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公开(公告)号：CN101963733B
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201010277150.9
申请日：2010-09-07
申请人： 友达光电股份有限公司
CPC分类号： G09G3/3446 , G02F1/167 , G02F2001/1676 , G09G2300/0434
摘要： 本发明公开了一种电泳式显示元件。在该电泳式显示元件中，太阳能电池形成于基板上；下电极构件形成在太阳能电池上；电泳显示面板形成在下电极构件上，且具有多个电泳单元结构在空间中以矩阵型式排列，每个电泳单元结构包含多个带电粒子可响应所施加的电场而在电泳单元结构中移动；上电极构件形成在电泳显示面板上。下电极构件与上电极构件其中至少之一者包含多个水平开关(IPS)电极。每个水平开关电极相对于对应的电泳单元结构设置，以控制其中的带电粒子沿着平行于电泳显示面板的水平方向的移动。
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公开(公告)号：CN101963733A
公开(公告)日：2011-02-02
申请号：CN201010277150.9
申请日：2010-09-07
申请人： 友达光电股份有限公司
CPC分类号： G09G3/3446 , G02F1/167 , G02F2001/1676 , G09G2300/0434
摘要： 本发明公开了一种电泳式显示元件。在该电泳式显示元件中，太阳能电池形成于基板上；下电极构件形成在太阳能电池上；电泳显示面板形成在下电极构件上，且具有多个电泳单元结构在空间中以矩阵型式排列，每个电泳单元结构包含多个带电粒子可响应所施加的电场而在电泳单元结构中移动；上电极构件形成在电泳显示面板上。下电极构件与上电极构件其中至少之一者包含多个水平开关(IPS)电极。每个水平开关电极相对于对应的电泳单元结构设置，以控制其中的带电粒子沿着平行于电泳显示面板的水平方向的移动。
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公开(公告)号：CN101387781B
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN200810171156.0
申请日：2008-10-22
申请人： 友达光电股份有限公司
IPC分类号： G02F1/1333 , G02F1/133 , G02F1/1337 , G02F1/1362
摘要： 本发明公开了一种液晶显示面板及其制作方法。此制作方法包括提供一面板，其包括一第一基板、一具有一对向电极的第二基板与一液晶层。第一基板具有扫描配线、数据配线、电性连接扫描配线与数据配线的主动组件及电性连接主动组件的像素电极。位于第一基板与第二基板之间的液晶层具有液晶分子与一单体材料。对扫描配线与数据配线分别施加一第一固化电压与一第二固化电压，以直接施加第二固化电压至像素电极。第一固化电压大于第二固化电压的绝对值。聚合液晶层内的单体材料以在第一基板与液晶层间形成一第一聚合物稳定配向层，并在第二基板与液晶层间形成一第二聚合物稳定配向层。移除电场。
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公开(公告)号：CN101261962B
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200810095812.3
申请日：2008-04-24
申请人： 友达光电股份有限公司
IPC分类号： H01L21/84 , H01L21/768 , H01L27/12 , H01L23/522 , G02F1/1362
摘要： 一种有源元件阵列基板及其制造方法，本发明通过形成图案化第一金属层、绝缘层、图案化半导体层、与图案化金属复层等，作为阵列基板中的薄膜晶体管、栅极导线、栅极连接焊盘、数据导线、数据连接焊盘及存储电极等元件，并通过对特定膜层部分进行选择性蚀刻步骤的手段，形成具有底切结构的膜层配置，进而减少阵列基板制造方法中所涉及的程序复杂且耗时的光掩模蚀刻程序次数，以相对简易且省时的工艺步骤提供一阵列基板。
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公开(公告)号：CN101131539B
公开(公告)日：2010-04-14
申请号：CN200710151634.7
申请日：2007-09-21
申请人： 友达光电股份有限公司
IPC分类号： G03F7/00 , G03F1/00 , G02F1/13357
CPC分类号： G03F7/40 , G02F1/133504 , G02F1/133555 , G02F2201/123 , G03F7/0007 , H01R13/6675 , H02J7/0068 , Y10T307/625 , Y10T428/1068
摘要： 本发明公开了一种液晶显示面板、液晶显示器的光反射结构及其制造方法，在半穿透半反射式或反射式液晶显示器中产生一个光反射结构，该方法使用一个或一个以上在基板上形成的不透光图层为光掩模，在背面曝光工艺中使光刻胶层曝光。在曝光过的光刻胶层被显影之后，热处理或紫外线固化工艺被用来重塑光刻胶层以重新成型较多或较少地连续性但是不均匀的表面。之后，反射涂层被沉积在不均匀的表面。在较低的光掩模跟基板中间及较顶部的光掩模跟感光保护层中间可加入一个或多个中间层，该光掩模和中间层的制成与液晶显示面板构成有相关联。
