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公开(公告)号：CN119993230A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510050747.6
申请日：2025-01-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/419 , G11C11/41
Abstract: 一种存储器电路包括存储器阵列，该存储器阵列包括多个第一存储器单元。存储器电路包括跟踪列，跟踪列包括一个或多个第二存储器单元，其中，一个或多个第二存储器单元中的每个耦接到第一跟踪位线、第二跟踪位线和第一跟踪字线。存储器电路包括控制器，控制器可操作地耦接到存储器阵列和跟踪列，并且被配置为：识别存在于第一跟踪位线上的第一信号的转变边缘，并断言存在于第一跟踪字线上的第二信号，使存在于第二跟踪位线上的第三信号上升；基于第三信号生成触发信号，其中，触发信号的转变边沿导致对第一存储器单元中的至少一个执行的写入操作停止。本申请的实施例还公开了操作存储器电路的方法。
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