-
公开(公告)号：CN108713240A
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201780014632.5
申请日：2017-03-27
Applicant: 古河电气工业株式会社
Inventor： 五岛裕介
IPC: H01L21/301 , B23K26/361 , H01L21/304
CPC classification number: B23K26/361 , H01L21/304
Abstract: 一种掩模一体型表面保护带，其为在包括下述工序(a)～(d)的半导体芯片的制造中使用的掩模一体型表面保护带，其中，掩模一体型表面保护带在基材膜上依序具有放射线固化型粘合剂层和放射线固化型掩模材料层，在下述工序(b)中，在放射线照射前，粘合剂层与掩模材料层之间剥离，在放射线放射后，掩模材料层与图案面剥离。[工序(a)～(d)]：(a)在将掩模一体型表面保护带贴合于半导体晶片的图案面侧的状态下，对半导体晶片的背面进行磨削，将晶片固定带贴合于磨削后的半导体晶片的背面，利用环形框进行支持固定的工序；(b)从掩模一体型表面保护带将基材膜与上述粘合剂层一体地剥离而使掩模材料层露出于表面，之后利用激光将掩模材料层中与半导体晶片的切割道相当的部分切断，使半导体晶片的切割道开口的工序；(c)通过SF6等离子体以上述切割道分割半导体晶片，从而单片化为半导体芯片的等离子体切割工序；(d)通过O2等离子体去除上述掩模材料层的灰化工序。
-
公开(公告)号：CN109716502B
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN201780050928.2
申请日：2017-08-28
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/78 , B23K26/38 , C09J201/00
Abstract: 提供一种掩模一体型表面保护带，其为等离子体切割方式用，所述掩模一体型表面保护带在薄膜化程度大的背面磨削工序中的半导体晶片的图案面的保护性、表面保护带的掩模材料层从基材膜的剥离性优异，残胶少，不良芯片的产生少。另外，提供一种无需光刻工艺的掩模一体型表面保护带。
-
公开(公告)号：CN110073470B
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN201880005072.1
申请日：2018-03-07
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J7/20 , C09J201/00 , H01L21/304
Abstract: 一种半导体加工用胶带，其为由基材和设置于该基材的单面的粘合剂层构成的胶带，其特征在于，上述基材由多层结构构成，该多层结构的至少1层为含有80质量％以上环状烯烃聚合物的层A，除该层A之外还具有含有线性低密度聚乙烯或高密度聚乙烯的层B。
-
公开(公告)号：CN111742026B
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202080001315.1
申请日：2020-01-24
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: C09J11/06 , C09J201/00 , H01L21/301 , C09J7/38
Abstract: 一种半导体晶片加工用紫外线固化型胶带和半导体芯片的制造方法以及带的使用方法，该半导体晶片加工用紫外线固化型胶带至少具有基材膜和设置于该基材膜上的紫外线固化型的粘着剂层，其特征在于，在使用特定光源灯的紫外线照射的前后，通过基于JIS Z 0237的对SUS304的90°剥离试验方法所测定的上述胶带的粘着力的值之比在一定范围内。
-
公开(公告)号：CN109075055B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN201880001866.0
申请日：2018-03-27
Applicant: 古河电气工业株式会社
Inventor： 五岛裕介
IPC: H01L21/304 , C09J7/20 , C09J7/30 , C09J7/38 , C09J201/00 , H01L21/301 , H01L21/683
Abstract: 一种半导体晶片表面保护用胶带和使用了该胶带的半导体晶片的加工方法，该半导体晶片表面保护用胶带在40℃～90℃的条件下加热贴合到具有20μm以上的凹凸差的半导体晶片的表面而使用，其中，上述半导体晶片表面保护用胶带具有基材膜、粘合剂层、和位于该基材膜与该粘合剂层之间的中间树脂层，上述中间树脂层的厚度为上述凹凸差以上，构成该中间树脂层的树脂的熔点或维氏软化点为40℃～90℃，构成该中间树脂层的树脂的熔体质量流动速率为10g/10min～100g/10min。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110073470A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201880005072.1
