-
公开(公告)号：CN109716502B
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN201780050928.2
申请日：2017-08-28
申请人： 古河电气工业株式会社
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/78 , B23K26/38 , C09J201/00
摘要： 提供一种掩模一体型表面保护带，其为等离子体切割方式用，所述掩模一体型表面保护带在薄膜化程度大的背面磨削工序中的半导体晶片的图案面的保护性、表面保护带的掩模材料层从基材膜的剥离性优异，残胶少，不良芯片的产生少。另外，提供一种无需光刻工艺的掩模一体型表面保护带。
-
公开(公告)号：CN112368107B
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202080003824.8
申请日：2020-03-04
申请人： 古河电气工业株式会社
IPC分类号： B23K26/53 , H01L21/301
摘要： 本发明提供可以在短时间内充分进行加热收缩、并可以保持切口宽度的玻璃加工用胶带。本发明的玻璃加工用胶带(10)的特征在于，具有粘合胶带(15)，所述粘合胶带(15)具有基材膜(11)和形成于上述基材膜(11)的至少一面侧的粘合剂层(12)，上述粘合胶带(15)的MD方向的利用热机械特性试验机在升温时测定的40℃～80℃之间的每1℃的热变形率的微分值的总和与TD方向的利用热机械特性试验机在升温时测定的40℃～80℃之间的每1℃的热变形率的微分值的总和之和为负值，所述玻璃加工用胶带(10)用于包含扩张粘合胶带(15)的扩张工序的玻璃的加工。
-
公开(公告)号：CN112368107A
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN202080003824.8
申请日：2020-03-04
申请人： 古河电气工业株式会社
IPC分类号： B23K26/53 , H01L21/301
摘要： 本发明提供可以在短时间内充分进行加热收缩、并可以保持切口宽度的玻璃加工用胶带。本发明的玻璃加工用胶带(10)的特征在于，具有粘合胶带(15)，所述粘合胶带(15)具有基材膜(11)和形成于上述基材膜(11)的至少一面侧的粘合剂层(12)，上述粘合胶带(15)的MD方向的利用热机械特性试验机在升温时测定的40℃～80℃之间的每1℃的热变形率的微分值的总和与TD方向的利用热机械特性试验机在升温时测定的40℃～80℃之间的每1℃的热变形率的微分值的总和之和为负值，所述玻璃加工用胶带(10)用于包含扩张粘合胶带(15)的扩张工序的玻璃的加工。
-
公开(公告)号：CN107075322B
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201580056130.X
申请日：2015-04-30
申请人： 古河电气工业株式会社
IPC分类号： C09J7/30 , C09J4/00 , C09J133/00 , H01L21/304
摘要： 一种带凸块半导体晶片表面保护用胶带和带凸块半导体晶片的加工方法，该带凸块半导体晶片表面保护用胶带是在基材膜上具有紫外线固化性的粘合剂层的带凸块半导体晶片表面保护用胶带，其中，该粘合剂层含有重均分子量为1万以上200万以下并具有含放射线固化型碳‑碳双键的基团、羟基和羧基的(甲基)丙烯酸聚合物，紫外线照射前的该粘合剂层表面的表面自由能为25.5mN/m以上且小于35mN/m，经紫外线照射的固化后的该粘合剂层的表面与紫外线照射前的该粘合剂层的表面相比表面自由能高5mN/m以上，并且对二碘甲烷的接触角小，构成上述粘合剂层表面的聚合物的羟值为30mgKOH/g～100mgKOH/g，构成上述粘合剂层表面的聚合物的酸值为5mgKOH/g～65mgKOH/g。
-
公开(公告)号：CN110073469B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN201880005022.3
申请日：2018-11-06
申请人： 古河电气工业株式会社
IPC分类号： H01L21/301 , C09J201/00 , H01L21/304
摘要： 通过从表面(S)侧照射SF6气体等离子体，对在切割道部分露出的半导体晶片(1)进行蚀刻，分割成各个半导体芯片而进行单片化。接着，从表面(S)侧供给除去剂(16)。此时，优选使分割成芯片的半导体晶片(1)高速旋转。通过以上，利用除去剂(16)将残留在表面(S)上的掩模材料层(3b)去除。需要说明的是，作为除去剂(16)，优选为有机溶剂，特别优选为甲基乙基酮、乙醇或乙酸乙酯、或者它们的组合。
-
公开(公告)号：CN107431004B
