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公开(公告)号：CN117210907A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311157655.5
申请日：2023-09-08
申请人： 厦门大学
摘要： 本发明公开了一种制备全彩化Micro‑LED显示器件的多色量子点电泳沉积系统，包括溶液池，量子点溶液存储单元、气压控制单元、干燥气体单元、废液收集单元、电压集成分配控制单元和清洗喷淋单元；量子点溶液存储单元包括多个量子点溶液存储装置，电压集成分配控制单元包括位于正负电极之间的若干控制开关，各控制开关分别连接不同的待沉积区域线路，并通过控制开关切换待沉积区域线路的正负电压连接关系实现不同待沉积区域的量子点沉积。本发明还公开了基于上述多色量子点电泳沉积系统的全彩化Micro‑LED显示器件制备方法，颜色转换效率高、制备速度快、可实现大面积的量子点的沉积同时节约了时间成本，适合于大规模工业化生产，加快全彩化显示的进程。
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公开(公告)号：CN117133764A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202311227259.5
申请日：2023-09-22
申请人： 厦门大学
摘要： 本发明公开了一种Micro‑LED显示器件结构及其制作方法，该结构包括有源控制电路单元、芯片单元、玻璃基板和填充层，芯片单元的第一表面倒装于有源控制电路单元上，填充层设于芯片单元与有源控制电路单元之间以及芯片单元间的不同方向的沟道空隙的交叉位置，相邻两个芯片单元之间的沟道空隙填充有液晶，玻璃基板封装于芯片单元的第二表面，玻璃基板和有源控制电路单元上与相邻两个芯片单元之间的沟道空隙相对应的位置分别设有第一电极和第一控制电路电极，液晶以及第一电极和第一控制电路电极构成每相邻两个芯片单元之间的调光控制层，阻挡每相邻两个芯片单元之间的光线或产生偏光作用。不仅解决侧面光路串扰问题，还实现偏光/调光作用，增强光输出效率。
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公开(公告)号：CN116825933A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310783420.0
申请日：2023-06-29
申请人： 厦门大学
摘要： 本发明公开了基于开放式微流控技术的Micro‑LED全彩化显示器件制备方法，其量子点色转换层的制备中，是将具有凹槽阵列的基板进行疏液处理，然后采用具有镂空的微通道的基板与具有凹槽阵列的基板键合形成微通道通路，量子点注入微通道通路，溶剂挥发后自发浓缩于凹槽阵列中；将量子点色转换层与Micro‑LED发光芯片阵列和滤光片封装层键合，其中滤光片封装层的滤光片阵列之间设置遮蔽层。本发明可以快速沉积不同厚度且不同颜色的量子点，同时有效防止光窜扰、提高色彩纯度。
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公开(公告)号：CN116741897A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310717239.X
申请日：2023-06-16
申请人： 厦门大学
摘要： 本发明公开了一种基于电泳沉积量子点制备全彩器件色转换层的方法，于透明基板上形成透明电极层，透明电极包括电极总条和若干间隔排列的电极指条，电极指条的末端与电极总条相连；于透明电极层上形成图案化绝缘层来于电极指条形成分隔的量子点待沉积区域，在量子点待沉积区域之间形成不透光导电金属层，然后通过电泳工艺使带电量子点选择性沉积于量子点待沉积区域中。本发明可实现快速大面积量子点的均匀选择性沉积，且通过电极连接吸附相反电性量子点沉积到预设图案化阵列区域，避免了表面残留，量子点图案可控，可靠性高，显示性能更佳。
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公开(公告)号：CN115986036A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211441087.7
申请日：2022-11-17
申请人： 厦门大学
摘要： 本发明公开了一种基于微流控技术和量子点配体工程光刻技术的Micro‑LED全彩化显示器件结构与制备方法，是通过将量子点溶液在衬底上的微通道中通入并沉积后，通过光刻技术实现基于量子点配体工程的色转换层的阵列化，再将其与下面的Micro‑LED芯片阵列，Micro‑LED驱动层和上面相应的彩色滤光片阵列一一对应，实现Micro‑LED全彩化发光器件的制备，突破了传统量子点光刻技术制备色转换层方法造成的原料利用率低和成本高、基于微流控技术的色转换层图案化设计方案中的制备过程复杂等问题。本发明制备工艺简单、原材料利用率高，提高色转换效率的同时保留了传统光刻技术高分辨率的特点。
