公开(公告)号：CN1059751C

公开(公告)日：2000-12-20

申请号：CN94120129.5

申请日：1994-11-29

Applicant: 双叶电子工业株式会社

Inventor： 高木俊宜 ,  伊藤茂生 ,  谷口昌照 ,  渡边照男 ,  新山刚宏

IPC: H01J1/30 ,  H01J31/12

CPC classification number: H01J3/022 ,  H01J1/3042 ,  H01J2201/319

Abstract: 一种场致发射型电子源，其阴极布线与每个发射极锥体之间的电阻值基本相同，并且该场致发射型电子源，还包括设置在所述阴极布线的区域中的并与所述阴极布线分隔开的多个阴极导体；该阴极布线与阴极导体通过电阻层电连接；该发射极被制成锥状，直接或通过电阻层设置在阴极导体上，这种场致发射型电子源不仅可提高发射极锥体的封装密度，而且还能使得每个集合单元的发射极锥体的电子发射均匀。

公开(公告)号：CN1109205A

公开(公告)日：1995-09-27

申请号：CN94120129.5

申请日：1994-11-29

Applicant: 双叶电子工业株式会社

Inventor： 高木俊宜 ,  伊藤茂生 ,  谷口昌照 ,  渡边照男 ,  新山刚宏

IPC: H01J19/24 ,  H01J19/02

CPC classification number: H01J3/022 ,  H01J1/3042 ,  H01J2201/319

Abstract: 一种场致发射型电子源，可使阴极布线与每个发射极锥体之间的电阻值保持在实质上相同的水平，并可提高发射极锥体的封装密度。电子源包括设置在绝缘基片上的条状阴极布线。每个阴极布线上形成有多个窗口，以使多个岛状阴极导体和电阻值各不相同的多个电阻层与阴极布线分隔而设。然后，在其上形成电阻层、绝缘层和栅电极。在栅电极和绝缘层按两者共用方式形成开口，其内设置发射极锥体，由此使每个集合单元的发射极锥体的电子发射均匀。

公开(公告)号：CN1848352B

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN200610004126.1

申请日：2006-02-21

Applicant: 双叶电子工业株式会社 ,  高周波热炼株式会社

Inventor： 利根川武 ,  伊藤茂生 ,  高山定则 ,  谷口昌照 ,  久保泰元 ,  绳卷健司 ,  藤村洋平 ,  浪川卫 ,  丸岛吉久 ,  井户原修 ,  井上好明 ,  横田诚二 ,  川嵜一博

IPC: H01J1/18 ,  H01J29/94 ,  H01J9/39 ,  H01J31/12

CPC classification number: H01J29/94 ,  H01J7/183 ,  H01J9/241 ,  Y10T428/31703

Abstract: 本发明提供了一种适于设置于比如荧光灯管的电子装置中的非挥发吸气剂的非挥发吸气剂材料。将未加工材料(样品A)通过喷射磨方法研磨以制造样品B。将样品B通过珠磨方法研磨以制造样品C和D。样品D的研磨时间比样品C长。样品C和D的每个颗粒为鳞片状形式且具有比样品A和B显著大的比表面积。与样品A和B比较，样品C和D可以在低温下活跃地吸收气体。

公开(公告)号：CN1848352A

公开(公告)日：2006-10-18

申请号：CN200610004126.1

申请日：2006-02-21

Applicant: 双叶电子工业株式会社 ,  高周波热炼株式会社

Inventor： 利根川武 ,  伊藤茂生 ,  高山定则 ,  谷口昌照 ,  久保泰元 ,  绳卷健司 ,  藤村洋平 ,  浪川卫 ,  丸岛吉久 ,  井户原修 ,  井上好明 ,  横田诚二 ,  川嵜一博

IPC: H01J1/18 ,  H01J29/94 ,  H01J9/39 ,  H01J31/12

CPC classification number: H01J29/94 ,  H01J7/183 ,  H01J9/241 ,  Y10T428/31703

Abstract: 本发明提供了一种适于设置于比如荧光灯管的电子装置中的非挥发吸气剂的非挥发吸气剂材料。将未加工材料(样品A)通过喷射磨方法研磨以制造样品B。将样品B通过珠磨方法研磨以制造样品C和D。样品D的研磨时间比样品C长。样品C和D的每个颗粒为鳞片状形式且具有比样品A和B显著大的比表面积。与样品A和B比较，样品C和D可以在低温下活跃地吸收气体。