公开(公告)号：CN103426743B

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201310170774.4

申请日：2013-05-10

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 玉川有理 ,  大田乡史 ,  矢吹朗 ,  服部聪

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/683 ,  B28D5/04

Abstract: 本发明提供一种半导体晶片的切割方法以及半导体加工用切割带，所述切割方法包括：(a)通过接合剂将支撑部件贴合在半导体晶片的电路面侧的工序；(b)对与该晶片的电路面相反一侧的背面进行薄片化加工的工序；(c)在与该晶片的电路面相反一侧的背面上，贴合至少具有紫外线固化型粘合剂层的切割带的工序；(d)将该晶片从该接合剂层以及支撑部件上剥离的工序；(e)使用有机溶剂对该半导体晶片上的该接合剂的残渣进行清洗的工序；以及(f)对该半导体晶片进行切断和芯片化的工序，其中，在所述(e)工序之前，所述切割带上未贴合有所述半导体晶片的区域的粘合剂层经紫外线照射进行了固化。

公开(公告)号：CN105765700A

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：CN201480064677.X

申请日：2014-11-27

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 玉川有理 ,  服部聪 ,  矢吹朗

IPC: H01L21/301 ,  C09J7/02 ,  C09J127/12 ,  C09J183/10 ,  C09J201/00 ,  H01L21/304

CPC classification number: C09J183/10 ,  C08G77/442 ,  C09J7/20 ,  C09J11/08 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/31 ,  C09J2427/00 ,  C09J2433/00 ,  C09J2483/00 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2221/68386

Abstract: 本发明提供一种半导体加工用粘合带，其具备于支撑构件的物理/机械性剥离时所需的牢固粘合性，且即使将用以洗涤将支撑构件贴合于半导体晶片上的粘合剂残渣的洗涤液施加于粘合剂时，亦不使粘合剂溶解而污染半导体组件，且能使隐形切割(stealth dicing)所需的激光透过，将激光光入射于半导体晶片而形成改性层，可使半导体晶片单片化成半导体芯片。本发明的半导体加工用粘合带是在基材树脂薄膜的至少一面上形成辐射线固化性的粘合剂层的半导体加工用粘合带，前述粘合剂层在辐射线照射前对甲基异丁基酮的接触角为25.1°～60°，自前述基材树脂薄膜侧入射的波长1064nm的光线的平行光线透过率为88％以上且小于100％。

公开(公告)号：CN105684131B

公开(公告)日：2018-09-25

申请号：CN201480057866.4

申请日：2014-03-03

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 玉川有理 ,  大田乡史 ,  矢吹朗 ,  服部聪

IPC: C09J7/22 ,  C09J7/38 ,  C09J133/00

Abstract: 本发明提供一种半导体加工用粘合带，其在使用支撑构件的半导体元件制造工序中，即使在用于清洗将支撑构件贴合于半导体晶片的粘接剂的残渣的清洗液淋到粘合剂的情况下，粘合剂亦不会溶解并污染半导体元件，且具备支撑构件的物理性、机械性剥离时所需的牢固的粘接性。本发明的半导体加工用粘合带为于基材树脂薄膜的至少一个面上形成有辐射线固化性的粘合剂层的半导体加工用粘合带，其特征在于，所述粘合剂层的紫外线照射前的凝胶百分数为65％以上且100％以下，且所述粘合剂层的紫外线照射前的探针粘性试验(probe tack test)的峰值为100～600kPa。

公开(公告)号：CN105765700B

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201480064677.X

申请日：2014-11-27

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 玉川有理 ,  服部聪 ,  矢吹朗

IPC: H01L21/683 ,  C09J7/24 ,  C09J127/12 ,  C09J183/10 ,  C09J201/00

CPC classification number: C09J183/10 ,  C08G77/442 ,  C09J7/20 ,  C09J11/08 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/31 ,  C09J2427/00 ,  C09J2433/00 ,  C09J2483/00 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2221/68386

Abstract: 本发明提供一种半导体加工用粘合带，其具备于支撑构件的物理/机械性剥离时所需的牢固粘合性，且即使将用以洗涤将支撑构件贴合于半导体晶片上的粘合剂残渣的洗涤液施加于粘合剂时，亦不使粘合剂溶解而污染半导体组件，且能使隐形切割(stealth dicing)所需的激光透过，将激光光入射于半导体晶片而形成改性层，可使半导体晶片单片化成半导体芯片。本发明的半导体加工用粘合带是在基材树脂薄膜的至少一面上形成辐射线固化性的粘合剂层的半导体加工用粘合带，前述粘合剂层在辐射线照射前对甲基异丁基酮的接触角为25.1°～60°，自前述基材树脂薄膜侧入射的波长1064nm的光线的平行光线透过率为88％以上且小于100％。

公开(公告)号：CN104081500A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201380007115.7

申请日：2013-09-20

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 大田乡史 ,  玉川有理 ,  矢吹朗 ,  服部聪

IPC: H01L21/301 ,  C09J7/02 ,  C09J201/00

CPC classification number: C09J5/00 ,  C09J7/22 ,  C09J7/38 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/302 ,  C09J2205/31 ,  C09J2415/00 ,  C09J2433/00

Abstract: 本发明提供一种放射线固化型切割用粘合带，其即使对设置有贯通电极的半导体芯片等也能在拾取工序时容易地进行拾取而不会产生残胶。本发明的放射线固化型切割用粘合带(1)，其特征在于，其是在基材片(2)上设置有放射线固化型粘合剂层(3)的放射线固化型粘合带(1)，其在放射线固化后的杨氏模量相对于其在放射线固化前的杨氏模量的比即放射线固化后的杨氏模量/放射线固化前的杨氏模量为1.0～1.8。