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公开(公告)号：CN117712263A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202410010767.6
申请日：2024-01-04
申请人： 厦门大学
摘要： 本发明公开了一种提升光提取效率的Micro‑LED器件结构及制作方法，其结构的外延层由背面至正面按序包括n‑GaN层、MQW和p‑GaN层，并通过由正面蚀刻至n‑GaN层形成发光台面，第一电流扩展层设于发光台面的p‑GaN层上，p电极和n电极分别设于第一电流扩展层和n‑GaN层上，钝化层、反射层和绝缘层按序覆盖器件结构的正面，p电极和n电极分别通过贯穿钝化层、反射层和绝缘层的键合金属引出；n‑GaN层在发光台面区域通过蚀刻形成若干通孔，第二电流扩展层填充于通孔中。本发明通过减小电流密度差异，提高电子在材料中的迁移率，以改善电流在器件中的分布，降低电流密度，并减缓电流拥挤效应。从而大幅度提升器件性能。
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公开(公告)号：CN117334794A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311270484.7
申请日：2023-09-28
申请人： 厦门大学
摘要： 本发明公开了一种基于微通道与电泳沉积制备量子点色转换层的方法，通过在阵列式排布的透明电极外围设置金属环绕电极和连接电极，并沉积绝缘层，对待沉积区域开口，采用微流道技术，与微通道盖板键合后向微通道通路中通入带电量子点溶液，结合电泳沉积技术，使量子点溶液沉积于待沉积区域的透明电极上形成量子点单元。将制备的量子点色转换层与Micro‑LED芯片阵列键合实现全彩化显示。本发明通过金属电极环绕透明电极的设计，并结合了微流道技术和电泳沉积技术，实现具有像素尺寸小、高PPI、高发光均匀性、沉积速度快、原材料利用率高、有利于大面积的量子点色转换层制备，从而推动全彩Micro‑LED的产业化。
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公开(公告)号：CN115663094A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211258999.0
申请日：2022-10-14
申请人： 厦门大学
摘要： 本发明公开了一种粗糙表面量子点图案沉积方法，是对色转换层基板的表面进行研磨抛光处理后利用光刻胶掩膜在预沉积量子点溶液的区域进行粗糙化处理，以增加量子点预沉积区域的粗糙度，然后通过微流控技术沉积量子点溶液于图形化粗糙区域并吹扫多余量子点溶液，再形成色转换层图案之间的遮光层以及表面沉积保护层。本发明可减少激发光在折射率不同的两种材料表面发生全反射，增强色转换层中量子点溶液对激发光源的吸收，有利于提高激发光源的光提取效率，降低能耗；并可进一步提高量子点光转化效率，提高光的品质，使得全彩化显示光亮度更好，适合于更大规模的全彩化显示应用。
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公开(公告)号：CN116344715A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310419422.1
申请日：2023-04-19
申请人： 厦门大学
摘要： 本发明公开了一种高转换效率量子点色转换层的制备方法，其是对硬质透明衬底的表面进行图案化，得到分立间隔排布的凸起结构阵列，并于图案化的表面上沉积量子点单元得到量子点色转换层，其图案化的表面可以帮助器件内部光子纵向传播，从而提高光提取效率；用于Micro‑LED全彩显示，显示效果好，且制作工艺简单，避免巨量转移，成本低，可以作为显示器的封装层，更易于批量化生产。
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公开(公告)号：CN115763518A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211444320.7
申请日：2022-11-18
申请人： 厦门大学
摘要： 本发明公开了一种基于微流控技术的高品质Micro‑LED全彩显示器件及制备方法，于透明基底上形成图案化金属层，图案化金属层具有阵列排布的透光开口，利用阵列化透光的金属层作为量子点沉积区域，并通过微流控芯片技术对不同的阵列填充红色和绿色量子点，作为红色和绿色子像素色转换层，再与蓝光Micro‑LED键合制备Micro‑LED全彩显示器件，子像素点之间的金属层为不透光材质，子像素点之间的红、绿、蓝光只能从预设的阵列区域透射出来，降低相同颜色和不同颜色子像素点发射的光之间的窜扰，提升Micro‑LED器件的光品质。
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