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公开(公告)号：CN109699189B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN201880002974.X
申请日：2018-02-22
申请人： 古河电气工业株式会社
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/78 , B32B7/02 , B32B7/12
摘要： [课题]提供一种掩模一体型表面保护带和半导体芯片的制造方法，该掩模一体型表面保护带在使用等离子体切割方式的半导体芯片的制造中，不需要利用光刻工艺形成掩模，在半导体芯片制造的各工序中显示出优异的性能，操作性、作业性也优异。[解决手段]一种掩模一体型表面保护带和半导体芯片的制造方法，该掩模一体型表面保护带至少具有基材膜和掩模材料层，该掩模一体型表面保护带的特征在于，上述掩模材料层与基材膜相接触地设置、或使粘合剂层介于掩模材料层与基材膜之间而设置，上述掩模材料层在355nm的波长区域中的平行光线透射率为30％以下。
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公开(公告)号：CN110073470B
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN201880005072.1
申请日：2018-03-07
申请人： 古河电气工业株式会社
IPC分类号： H01L21/301 , C09J7/20 , C09J201/00 , H01L21/304
摘要： 一种半导体加工用胶带，其为由基材和设置于该基材的单面的粘合剂层构成的胶带，其特征在于，上述基材由多层结构构成，该多层结构的至少1层为含有80质量％以上环状烯烃聚合物的层A，除该层A之外还具有含有线性低密度聚乙烯或高密度聚乙烯的层B。
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公开(公告)号：CN103509479A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201310260994.6
申请日：2013-06-27
申请人： 古河电气工业株式会社
IPC分类号： C09J7/02
摘要： 本发明提供半导体晶片加工用胶带，该半导体晶片加工用胶带可降低半导体晶片加工时晶片的翘曲、晶片背面的韧窝、晶片表面电极上的余胶及表面污染，可进行晶片薄膜磨削。
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公开(公告)号：CN110546739A
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201980001937.1
申请日：2019-01-09
申请人： 古河电气工业株式会社
IPC分类号： H01L21/301 , B23K26/351 , C09J7/22 , C09J7/38 , C09J133/00 , C09J163/00 , C09J175/04 , H01L21/302 , H01L21/304 , H01L21/3065
摘要： 在半导体晶片(1)的磨削后，使半导体晶片(1)的表面(S)侧与静电夹头(9)相向，将半导体晶片(1)固定于静电夹头(9)。接着，在贴合有表面保护带(3)的状态下，在经磨削的半导体晶片(1)的背面(B)形成掩模材料层。接着，从背面(B)侧，对与在图案面(2)适宜形成为格子状等的多个切割道相当的部分照射激光，切断掩模带(11)，将半导体晶片(1)的切割道开口。接着，从背面(B)侧照射SF6等离子体，对在切割道部分露出的半导体晶片(1)进行蚀刻。接着，利用O2等离子体(19)进行灰化。
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公开(公告)号：CN110024086A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201880002965.0
申请日：2018-07-27
申请人： 古河电气工业株式会社
IPC分类号： H01L21/301 , C09J4/00 , C09J7/38
摘要： 从表面侧照射SF6气体等离子体，由此蚀刻在切割道部分露出的半导体晶片(1)，分割成各个半导体的芯片(7)而进行单片化。接着，从掩模材料层(3b)的表面侧贴合剥离带(16)。剥离带(16)通过将粘合剂层(16b)设置于基材膜(16a)而构成。在贴合剥离带(16)并使其固化后，将剥离带(16)与掩模材料层(3b)一起剥离。即，将掩模材料层(3b)粘接于剥离带(16)，将掩模材料层(3b)从图案面(2)剥离。
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公开(公告)号：CN107075322B
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201580056130.X
申请日：2015-04-30
申请人： 古河电气工业株式会社
IPC分类号： C09J7/30 , C09J4/00 , C09J133/00 , H01L21/304
摘要： 一种带凸块半导体晶片表面保护用胶带和带凸块半导体晶片的加工方法，该带凸块半导体晶片表面保护用胶带是在基材膜上具有紫外线固化性的粘合剂层的带凸块半导体晶片表面保护用胶带，其中，该粘合剂层含有重均分子量为1万以上200万以下并具有含放射线固化型碳‑碳双键的基团、羟基和羧基的(甲基)丙烯酸聚合物，紫外线照射前的该粘合剂层表面的表面自由能为25.5mN/m以上且小于35mN/m，经紫外线照射的固化后的该粘合剂层的表面与紫外线照射前的该粘合剂层的表面相比表面自由能高5mN/m以上，并且对二碘甲烷的接触角小，构成上述粘合剂层表面的聚合物的羟值为30mgKOH/g～100mgKOH/g，构成上述粘合剂层表面的聚合物的酸值为5mgKOH/g～65mgKOH/g。
