长在所述种子层的顶上且所述自由磁性层为垂直磁化的。所述磁性层可包括在磁隧道结（MTJ）叠层中。

公开(公告)号：CN104471419A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201280073290.1

申请日：2012-06-26

申请人： 爱思开海力士有限公司

发明人： 林相镐 ,  李泰荣 ,  李性来 ,  孙东秀

IPC分类号： G01R33/05

CPC分类号： H01L43/10 ,  G01R33/098 ,  G11C11/161 ,  H01F10/123 ,  H01F10/3286 ,  H01L43/02 ,  H01L43/12

摘要： 本发明涉及一种具有新颖结构和垂直磁各向异性的基于钴(Co)和铂(Pt)的多层薄膜及其制造方法。更具体地，本发明涉及一种具有垂直磁各向异性(PMA)的基于钴和铂的多层薄膜及其制造方法，其包括在衬底之上交替地沉积的薄钴层和薄铂层，并且具有薄钴层的厚度比薄铂层的厚度大的反转结构。基于钴和铂的多层薄膜具有磁性薄层的厚度比非磁性薄层的厚度大的新结构。多层薄膜可以通过根据层的厚度比控制垂直磁各向异性能量，来容易地应用以作为磁隧道结中的自由层和固定层。此外，多层薄膜具有优良的热稳定性，因而即使在经受热处理工艺之后也能保持其PMA能量密度。另外，它使得微量的平面内磁各向异性能够通过热处理形成，以便降低磁化翻转所需的临界电流密度。因此，它可以有利地用于高性能和高密度的MRAM。

公开(公告)号：CN102687215B

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201080032381.1

申请日：2010-07-08

申请人： 希捷科技有限公司

发明人： 习海文 ,  A·科伊尔 ,  B·李 ,  P·瑞安 ,  I·金 ,  P·安德森

IPC分类号： H01F10/32 ,  H01L43/08

CPC分类号： G01R33/098 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/093 ,  G11C11/161 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3272 ,  H01F10/3286 ,  H01L43/08 ,  Y10T428/1114 ,  Y10T428/1143

摘要： 磁性叠层具有自由层、参考层以及两者之间的阻挡层，其中自由层具有可切换的磁化取向，参考层具有被钉扎的磁化取向。叠层包括与自由层电隔离且与参考层物理接触的环形反铁磁钉扎层。在一些实施例中，参考层比自由层大。