公开(公告)号：CN100559570C

公开(公告)日：2009-11-11

申请号：CN200810134304.1

申请日：2008-07-22

申请人： 友达光电股份有限公司

发明人： 赖哲永 ,  张宗隆 ,  蔡佳琪 ,  童振邦 ,  张家铭 ,  江俊毅 ,  余宙桓 ,  萧祥志 ,  周汉唐 ,  张峻恺 ,  廖达文

IPC分类号： H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  G02F1/1362

摘要： 本发明提供一种像素结构的制作方法，该方法如下所述。首先，于基板上形成栅极，并于基板上形成栅绝缘层以覆盖栅极。然后，于栅绝缘层上形成沟道层并于沟道层与栅绝缘层上形成导电层。接着，于导电层上形成具有彩色滤光层容纳开口的感光型黑矩阵，其包括第一区块与第二区块，第一区块的厚度小于第二区块的厚度。然后，以感光型黑矩阵为光掩膜图案化导电层以于沟道层上形成源极与漏极。之后，通过喷墨印刷工艺于彩色滤光层容纳开口内形成彩色滤光层，并于感光型黑矩阵与彩色滤光层上形成介电层。然后，图案化介电层以使漏极暴露并形成与漏极电连接的像素电极。

公开(公告)号：CN101330060A

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200810134305.6

申请日：2008-07-22

申请人： 友达光电股份有限公司

发明人： 余宙桓 ,  江俊毅 ,  蔡佳琪 ,  童振邦 ,  萧祥志 ,  张家铭 ,  张宗隆 ,  赖哲永 ,  周汉唐 ,  张峻恺 ,  廖达文

IPC分类号： H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  G02F1/1362

摘要： 本发明提供一种像素结构的制作方法，该方法包括下列步骤。首先，于基板上形成栅极以及覆盖栅极的栅绝缘层。之后，于栅绝缘层上依序形成半导体层、导电层以及彩色滤光层容纳开口的感光型黑矩阵，感光型黑矩阵包括第一区块以及第二区块，且第一区块的厚度小于第二区块的厚度。之后，以感光型黑矩阵为光掩膜，于栅极上方的栅绝缘层上同时形成沟道层、源极以及漏极。接着，于上述膜层上形成保护层，并通过喷墨印刷工艺于彩色滤光层容纳开口内形成彩色滤光层，并形成介电层，且进行介电层与保护层的图案化工艺，以暴露漏极。之后，形成一与漏极电连接的像素电极。

公开(公告)号：CN101330061A

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200810134306.0

申请日：2008-07-22

申请人： 友达光电股份有限公司

发明人： 廖达文 ,  童振邦 ,  张家铭 ,  张宗隆 ,  赖哲永 ,  江俊毅 ,  余宙桓 ,  萧祥志 ,  周汉唐 ,  张峻恺

IPC分类号： H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  G02F1/1362

摘要： 本发明提供一种像素结构的制作方法，该方法包括下列步骤。首先，于基板上形成栅极。接着，于基板上形成栅绝缘层以覆盖栅极，并于栅极上方的栅绝缘层上同时形成沟道层、源极以及漏极，其中栅极、沟道层、源极以及漏极构成薄膜晶体管。继之，于薄膜晶体管以及栅绝缘层上形成保护层，并于保护层上形成黑矩阵，其中黑矩阵具有位于漏极上方的接触开口以及彩色滤光层容纳开口。之后，通过喷墨印刷工艺于彩色滤光层容纳开口内形成彩色滤光层，并于黑矩阵与彩色滤光层上形成介电层。接着，图案化介电层与保护层，以使漏极暴露。接着，形成与漏极电连接的像素电极。

公开(公告)号：CN101330059A

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200810134304.1

申请日：2008-07-22

申请人： 友达光电股份有限公司

发明人： 赖哲永 ,  张宗隆 ,  蔡佳琪 ,  童振邦 ,  张家铭 ,  江俊毅 ,  余宙桓 ,  萧祥志 ,  周汉唐 ,  张峻恺 ,  廖达文

IPC分类号： H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  G02F1/1362

摘要： 本发明提供一种像素结构的制作方法，该方法如下所述。首先，于基板上形成栅极，并于基板上形成栅绝缘层以覆盖栅极。然后，于栅绝缘层上形成沟道层并于沟道层与栅绝缘层上形成导电层。接着，于导电层上形成具有彩色滤光层容纳开口的感光型黑矩阵，其包括第一区块与第二区块，第一区块的厚度小于第二区块的厚度。然后，以感光型黑矩阵为光掩膜图案化导电层以于沟道层上形成源极与漏极。之后，通过喷墨印刷工艺于彩色滤光层容纳开口内形成彩色滤光层，并于感光型黑矩阵与彩色滤光层上形成介电层。然后，图案化介电层以使漏极暴露并形成与漏极电连接的像素电极。

公开(公告)号：CN101330061B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200810134306.0

申请日：2008-07-22

申请人： 友达光电股份有限公司

发明人： 廖达文 ,  童振邦 ,  张家铭 ,  张宗隆 ,  赖哲永 ,  江俊毅 ,  余宙桓 ,  萧祥志 ,  周汉唐 ,  张峻恺

IPC分类号： H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  G02F1/1362

摘要： 本发明提供一种像素结构的制作方法，该方法包括下列步骤。首先，于基板上形成栅极。接着，于基板上形成栅绝缘层以覆盖栅极，并于栅极上方的栅绝缘层上同时形成沟道层、源极以及漏极，其中栅极、沟道层、源极以及漏极构成薄膜晶体管。继之，于薄膜晶体管以及栅绝缘层上形成保护层，并于保护层上形成黑矩阵，其中黑矩阵具有位于漏极上方的接触开口以及彩色滤光层容纳开口。之后，通过喷墨印刷工艺于彩色滤光层容纳开口内形成彩色滤光层，并于黑矩阵与彩色滤光层上形成介电层。接着，图案化介电层与保护层，以使漏极暴露。接着，形成与漏极电连接的像素电极。

公开(公告)号：CN100559571C

公开(公告)日：2009-11-11

申请号：CN200810134305.6

申请日：2008-07-22

申请人： 友达光电股份有限公司

发明人： 余宙桓 ,  江俊毅 ,  蔡佳琪 ,  童振邦 ,  萧祥志 ,  张家铭 ,  张宗隆 ,  赖哲永 ,  周汉唐 ,  张峻恺 ,  廖达文

IPC分类号： H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  G02F1/1362

摘要： 本发明提供一种像素结构的制作方法，该方法包括下列步骤。首先，于基板上形成栅极以及覆盖栅极的栅绝缘层。之后，于栅绝缘层上依序形成半导体层、导电层以及彩色滤光层容纳开口的感光型黑矩阵，感光型黑矩阵包括第一区块以及第二区块，且第一区块的厚度小于第二区块的厚度。之后，以感光型黑矩阵为光掩膜，于栅极上方的栅绝缘层上同时形成沟道层、源极以及漏极。接着，于上述膜层上形成保护层，并通过喷墨印刷工艺于彩色滤光层容纳开口内形成彩色滤光层，并形成介电层，且进行介电层与保护层的图案化工艺，以暴露漏极。之后，形成一与漏极电连接的像素电极。