Patent search ap:("台湾积体电路制造股份有限公司") AND inv:"张思伟" Page 1

1.

发明公开
EUV光刻掩模坯料、EUV掩模及方法审中-实审

公开(公告)号：CN119916637A

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202411670093.9

申请日：2024-11-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许倍诚 , 张思伟 , 王宣懿 , 高宇翔 , 余青芳 , 李信昌

IPC: G03F1/24 , G03F1/54

Abstract: 本申请涉及一种EUV光刻掩膜胚料、EUV掩膜及方法。所述EUV光刻掩模包括基底、包括铑合金的图案化的吸收层。在一些实施方式中，铑合金包括具有特定EUV折射指数和特定EUV消光系数的第5族、第6族、第9族、第10族或第11族过渡金属。所公开的EUV光刻掩模减少了不合需要的掩模3D效应。

Patent Agency Ranking