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公开(公告)号：CN100590854C
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200710166952.0
申请日：2007-11-08
申请人： 友达光电股份有限公司
IPC分类号： H01L21/84 , H01L21/768 , H01L27/12 , H01L23/522 , G02F1/1362
摘要： 本发明涉及一种边缘场切换液晶显示器的像素结构及其制造方法，提供了包含控制区域及显示区域的像素结构的制造方法，该方法包含：在基板上形成包含数据线及栅极的图案化第一导电层；在该基板上形成覆盖该图案化第一导电层的第一绝缘层；在该栅极上的第一绝缘层上形成图案化半导体层；形成包含源极、漏极及栅极线的图案化第二导电层；形成电性连接该漏极并覆盖该显示区域的像素电极；形成第二绝缘层；图案化该第二绝缘层及该第一绝缘层；以及形成包含数据线连接电极、栅极线连接电极以及共通电极的图案化第三导电层。本发明制造方法仅需六道光刻与蚀刻工艺，节省了制造成本与制造时间，并且像素结构仅包含二层绝缘层，进一步提升像素结构的透光性。
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公开(公告)号：CN100514168C
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200710140138.1
申请日：2007-08-06
申请人： 友达光电股份有限公司
IPC分类号： G02F1/1362 , G09G3/36 , H01L21/3205
摘要： 本发明公开了一种像素结构及其制造方法。首先，于基板上形成第一图案化导体层，其包括栅极以及数据线。接着，于基板上形成栅极绝缘层，以覆盖第一图案化导体层，并于栅极上方的栅极绝缘层上形成半导体通道层。然后，于栅极绝缘层以及半导体通道层上形成第二图案化导体层，其包括扫描线、共通电极线以及源极与漏极。扫描线与栅极电性连接，共通电极线位于数据线上方，而源极与漏极位于半导体通道层上，且源极电性连接数据线。随之，于基板上形成保护层，以覆盖第二图案化导体层，然后于保护层上形成像素电极，且像素电极与漏极电性连接。
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公开(公告)号：CN101261962A
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200810095812.3
申请日：2008-04-24
申请人： 友达光电股份有限公司
IPC分类号： H01L21/84 , H01L21/768 , H01L27/12 , H01L23/522 , G02F1/1362
摘要： 一种有源元件阵列基板及其制造方法，本发明通过形成图案化第一金属层、绝缘层、图案化半导体层、与图案化金属复层等，作为阵列基板中的薄膜晶体管、栅极导线、栅极连接焊盘、数据导线、数据连接焊盘及存储电极等元件，并通过对特定膜层部分进行选择性蚀刻步骤的手段，形成具有底切结构的膜层配置，进而减少阵列基板制造方法中所涉及的程序复杂且耗时的光掩模蚀刻程序次数，以相对简易且省时的工艺步骤提供一阵列基板。
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公开(公告)号：CN101150091A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200710166952.0
申请日：2007-11-08
申请人： 友达光电股份有限公司
IPC分类号： H01L21/84 , H01L21/768 , H01L27/12 , H01L23/522 , G02F1/1362
摘要： 本发明涉及一种边缘场切换液晶显示器的像素结构及其制造方法，提供了包含控制区域及显示区域的像素结构的制造方法，该方法包含：在基板上形成包含数据线及栅极的图案化第一导电层；在该基板上形成覆盖该图案化第一导电层的第一绝缘层；在该栅极上的第一绝缘层上形成图案化半导体层；形成包含源极、漏极及栅极线的图案化第二导电层；形成电性连接该漏极并覆盖该显示区域的像素电极；形成第二绝缘层；图案化该第二绝缘层及该第一绝缘层；以及形成包含数据线连接电极、栅极线连接电极以及共通电极的图案化第三导电层。本发明制造方法仅需六道光刻与蚀刻工艺，节省了制造成本与制造时间，并且像素结构仅包含二层绝缘层，进一步提升像素结构的透光性。
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公开(公告)号：CN100365496C
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200510114005.8
申请日：2005-10-13
申请人： 友达光电股份有限公司
IPC分类号： G02F1/1362 , G02F1/1343
摘要： 一种有源器件矩阵基板，包括一基板、多条扫描线、多条数据线以及多个像素单元。扫描线与数据线皆配置于基板上，其中在任二相邻的扫描线之间，每一数据线具有一第一线段、一第二线段以及一连接第一线段与第二线段的连接线段。像素单元配置于基板上，且分别与对应的扫描线及数据线电连接，其中在任二相邻的扫描线之间，每一数据线的第一线段与第二线段分别位于与其相邻的二像素单元的下方。
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