公开(公告)号：CN106324982A

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：CN201510843150.3

申请日：2015-11-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林冠文 ,  秦圣基 ,  许庭豪 ,  周子婷 ,  吴书贤

IPC: G03F1/82

Abstract: 本发明涉及一种用于防止雾度的掩模表膜指示物。具体而言，本发明提供一种表膜掩模组合件，其包含掩模、表膜框架和表膜薄膜。所述表膜框架具有附着到所述掩模的底侧和由所述表膜薄膜覆盖的顶侧。所述表膜框架包含在其内表面上的涂层且所述涂层经配置以监测所述表膜掩模组合件内部的环境变化。在实施例中，所述环境变化包含所述表膜掩模组合件内部增大的湿度和/或增大的化学离子密度。还揭示制造和使用所述表膜掩模组合件的方法。

公开(公告)号：CN107664917A

公开(公告)日：2018-02-06

申请号：CN201610854281.6

申请日：2016-09-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 周子婷 ,  刘仲轩 ,  林冠文 ,  吕启纶 ,  许庭豪 ,  秦圣基

IPC: G03F1/82 ,  G03F1/22

Abstract: 一种移除极紫外光(EUV)表膜粘胶的方法，包括：接收极紫外光(EUV)掩模；EUV掩模具有设置于其上方的EUV表膜；EUV表膜至少部分经由设置于EUV掩模上的粘胶连接至EUV掩模；移除EUV表膜从而暴露出粘胶；通过针对EUV掩模上置有粘胶的区域实行局部粘胶移除工艺，局部粘胶移除工艺的实行不影响EUV掩模上不具有粘胶的其它区域。局部粘胶移除工艺可包括注射清洗化学物质至粘胶上，并移除由清洗化学物质及粘胶所产生的废弃化学物质。局部粘胶移除工艺也可包括施用等离子体至粘胶的等离子体工艺。局部粘胶移除工艺还可包括发射聚焦激光束于粘胶的激光工艺。

公开(公告)号：CN106324982B

公开(公告)日：2019-12-20

申请号：CN201510843150.3

申请日：2015-11-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林冠文 ,  秦圣基 ,  许庭豪 ,  周子婷 ,  吴书贤

IPC: G03F1/82

Abstract: 本发明涉及一种用于防止雾度的掩模表膜指示物。具体而言，本发明提供一种表膜掩模组合件，其包含掩模、表膜框架和表膜薄膜。所述表膜框架具有附着到所述掩模的底侧和由所述表膜薄膜覆盖的顶侧。所述表膜框架包含在其内表面上的涂层且所述涂层经配置以监测所述表膜掩模组合件内部的环境变化。在实施例中，所述环境变化包含所述表膜掩模组合件内部增大的湿度和/或增大的化学离子密度。还揭示制造和使用所述表膜掩模组合件的方法。