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公开(公告)号：CN103885284A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201310132002.1
申请日：2013-04-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F1/58
Abstract: 本发明公开了一种堆叠掩模。该掩模包括：低热膨胀材料(LTEM)衬底、至少两个吸收层以及分离这两个吸收层的间隔层。第一吸收层沉积在LTEM衬底上方。该掩模进一步包括位于吸收层的上方的顶涂层。间隔层的厚度约等于晶圆衬底上的构形部件的高度乘以物镜的缩倍的平方。吸收层包括阶段图案。
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公开(公告)号：CN105987957B
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201510860140.0
申请日：2015-11-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G01N29/12
Abstract: 一薄膜设置于一蚀刻掩模之上，一声波生成器放置在薄膜之上，声波生成器用来产生多个声波以使薄膜以一目标共振频率振动。一共振检测工具用来检测回应声波的薄膜的一实际共振频率。一或多个电子处理器利用从目标共振频率到实际共振频率的偏移量来估算薄膜的老化状态。
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公开(公告)号：CN109307989A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201810847468.2
申请日：2018-07-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/2022 , G03F1/24 , G03F1/52 , G03F7/2004 , G03F7/203 , G03F7/70466 , G03F7/70558 , G03F7/7065
Abstract: 一种光刻工艺方法，包括：形成一抗蚀剂层于一基板上；执行一第一曝光工艺以将一第一光罩的一第一子区域的一第一图案成像至一次场中的一抗蚀剂层；执行一第二曝光工艺以将第一光罩的一第二子区域的一第二图案成像至次场中的上述抗蚀剂层；以及执行一第三曝光工艺以将一第二光罩的第一子区域的一第三图案成像至次场中的抗蚀剂层。其中，第二图案以及第三图案与第一图案相同；以及第一曝光工艺、第二曝光工艺以及第三曝光工艺共同于次场中的抗蚀剂层上形成第一图案的一潜像(latent image)。
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公开(公告)号：CN101510048A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200810133212.1
申请日：2008-07-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F1/00
CPC classification number: G03F1/32 , G03F1/36 , G03F1/80 , H01J37/32422 , H01L21/67167 , H01L21/67207 , H01L21/67236
Abstract: 本发明是有关于一种蚀刻基材的方法及系统，首先，提供多个制程室，其中所述制程室的至少一者是适用于容置至少一电浆过滤平板，且所述制程室的至少一者中具有一电浆过滤平板库。接着，自此电浆过滤平板库选出一电浆过滤平板。然后，将此电浆过滤平板嵌入所述制程室的一者，所述制程室的此者是适用于容置至少一电浆过滤平板。随后，于此基材中进行一蚀刻制程。本发明所提供的蚀刻基材的方法及系统，能够改善掩模的关键尺寸均匀度，非常适于实用。
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公开(公告)号：CN115047731A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210871348.2
申请日：2018-07-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种光刻工艺方法，包括：形成一抗蚀剂层于一基板上；执行一第一曝光工艺以将一第一光罩的一第一子区域的一第一图案成像至一次场中的一抗蚀剂层；执行一第二曝光工艺以将第一光罩的一第二子区域的一第二图案成像至次场中的上述抗蚀剂层；以及执行一第三曝光工艺以将一第二光罩的第一子区域的一第三图案成像至次场中的抗蚀剂层。其中，第二图案以及第三图案与第一图案相同；以及第一曝光工艺、第二曝光工艺以及第三曝光工艺共同于次场中的抗蚀剂层上形成第一图案的一潜像。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103885284B
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201310132002.1
申请日：2013-04-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F1/58
Abstract: 本发明公开了一种堆叠掩模。该掩模包括：低热膨胀材料(LTEM)衬底、至少两个吸收层以及分离这两个吸收层的间隔层。第一吸收层沉积在LTEM衬底上方。该掩模进一步包括位于吸收层的上方的顶涂层。间隔层的厚度约等于晶圆衬底上的构形部件的高度乘以物镜的缩倍的平方。吸收层包括阶段图案。
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公开(公告)号：CN107045264A
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201611186679.3
申请日：2016-12-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F1/64 , G03F7/2004 , G03F7/70983
Abstract: 本发明实施例提供一种用于半导体光刻工艺的保护膜设备。上述保护膜设备包括一保护薄膜。一保护膜框架，附于上述保护薄膜。上述保护膜框架具有一表面，其定义至少一个凹槽。上述保护膜设备还包括一基板，接触上述保护膜框架的上述表面，使上述凹槽位于上述保护膜框架和上述基板之间。
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公开(公告)号：CN106324982A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201510843150.3
申请日：2015-11-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F1/82
Abstract: 本发明涉及一种用于防止雾度的掩模表膜指示物。具体而言，本发明提供一种表膜掩模组合件，其包含掩模、表膜框架和表膜薄膜。所述表膜框架具有附着到所述掩模的底侧和由所述表膜薄膜覆盖的顶侧。所述表膜框架包含在其内表面上的涂层且所述涂层经配置以监测所述表膜掩模组合件内部的环境变化。在实施例中，所述环境变化包含所述表膜掩模组合件内部增大的湿度和/或增大的化学离子密度。还揭示制造和使用所述表膜掩模组合件的方法。
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公开(公告)号：CN105987957A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201510860140.0
申请日：2015-11-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G01N29/12
Abstract: 检测系统以及检测方法。一薄膜设置于一蚀刻掩模之上，一声波生成器放置在薄膜之上，声波生成器用来产生多个声波以使薄膜以一目标共振频率振动。一共振检测工具用来检测回应声波的薄膜的一实际共振频率。一或多个电子处理器利用从目标共振频率到实际共振频率的偏移量来估算薄膜的老化状态。
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公开(公告)号：CN109307989B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN201810847468.2
申请日：2018-07-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种光刻工艺方法，包括：形成一抗蚀剂层于一基板上；执行一第一曝光工艺以将一第一光罩的一第一子区域的一第一图案成像至一次场中的一抗蚀剂层；执行一第二曝光工艺以将第一光罩的一第二子区域的一第二图案成像至次场中的上述抗蚀剂层；以及执行一第三曝光工艺以将一第二光罩的第一子区域的一第三图案成像至次场中的抗蚀剂层。其中，第二图案以及第三图案与第一图案相同；以及第一曝光工艺、第二曝光工艺以及第三曝光工艺共同于次场中的抗蚀剂层上形成第一图案的一潜像(latent image)。
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