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公开(公告)号：CN109699189A
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201880002974.X
申请日：2018-02-22
申请人： 古河电气工业株式会社
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/78 , B32B7/02 , B32B7/12
摘要： [课题]提供一种掩模一体型表面保护带和半导体芯片的制造方法，该掩模一体型表面保护带在使用等离子体切割方式的半导体芯片的制造中，不需要利用光刻工艺形成掩模，在半导体芯片制造的各工序中显示出优异的性能，操作性、作业性也优异。[解决手段]一种掩模一体型表面保护带和半导体芯片的制造方法，该掩模一体型表面保护带至少具有基材膜和掩模材料层，该掩模一体型表面保护带的特征在于，上述掩模材料层与基材膜相接触地设置、或使粘合剂层介于掩模材料层与基材膜之间而设置，上述掩模材料层在355nm的波长区域中的平行光线透射率为30％以下。
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公开(公告)号：CN107431004A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201680020678.3
申请日：2016-11-07
申请人： 古河电气工业株式会社
IPC分类号： H01L21/301 , B23K26/351 , C09J4/00 , C09J7/02 , C09J11/06 , C09J133/00 , H01L21/304
CPC分类号： H01L23/562 , B23K26/38 , B23K26/402 , B23K2101/40 , B23K2103/172 , C09J4/00 , C09J7/243 , C09J7/35 , C09J7/38 , C09J7/40 , C09J7/401 , C09J133/00 , C09J133/08 , C09J2203/326 , C09J2423/006 , C09J2427/005 , C09J2433/00 , H01L21/02076 , H01L21/304 , H01L21/3065 , H01L21/6836 , H01L21/78
摘要： 一种掩模一体型表面保护带，其为在利用等离子体切割的半导体芯片的制造中使用的掩模一体型表面保护带，该掩模一体型表面保护带具有基材膜、设置于该基材膜上的粘合剂层、和设置于该粘合剂层上的掩模材料层，该掩模材料层和该粘合剂层均含有(甲基)丙烯酸系共聚物。
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公开(公告)号：CN107210207A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201680008788.8
申请日：2016-11-07
申请人： 古河电气工业株式会社
IPC分类号： H01L21/301 , B23K26/351 , C09J7/02 , C09J201/00 , H01L21/304 , H01L21/52
CPC分类号： B23K26/351 , B23K26/362 , C09J7/20 , C09J201/00 , H01L21/304 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381
摘要： 一种半导体芯片的制造方法，其包括下述工序(a)～(d)。(a)在将掩模一体型表面保护带贴合于半导体晶片的图案面侧的状态下，对半导体晶片的背面进行磨削，将晶片固定带贴合于磨削后的背面，利用环形框进行固定的工序；(b)剥离表面保护带而使掩模材料层露出于表面后，使半导体晶片的切割道开口的工序；(c)通过等离子体照射而使半导体晶片单片化为芯片的等离子体切割工序；和(d)通过等离子体照射去除上述掩模材料层的灰化工序。
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公开(公告)号：CN107075322A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580056130.X
申请日：2015-04-30
申请人： 古河电气工业株式会社
IPC分类号： C09J7/02 , C09J4/00 , C09J133/00 , H01L21/304
CPC分类号： C09J4/00 , C09J7/20 , C09J133/00 , H01L21/304
摘要： 一种带凸块半导体晶片表面保护用胶带和带凸块半导体晶片的加工方法，该带凸块半导体晶片表面保护用胶带是在基材膜上具有紫外线固化性的粘合剂层的带凸块半导体晶片表面保护用胶带，其中，该粘合剂层含有重均分子量为1万以上200万以下并具有含放射线固化型碳‑碳双键的基团、羟基和羧基的(甲基)丙烯酸聚合物，紫外线照射前的该粘合剂层表面的表面自由能为25.5mN/m以上且小于35mN/m，经紫外线照射的固化后的该粘合剂层的表面与紫外线照射前的该粘合剂层的表面相比表面自由能高5mN/m以上，并且对二碘甲烷的接触角小，构成上述粘合剂层表面的聚合物的羟值为30mgKOH/g～100mgKOH/g，构成上述粘合剂层表面的聚合物的酸值为5mgKOH/g～65mgKOH/g。
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