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公开(公告)号：CN114868060B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202080088970.5
申请日：2020-12-25
Applicant: 古河电气工业株式会社
Abstract: 光学装置例如具备：壳体(10)；套筒(21)，其安装于壳体(10)，且设置有在壳体的内侧与外侧之间贯通的第一贯通孔(21a)，并具有相对于该第一贯通孔的贯通方向倾斜且开设有第一贯通孔的倾斜面(21c)；第一光纤(30)，其具有包括芯及包层的芯线(31)和包围该芯线的覆层(32)，未由该覆层包围的芯线的露出部位(30b)通过第一贯通孔；以及第一接合材料(51)，其在第一贯通孔内介于露出部位的外周面与第一贯通孔的内周面之间进行密封。
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公开(公告)号：CN105917534A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201480070638.0
申请日：2014-12-04
Applicant: 古河电气工业株式会社
CPC classification number: H01S5/146 , H01S3/06754 , H01S3/094011 , H01S3/094096 , H01S3/302 , H01S5/02208 , H01S5/02248 , H01S5/02415 , H01S5/0652 , H01S5/141 , H01S5/142 , H01S2301/03
Abstract: 在半导体激光装置的设计方法中，通过控制从输出侧反射单元到第二反射单元的距离、和用包含半导体激光元件中的光的环绕时间τ、输出侧反射单元的反射率R1以及第二反射单元的反射率R2的κ＝(1/τ)×(1?R1)×(R2/R1)1/2的式定义的向半导体激光元件的有效的返回光量κ，来使LFF周期成为20ns以下，选择该LFF周期成为20ns以下的半导体激光装置，作为出现FBG模式和FP模式的高速切换的半导体激光装，作为在相干崩溃模式下进行振荡的半导体激光装置使用。
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公开(公告)号：CN114868060A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202080088970.5
申请日：2020-12-25
Applicant: 古河电气工业株式会社
Abstract: 光学装置例如具备：壳体(10)；套筒(21)，其安装于壳体(10)，且设置有在壳体的内侧与外侧之间贯通的第一贯通孔(21a)，并具有相对于该第一贯通孔的贯通方向倾斜且开设有第一贯通孔的倾斜面(21c)；第一光纤(30)，其具有包括芯及包层的芯线(31)和包围该芯线的覆层(32)，未由该覆层包围的芯线的露出部位(30b)通过第一贯通孔；以及第一接合材料(51)，其在第一贯通孔内介于露出部位的外周面与第一贯通孔的内周面之间进行密封。
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公开(公告)号：CN105917534B
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201480070638.0
申请日：2014-12-04
Applicant: 古河电气工业株式会社
CPC classification number: H01S5/146 , H01S3/06754 , H01S3/094011 , H01S3/094096 , H01S3/302 , H01S5/02208 , H01S5/02248 , H01S5/02415 , H01S5/0652 , H01S5/141 , H01S5/142 , H01S2301/03
Abstract: 在半导体激光装置的设计方法中，通过控制从输出侧反射单元到第二反射单元的距离、和用包含半导体激光元件中的光的环绕时间τ、输出侧反射单元的反射率R1以及第二反射单元的反射率R2的κ＝(1/τ)×(1‑R1)×(R2/R1)1/2的式定义的向半导体激光元件的有效的返回光量κ，来使LFF周期成为20ns以下，选择该LFF周期成为20ns以下的半导体激光装置，作为出现FBG模式和FP模式的高速切换的半导体激光装，作为在相干崩溃模式下进行振荡的半导体激光装置使用。
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