公开(公告)号：CN108474918B

公开(公告)日：2021-03-23

申请号：CN201780007379.0

申请日：2017-01-24

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 三浦雅和 ,  三代川纯 ,  山岡一树 ,  森肇

IPC: G02B6/42 ,  G02B6/26 ,  H01S5/02251 ,  H01S5/02326

Abstract: 在从子基座(5)的端部至预定的范围内形成非镀敷部(21)。非镀敷部(21)是未设置镀层(17)且子基座的母材露出的部位。中间层(13)形成于镀层(17)上。另外，在中间层(13)上形成镀层(19)。半导体激光器(11)形成于镀层(19)上。半导体激光器(11)的端部位置与镀层(19)(中间层13)的端部位置大致一致。即，即使在中间层(13)的端面与半导体激光器(11)的端面存在偏移的情况下，该偏移量也足够小于从子基座(5)的端面起的中间层(13)的缩回量。

公开(公告)号：CN108474918A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201780007379.0

申请日：2017-01-24

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 三浦雅和 ,  三代川纯 ,  山岡一树 ,  森肇

IPC: G02B6/42 ,  H01S5/022

CPC classification number: G02B6/4295 ,  G02B6/42 ,  H01S5/022 ,  H01S5/02476

Abstract: 在从子基座(5)的端部至预定的范围内形成非镀敷部(21)。非镀敷部(21)是未设置镀层(17)且子基座的母材露出的部位。中间层(13)形成于镀层(17)上。另外，在中间层(13)上形成镀层(19)。半导体激光器(11)形成于镀层(19)上。半导体激光器(11)的端部位置与镀层(19)(中间层13)的端部位置大致一致。即，即使在中间层(13)的端面与半导体激光器(11)的端面存在偏移的情况下，该偏移量也足够小于从子基座(5)的端面起的中间层(13)的缩回量。