公开(公告)号：CN117012709A

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN202310861640.0

申请日：2023-07-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴政杰 ,  潘国龙 ,  郑淑蓉 ,  蔡豪益 ,  邓博元 ,  张楙曮 ,  刘政昱 ,  林嘉文

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/68 ,  H01L21/66

Abstract: 形成封装件的方法包括形成重建晶圆，形成重建晶圆包括在载体上方放置多个封装组件，在多个封装组件上方形成互连结构，并且互连结构电互连多个封装组件，在互连结构上方形成顶部电连接件，并且将顶部电连接件电连接至互连结构，以及在与顶部电连接件相同的层级处形成对准标记。探测顶部电连接件中的探针焊盘，并且使用对准标记用于对准探针焊盘来执行探测。通过焊料区域将附加封装组件接合至重建晶圆。焊料区域物理地结合至顶部电连接件。

公开(公告)号：CN221041106U

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202322634733.8

申请日：2023-09-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘重希 ,  赖昱嘉 ,  吴政杰 ,  张楙曮 ,  谢静华 ,  邓博元 ,  廖仁骏 ,  林修任 ,  蔡豪益 ,  潘国龙

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/16 ,  H01L23/485

Abstract: 提供一种包括电浮置金属线的半导体器件。半导体器件可以包括集成电路管芯、围绕集成电路管芯的包封体、位于包封体上的重布线结构、设置于重布线结构上的第一电浮置金属线、连接到重布线结构的第一电构件以及位于第一电构件与重布线结构之间的底部填充剂。底部填充剂中的第一开口可以暴露出第一电浮置金属线的顶表面。