公开(公告)号：CN103370770B

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201280008726.9

申请日：2012-10-22

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 玉川有理 ,  大田乡史 ,  矢吹朗 ,  服部聪

IPC: H01L21/301 ,  B32B27/00 ,  B32B27/32 ,  C09J7/02 ,  C09J201/00

CPC classification number: B32B27/32 ,  B32B2250/03 ,  B32B2250/242 ,  B32B2250/40 ,  C09J7/29 ,  C09J2201/162 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/31 ,  C09J2423/006 ,  C09J2423/046 ,  C09J2423/166 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68381

Abstract: 本发明的目的在于提供一种粘合胶带，其在半导体器件的加工中，能够在不需要新的设备改良、不需要导入消耗品的情况下防止半导体器件上的切削屑的附着，从而进行划片。本发明涉及一种粘合胶带，其是在对整体密封的封装体进行划片并单片化、分割成各个封装体时，为了固定整体密封的封装体而使用的粘合胶带（1），其中，在基材薄膜（3）上具有紫外线固化型粘合剂层（5），在紫外线照射前，粘合剂层（5）表面对纯水的接触角为115°以下、且对二碘甲烷的接触角为65°以下。

公开(公告)号：CN103370770A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201280008726.9

申请日：2012-10-22

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 玉川有理 ,  大田乡史 ,  矢吹朗 ,  服部聪

IPC: H01L21/301 ,  B32B27/00 ,  B32B27/32 ,  C09J7/02 ,  C09J201/00

CPC classification number: B32B27/32 ,  B32B2250/03 ,  B32B2250/242 ,  B32B2250/40 ,  C09J7/29 ,  C09J2201/162 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/31 ,  C09J2423/006 ,  C09J2423/046 ,  C09J2423/166 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68381

Abstract: 本发明的目的在于提供一种粘合胶带，其在半导体器件的加工中，能够在不需要新的设备改良、不需要导入消耗品的情况下防止半导体器件上的切削屑的附着，从而进行划片。本发明涉及一种粘合胶带，其是在对整体密封的封装体进行划片并单片化、分割成各个封装体时，为了固定整体密封的封装体而使用的粘合胶带（1），其中，在基材薄膜（3）上具有紫外线固化型粘合剂层（5），在紫外线照射前，粘合剂层（5）表面对纯水的接触角为115°以下、且对二碘甲烷的接触角为65°以下。

公开(公告)号：CN105684131A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201480057866.4

申请日：2014-03-03

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 玉川有理 ,  大田乡史 ,  矢吹朗 ,  服部聪

IPC: H01L21/301 ,  C09J7/02

CPC classification number: C09J133/00 ,  C08L2203/20 ,  C09J7/22 ,  C09J7/38 ,  C09J2201/122 ,  C09J2203/326 ,  C09J2433/00

Abstract: 本发明提供一种半导体加工用粘合带，其在使用支撑构件的半导体元件制造工序中，即使在用于清洗将支撑构件贴合于半导体晶片的粘接剂的残渣的清洗液淋到粘合剂的情况下，粘合剂亦不会溶解并污染半导体元件，且具备支撑构件的物理性、机械性剥离时所需的牢固的粘接性。本发明的半导体加工用粘合带为于基材树脂薄膜的至少一个面上形成有辐射线固化性的粘合剂层的半导体加工用粘合带，其特征在于，所述粘合剂层的紫外线照射前的凝胶百分数为65％以上且100％以下，且所述粘合剂层的紫外线照射前的探针粘性试验(probe tack test)的峰值为100～600kPa。

公开(公告)号：CN104272437B

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201480001126.9

申请日：2014-02-12

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 玉川有理 ,  矢吹朗 ,  服部聪

IPC: H01L21/301 ,  C09J7/02 ,  C09J11/06 ,  C09J11/08 ,  C09J201/00

CPC classification number: C09J7/20 ,  C09J2203/326

Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体加工用粘合胶带，其是具备在切割时仅能抑制芯片飞散的粘合力、在拾取(pick up)时的易剥离性的切割胶带，且在使用支撑部件的半导体元件的制造工序中，即使是粘合剂上沾有用来清洗将支撑部件贴合于半导体晶片时的粘接剂残渣的清洗液的情形之下，粘合剂也不会溶解而污染半导体元件。关于本发明的半导体加工用粘合胶带，其是在基材树脂膜的至少一个面上形成有放射线固化性粘合剂层的半导体加工用粘合胶带，其特征在于，所述粘合剂层在紫外线照射前相对于甲基异丁基酮的接触角为25.1°～60°。

公开(公告)号：CN104272437A

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201480001126.9

申请日：2014-02-12

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 玉川有理 ,  矢吹朗 ,  服部聪

IPC: H01L21/301 ,  C09J7/02 ,  C09J11/06 ,  C09J11/08 ,  C09J201/00

CPC classification number: C09J7/20 ,  C09J2203/326 ,  H01L21/304 ,  C09J11/06 ,  C09J11/08 ,  C09J201/00

Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体加工用粘合胶带，其是具备在切割时仅能抑制芯片飞散的粘合力、在拾取(pick up)时的易剥离性的切割胶带，且在使用支撑部件的半导体元件的制造工序中，即使是粘合剂上沾有用来清洗将支撑部件贴合于半导体晶片时的粘接剂残渣的清洗液的情形之下，粘合剂也不会溶解而污染半导体元件。关于本发明的半导体加工用粘合胶带，其是在基材树脂膜的至少一个面上形成有放射线固化性粘合剂层的半导体加工用粘合胶带，其特征在于，所述粘合剂层在紫外线照射前相对于甲基异丁基酮的接触角为25.1°～60°。