申请日：2018-03-07
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J7/20 , C09J201/00 , H01L21/304
Abstract: 一种半导体加工用胶带，其为由基材和设置于该基材的单面的粘合剂层构成的胶带，其特征在于，上述基材由多层结构构成，该多层结构的至少1层为含有80质量％以上环状烯烃聚合物的层A，除该层A之外还具有含有线性低密度聚乙烯或高密度聚乙烯的层B。
-
公开(公告)号：CN109075055A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201880001866.0
申请日：2018-03-27
Applicant: 古河电气工业株式会社
Inventor： 五岛裕介
IPC: H01L21/304 , C09J7/20 , C09J7/30 , C09J7/38 , C09J201/00 , H01L21/301 , H01L21/683
Abstract: 一种半导体晶片表面保护用胶带和使用了该胶带的半导体晶片的加工方法，该半导体晶片表面保护用胶带在40℃～90℃的条件下加热贴合到具有20μm以上的凹凸差的半导体晶片的表面而使用，其中，上述半导体晶片表面保护用胶带具有基材膜、粘合剂层、和位于该基材膜与该粘合剂层之间的中间树脂层，上述中间树脂层的厚度为上述凹凸差以上，构成该中间树脂层的树脂的熔点或维氏软化点为40℃～90℃，构成该中间树脂层的树脂的熔体质量流动速率为10g/min～100g/min。
-
公开(公告)号：CN108713240B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN201780014632.5
申请日：2017-03-27
Applicant: 古河电气工业株式会社
Inventor： 五岛裕介
IPC: H01L21/301 , B23K26/361 , H01L21/304
Abstract: 一种掩模一体型表面保护带，其为在包括下述工序(a)～(d)的半导体芯片的制造中使用的掩模一体型表面保护带，其中，掩模一体型表面保护带在基材膜上依序具有放射线固化型粘合剂层和放射线固化型掩模材料层，在下述工序(b)中，在放射线照射前，粘合剂层与掩模材料层之间剥离，在放射线放射后，掩模材料层与图案面剥离。[工序(a)～(d)]：(a)在将掩模一体型表面保护带贴合于半导体晶片的图案面侧的状态下，对半导体晶片的背面进行磨削，将晶片固定带贴合于磨削后的半导体晶片的背面，利用环形框进行支持固定的工序；(b)从掩模一体型表面保护带将基材膜与上述粘合剂层一体地剥离而使掩模材料层露出于表面，之后利用激光将掩模材料层中与半导体晶片的切割道相当的部分切断，使半导体晶片的切割道开口的工序；(c)通过SF6等离子体以上述切割道分割半导体晶片，从而单片化为半导体芯片的等离子体切割工序；(d)通过O2等离子体去除上述掩模材料层的灰化工序。
-
公开(公告)号：CN111742026A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN202080001315.1
申请日：2020-01-24
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: C09J11/06 , C09J201/00 , H01L21/301 , C09J7/38
Abstract: 一种半导体晶片加工用紫外线固化型胶带和半导体芯片的制造方法以及带的使用方法，该半导体晶片加工用紫外线固化型胶带至少具有基材膜和设置于该基材膜上的紫外线固化型的粘着剂层，其特征在于，在使用特定光源灯的紫外线照射的前后，通过基于JIS Z 0237的对SUS304的90°剥离试验方法所测定的上述胶带的粘着力的值之比在一定范围内。
-
公开(公告)号：CN109716502A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201780050928.2
申请日：2017-08-28
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/78 , B23K26/38 , C09J201/00
Abstract: 提供一种掩模一体型表面保护带，其为等离子体切割方式用，所述掩模一体型表面保护带在薄膜化程度大的背面磨削工序中的半导体晶片的图案面的保护性、表面保护带的掩模材料层从基材膜的剥离性优异，残胶少，不良芯片的产生少。另外，提供一种无需光刻工艺的掩模一体型表面保护带。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
10
records
(took 0.023 seconds)