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN201680020678.3
申请日：2016-11-07
申请人： 古河电气工业株式会社
IPC分类号： H01L21/301 , B23K26/351 , C09J4/00 , C09J7/24 , C09J7/29 , C09J11/06 , C09J133/00 , H01L21/304
摘要： 一种掩模一体型表面保护带，其为在利用等离子体切割的半导体芯片的制造中使用的掩模一体型表面保护带，该掩模一体型表面保护带具有基材膜、设置于该基材膜上的粘合剂层、和设置于该粘合剂层上的掩模材料层，该掩模材料层和该粘合剂层均含有(甲基)丙烯酸系共聚物。
-
公开(公告)号：CN110073469A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201880005022.3
申请日：2018-11-06
申请人： 古河电气工业株式会社
IPC分类号： H01L21/301 , C09J201/00 , H01L21/304
摘要： 通过从表面(S)侧照射SF6气体等离子体，对在切割道部分露出的半导体晶片(1)进行蚀刻，分割成各个半导体芯片而进行单片化。接着，从表面(S)侧供给除去剂(16)。此时，优选使分割成芯片的半导体晶片(1)高速旋转。通过以上，利用除去剂(16)将残留在表面(S)上的掩模材料层(3b)去除。需要说明的是，作为除去剂(16)，优选为有机溶剂，特别优选为甲基乙基酮、乙醇或乙酸乙酯、或者它们的组合。
-
公开(公告)号：CN110036459A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201780074787.8
申请日：2017-12-05
申请人： 古河电气工业株式会社
IPC分类号： H01L21/301 , B23K26/53 , B32B7/10 , B32B27/00 , C09J7/20 , C09J201/00 , H01L21/304
摘要： 一种半导体加工用带，其为通过扩张将粘接剂层沿着半导体芯片截断时所用的半导体加工用带，其中，该半导体加工用带依次具有基材膜、粘合剂层和粘接剂层，上述基材膜的MD和TD的5％伸长时的应力值均为5MPa以上，MD和TD的5％伸长时的拉伸强度均为10N/25mm～30N/25mm，并且厚度为70μm～150μm，上述粘接剂层的厚度为40μm以上，25℃下的储能弹性模量为2,000MPa以下。
-
公开(公告)号：CN107533964A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201680024338.8
申请日：2016-11-07
申请人： 古河电气工业株式会社
IPC分类号： H01L21/301 , B23K26/351 , H01L21/304 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/31058 , B23K26/351 , B23K26/38 , H01L21/02076 , H01L21/304 , H01L21/3065 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381
摘要： 一种掩模一体型表面保护膜，其为具有基材膜和设置于该基材膜上的掩模材料层的掩模一体型表面保护膜，其特征在于，上述掩模材料层为乙烯‑乙酸乙烯酯共聚物树脂、乙烯‑丙烯酸甲酯共聚物树脂或乙烯‑丙烯酸丁酯共聚物树脂，上述掩模材料层的厚度为50μm以下。
-
公开(公告)号：CN107112229A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201680005089.8
申请日：2016-03-04
申请人： 古河电气工业株式会社
发明人： 横井启时
IPC分类号： H01L21/304 , C09J7/02 , C09J11/06 , C09J133/08 , C09J201/00
摘要： 一种半导体晶片用粘合片，其为由基材膜、中间树脂层和粘合剂层构成的半导体晶片用胶带，其中，基材膜的熔点超过90℃，弯曲模量为1GPa～10GPa，中间树脂层是由乙烯‑(甲基)丙烯酸酯共聚物树脂或乙烯‑乙酸乙烯酯共聚物树脂构成的1层，或者由乙烯‑(甲基)丙烯酸酯共聚物树脂和聚乙烯树脂的2层构成，基材膜侧为聚乙烯树脂，层比例为聚乙烯树脂：共聚物树脂＝1：9～5：5，中间树脂层的树脂的熔点为50℃～90℃的范围，且弯曲模量为1MPa～100MPa。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
42 条记录 (耗时 0.028 秒)
