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公开(公告)号：CN114023813A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202110347256.X
申请日：2021-03-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/51 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 一种半导体元件及其形成方法，该方法包括：在基板之上形成界面层；在界面层之上形成准反铁电层，其中形成准反铁电层包含执行原子层沉积(ALD)循环，且原子层沉积循环包括：执行第一子循环X次，其中第一子循环包含提供含Zr前驱物；执行第二子循环Y次，其中第二子循环包含提供含Hf前驱物；及执行第三子循环Z次，其中第三子循环包含提供含Zr前驱物，且其中X+Z为Y的至少三倍；及在准反铁电层之上形成栅极电极。
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