强磁性TiO2半导体材料、制备方法、自旋电子器件

    公开(公告)号:CN105590838B

    公开(公告)日:2018-01-26

    申请号:CN201510984282.8

    申请日:2015-12-25

    IPC分类号: H01L21/02 H01L29/82

    摘要: 本发明涉及材料领域,尤其涉及一种强磁性TiO2半导体材料,包括衬底和设置在衬底上的TiO2层;所述TiO2层为形貌均一、六角堆积的蜂窝状纳米结构阵列;所述TiO2层的纳米颗粒大小3~5 nm。该材料制备方法包括:清洗衬底;在硅衬底形成单层胶体晶体模板;浸泡在前驱体溶液中;取出后浸入二氯甲烷中,溶解掉聚苯乙烯模板,形成蜂窝状结构的TiO2纳米阵列材料。本发明以单层胶体晶体为模板,结合溶液浸渍法成功制备出形貌均一,周期性排列的蜂窝状TiO2纳米结构阵列,该材料在室温下显现出较强的铁磁性。本发明可促进TiO2稀磁半导体材料在新型自旋电子器件领域的应用。