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公开(公告)号：CN119916637A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202411670093.9
申请日：2024-11-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本申请涉及一种EUV光刻掩膜胚料、EUV掩膜及方法。所述EUV光刻掩模包括基底、包括铑合金的图案化的吸收层。在一些实施方式中，铑合金包括具有特定EUV折射指数和特定EUV消光系数的第5族、第6族、第9族、第10族或第11族过渡金属。所公开的EUV光刻掩模减少了不合需要的掩模3D效应。
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公开(公告)号：CN119165721A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411110808.5
申请日：2024-08-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开涉及具有覆盖标记的光刻掩模及相关方法。一种方法，包括：生成与要在掩模中形成的实际掩模覆盖标记相关联的设计掩模覆盖标记；基于设计掩模覆盖标记在掩模中形成实际掩模覆盖标记，实际掩模覆盖标记包括多个覆盖图案；形成与实际掩模覆盖标记相邻的器件特征图案；通过包括光源的掩模测量装置形成掩模的对准，光源具有波长和数值孔径，其中，多个覆盖图案中的相邻两个覆盖图案之间的间距不超过波长除以两倍的数值孔径；以及在掩模处于对准时，通过转移器件特征图案来在晶圆的层中形成图案。
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公开(公告)号：CN109307989B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN201810847468.2
申请日：2018-07-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种光刻工艺方法，包括：形成一抗蚀剂层于一基板上；执行一第一曝光工艺以将一第一光罩的一第一子区域的一第一图案成像至一次场中的一抗蚀剂层；执行一第二曝光工艺以将第一光罩的一第二子区域的一第二图案成像至次场中的上述抗蚀剂层；以及执行一第三曝光工艺以将一第二光罩的第一子区域的一第三图案成像至次场中的抗蚀剂层。其中，第二图案以及第三图案与第一图案相同；以及第一曝光工艺、第二曝光工艺以及第三曝光工艺共同于次场中的抗蚀剂层上形成第一图案的一潜像(latent image)。
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公开(公告)号：CN115877649A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202210859358.4
申请日：2022-07-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开涉及极紫外掩模、使用极紫外掩模的方法以及图案化方法。极紫外(EUV)掩模包括衬底、位于衬底上的反射多层堆叠、以及位于反射多层堆叠上的单层或多层帽盖特征。帽盖特征包括一个或多个帽盖层，该一个或多个帽盖层包括具有非晶结构的材料。其他描述的实施例包括(一个或多个)帽盖层，该(一个或多个)帽盖层包含具有小于约3的第一固态碳溶解度的(一种或多种)元素。在多层帽盖特征实施例中，各个帽盖层的(一种或多种)元素具有不同的固态碳溶解度特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105987957B
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201510860140.0
申请日：2015-11-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G01N29/12
Abstract: 一薄膜设置于一蚀刻掩模之上，一声波生成器放置在薄膜之上，声波生成器用来产生多个声波以使薄膜以一目标共振频率振动。一共振检测工具用来检测回应声波的薄膜的一实际共振频率。一或多个电子处理器利用从目标共振频率到实际共振频率的偏移量来估算薄膜的老化状态。
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公开(公告)号：CN109307989A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201810847468.2
申请日：2018-07-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/2022 , G03F1/24 , G03F1/52 , G03F7/2004 , G03F7/203 , G03F7/70466 , G03F7/70558 , G03F7/7065
Abstract: 一种光刻工艺方法，包括：形成一抗蚀剂层于一基板上；执行一第一曝光工艺以将一第一光罩的一第一子区域的一第一图案成像至一次场中的一抗蚀剂层；执行一第二曝光工艺以将第一光罩的一第二子区域的一第二图案成像至次场中的上述抗蚀剂层；以及执行一第三曝光工艺以将一第二光罩的第一子区域的一第三图案成像至次场中的抗蚀剂层。其中，第二图案以及第三图案与第一图案相同；以及第一曝光工艺、第二曝光工艺以及第三曝光工艺共同于次场中的抗蚀剂层上形成第一图案的一潜像(latent image)。
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公开(公告)号：CN119511627A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411417912.9
申请日：2024-10-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开涉及具有高消光系数吸收体的光刻掩模及相关系统和方法。提供了一种极紫外(EUV)掩模和形成EUV掩模的方法。该方法包括：在半导体晶片上形成掩模层；通过光刻曝光系统产生极紫外(EUV)光；通过由掩模对EUV光进行图案化来形成经图案化的EUV光，该掩模包括吸收体，该吸收体在EUV波长下具有的消光系数超过TaBN和TaN在该EUV波长下的消光系数；以及通过经图案化的EUV光曝光掩模层。
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公开(公告)号：CN115047731A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210871348.2
申请日：2018-07-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种光刻工艺方法，包括：形成一抗蚀剂层于一基板上；执行一第一曝光工艺以将一第一光罩的一第一子区域的一第一图案成像至一次场中的一抗蚀剂层；执行一第二曝光工艺以将第一光罩的一第二子区域的一第二图案成像至次场中的上述抗蚀剂层；以及执行一第三曝光工艺以将一第二光罩的第一子区域的一第三图案成像至次场中的抗蚀剂层。其中，第二图案以及第三图案与第一图案相同；以及第一曝光工艺、第二曝光工艺以及第三曝光工艺共同于次场中的抗蚀剂层上形成第一图案的一潜像。
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公开(公告)号：CN107045264A
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201611186679.3
申请日：2016-12-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F1/64 , G03F7/2004 , G03F7/70983
Abstract: 本发明实施例提供一种用于半导体光刻工艺的保护膜设备。上述保护膜设备包括一保护薄膜。一保护膜框架，附于上述保护薄膜。上述保护膜框架具有一表面，其定义至少一个凹槽。上述保护膜设备还包括一基板，接触上述保护膜框架的上述表面，使上述凹槽位于上述保护膜框架和上述基板之间。
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