公开(公告)号：CN1109205A

公开(公告)日：1995-09-27

申请号：CN94120129.5

申请日：1994-11-29

Applicant: 双叶电子工业株式会社

Inventor： 高木俊宜 ,  伊藤茂生 ,  谷口昌照 ,  渡边照男 ,  新山刚宏

IPC: H01J19/24 ,  H01J19/02

CPC classification number: H01J3/022 ,  H01J1/3042 ,  H01J2201/319

Abstract: 一种场致发射型电子源，可使阴极布线与每个发射极锥体之间的电阻值保持在实质上相同的水平，并可提高发射极锥体的封装密度。电子源包括设置在绝缘基片上的条状阴极布线。每个阴极布线上形成有多个窗口，以使多个岛状阴极导体和电阻值各不相同的多个电阻层与阴极布线分隔而设。然后，在其上形成电阻层、绝缘层和栅电极。在栅电极和绝缘层按两者共用方式形成开口，其内设置发射极锥体，由此使每个集合单元的发射极锥体的电子发射均匀。

公开(公告)号：CN100559545C

公开(公告)日：2009-11-11

申请号：CN200610007049.5

申请日：2006-02-14

Applicant: 双叶电子工业株式会社

Inventor： 安冈佑介 ,  加藤雅弘 ,  渡边照男 ,  富士原浩二

IPC: H01J31/15

Abstract: 本发明公开一种IC芯片涂覆材料包括：第一金属氧化物颗粒；金属醇盐；有机溶剂；及第二金属氧化物颗粒和/或复合氧化物的扁平颗粒，所述第二金属氧化物颗粒具有与所述第一金属氧化物颗粒相同或不同的成分，并具有与所述第一金属氧化物颗粒不同的平均颗粒尺寸和/或形状。还公开一种真空荧光显示装置包括：IC芯片，其中所述IC芯片至少部分被涂覆有涂覆材料层，所述涂覆材料层包括：第一金属氧化物颗粒；形成金属醇盐的金属；以及第二金属氧化物颗粒和/或复合氧化物的扁平颗粒。

公开(公告)号：CN1822304A

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN200610007049.5

申请日：2006-02-14

Applicant: 双叶电子工业株式会社

Inventor： 安冈佑介 ,  加藤雅弘 ,  渡边照男 ,  富士原浩二

IPC: H01J31/15

Abstract: 本发明公开一种IC芯片涂覆材料包括：第一金属氧化物颗粒；金属醇盐；有机溶剂；及第二金属氧化物颗粒和/或复合氧化物的扁平颗粒，所述第二金属氧化物颗粒具有与所述第一金属氧化物颗粒相同或不同的成分，并具有与所述第一金属氧化物颗粒不同的平均颗粒尺寸和/或形状。还公开一种真空荧光显示装置包括：IC芯片，其中所述IC芯片至少部分被涂覆有涂覆材料层，所述涂覆材料层包括：第一金属氧化物颗粒；形成金属醇盐的金属；以及第二金属氧化物颗粒和/或复合氧化物的扁平颗粒。

公开(公告)号：CN1059751C

公开(公告)日：2000-12-20

申请号：CN94120129.5

申请日：1994-11-29

Applicant: 双叶电子工业株式会社

Inventor： 高木俊宜 ,  伊藤茂生 ,  谷口昌照 ,  渡边照男 ,  新山刚宏

IPC: H01J1/30 ,  H01J31/12

CPC classification number: H01J3/022 ,  H01J1/3042 ,  H01J2201/319

Abstract: 一种场致发射型电子源，其阴极布线与每个发射极锥体之间的电阻值基本相同，并且该场致发射型电子源，还包括设置在所述阴极布线的区域中的并与所述阴极布线分隔开的多个阴极导体；该阴极布线与阴极导体通过电阻层电连接；该发射极被制成锥状，直接或通过电阻层设置在阴极导体上，这种场致发射型电子源不仅可提高发射极锥体的封装密度，而且还能使得每个集合单元的发射极锥体的电子发射均匀。