-
公开(公告)号：CN113451416B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202110724386.0
申请日：2021-06-29
申请人： 厦门市三安集成电路有限公司
IPC分类号： H01L29/872 , H01L29/06 , H01L29/47 , H01L23/31 , H01L21/329 , H01L21/56
摘要： 一种功率器件及其制备方法，涉及半导体器件技术领域。该功率器件包括：宽带隙衬底；设置于宽带隙衬底上的宽带隙漂移层；设置于宽带隙漂移层中的有源区和边缘终端区；设置于宽带隙漂移层上，且被配置为从有源区边缘开始覆盖边缘终端区表面的第一钝化层；设置于有源区上且与有源区之间为肖特基接触的金属电极层；金属电极层具有高出第一钝化层的台阶，台阶具有朝向第一钝化层且与第一钝化层相接的第一侧面，在相接处形成有朝向边缘终端区的第一夹角a2；填充第一夹角a2的第一材料层；设置于第一材料层上的第二钝化层；第一材料层的材料的膨胀系数为a，金属电极层的材料的膨胀系数为b，第二钝化层的材料的膨胀系数为c，其中，a>b>c。
-
公开(公告)号：CN113707710A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202110865617.X
申请日：2021-07-29
申请人： 厦门市三安集成电路有限公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/16 , H01L29/47 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/331
摘要： 本发明公开了一种碳化硅功率器件及其制作方法，碳化硅功率器件包括碳化硅衬底、碳化硅外延层、介质层、金属层、第一钝化层、第二钝化层和第三钝化层，金属层覆盖在介质层的边缘上方，并具有高于介质层的金属台阶；金属层远离碳化硅外延层的表面具有凹槽和位于凹槽边缘的第一端面，第一端面连接金属台阶朝向介质层的侧壁和凹槽，凹槽内设置有金属层窗口；第一钝化层设置在所述金属台阶的侧壁上，并从金属台阶的侧壁向介质层延伸；第二钝化层设置在凹槽内，覆盖金属层窗口以外的区域，因此可以有效减小钝化层与金属层之间的应力，避免因封装工艺对器件施加的压力导致钝化层产生裂纹，从而增强器件阻隔水汽侵入的能力，提高器件的稳定性和可靠性。
-
公开(公告)号：CN113451416A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110724386.0
申请日：2021-06-29
申请人： 厦门市三安集成电路有限公司
IPC分类号： H01L29/872 , H01L29/06 , H01L29/47 , H01L23/31 , H01L21/329 , H01L21/56
摘要： 一种功率器件及其制备方法，涉及半导体器件技术领域。该功率器件包括：宽带隙衬底；设置于宽带隙衬底上的宽带隙漂移层；设置于宽带隙漂移层中的有源区和边缘终端区；设置于宽带隙漂移层上，且被配置为从有源区边缘开始覆盖边缘终端区表面的第一钝化层；设置于有源区上且与有源区之间为肖特基接触的金属电极层；金属电极层具有高出第一钝化层的台阶，台阶具有朝向第一钝化层且与第一钝化层相接的第一侧面，在相接处形成有朝向边缘终端区的第一夹角a2；填充第一夹角a2的第一材料层；设置于第一材料层上的第二钝化层；第一材料层的材料的膨胀系数为a，金属电极层的材料的膨胀系数为b，第二钝化层的材料的膨胀系数为c，其中，a>b>c。
-
公开(公告)号：CN113451127A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110718653.3
申请日：2021-06-28
申请人： 厦门市三安集成电路有限公司
IPC分类号： H01L21/329 , H01L21/56 , H01L29/872 , H01L29/47 , H01L23/31
摘要： 本申请提供一种功率器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，方法包括：器件结构包括宽带隙衬底和形成于宽带隙衬底上的宽带隙漂移层，其中，宽带隙漂移层包括有源区和形成于有源区外围的终端区；在宽带隙漂移层上形成覆盖有源区和终端区的场氧层；在场氧层上形成覆盖有源区和终端区的第一钝化层；刻蚀第一钝化层和场氧层，形成露出有源区的电极设置窗口；通过电极设置窗口形成金属层，金属层在沿宽带隙衬底向宽带隙漂移层的方向高于第一钝化层，金属层与有源区之间为肖特基接触。如此，在进行可靠性测试时，第一钝化层不会因为金属层形变发生开裂，从而增强了功率器件防水汽侵蚀的能力，提高了功率器件在高温高湿环境中长期工作的可靠性。
-
-
-
搜索结果
4 条记录 (耗时 0.172 秒)
