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公开(公告)号：CN115332156A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210670050.5
申请日：2022-06-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 在一些实施例中，本公开关于一种集成芯片，所述集成芯片包括设置在基板上方的第一互连介电层。互连线延伸穿过第一互连介电层，且阻障结构直接设置在互连线上方。集成芯片还包括设置在阻障结构上方且围绕阻障结构的外侧壁的蚀刻停止层。第二互连介电层设置在蚀刻停止层上方，且互连导孔延伸穿过第二互连介电层、蚀刻停止层及阻障结构以接触互连线。
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公开(公告)号：CN115148662A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210579597.4
申请日：2022-05-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 本公开的一些实施例提出一种半导体结构。半导体结构包括一第一导电线，设置于一基底上。一介电衬层沿第一导电线的侧壁及上表面排列，且由一第一介电层所横向环绕。介电衬层及第一介电层为不同的材料。一导电介层连接窗(via)设置于第一导电线上方的一第二介电层内。导电介层连接窗具有一第一下表面位于第一介电层上及一第二下表面位于第一下表面下方及第一导电线上方。
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公开(公告)号：CN115206874A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210554065.5
申请日：2022-05-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 本公开关于一种集成芯片，所述集成芯片包括基板。第一导线在位于基板上方的第一介电层内。第一蚀刻停止层在第一介电层上方。第二蚀刻停止层在第一蚀刻停止层上方。导电导孔在位于第二蚀刻停止层上方的第二介电层内。导电导孔延伸穿过第二蚀刻停止层并沿着第一蚀刻停止层至第一导线。第二蚀刻停止层的第一下表面在第一蚀刻停止层的上表面上。第二蚀刻停止层的第二下表面在第一导线的上表面上。
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公开(公告)号：CN114975238A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210292224.9
申请日：2022-03-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 在一些实施例中，本公开是关于包括在基板上的第一互连介电层的集成芯片。互连导线延伸穿过第一互连介电层，且导线结构上介电质直接设置于互连导线上。导线结构上介电质的外壁被第一互连介电层围绕。集成芯片更包括第二互连介电层，设置于第一互连介电层上，以及互连导孔，延伸穿过第二互连介电层及导线结构上介电质，以接触互连导线。
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公开(公告)号：CN113644049A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110742695.0
申请日：2021-07-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/528 , H01L21/768
Abstract: 本公开是关于集成芯片。集成芯片包括在基底上的介电层。第一金属部件在介电层上。第二金属部件在介电层上且横向相邻于第一金属部件。第一介电衬层区段沿着介电层的上表面在第一金属部件与第二金属部件之间横向延伸。第一介电衬层区段从介电层的上表面连续延伸至沿着第一金属部件面向第二金属部件的侧壁，且连续延伸至第二金属部件面向第一金属部件的侧壁。第一空腔横向位于第一介电衬层区段的侧壁之间，且在第一介电衬层区段的上表面上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115132685A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210492116.6
申请日：2022-05-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/48 , H01L21/768
Abstract: 本公开提出一种互连结构。互连结构包含导电层的第一部分、邻近导电层的第一部分设置的导电层的第二部分以及在导电层的第一和第二部分之间设置的介电泡沫。介电泡沫包含用二氧化碳气体填充的流体间隙。
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公开(公告)号：CN114823330A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210087925.9
申请日：2022-01-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/3213 , H01L21/768
Abstract: 半导体装置的形成方法，形成互连结构的方法使用直接金属蚀刻方式，以形成且填充金属间隙。所述方法可包括直接蚀刻第一金属层以形成多个金属图案。金属图案彼此可被多个凹槽间隔开。可形成介电间隔物，沿着每个凹槽的侧壁延伸。可以导电材料填充所述凹槽，以形成多个第二金属图案。通过直接蚀刻金属膜，此技术允许降低线宽粗糙度。所公开的结构可以具有增加的可靠度、较佳的电阻电容(RC)性能及降低的寄生电容的优点。
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公开(公告)号：CN113540020A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110630955.5
申请日：2021-06-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L23/528 , H01L21/768
Abstract: 本发明实施例提出一种半导体结构。半导体结构包括设置在半导体基板上方的互连结构；下层金属线设置在半导体基板上方的第一高度，并延伸穿过第一层间介电层。第二层间介电层设置在半导体基板上方的第二高度并包括第一介电材料。上层金属线设置在半导体基板上方的第三高度。导孔设置在第二高度。导孔在下层金属线和上层金属线之间延伸。保护性介电结构设置在第二高度。保护性介电结构包括保护性介电材料，并且沿着导孔第一组相对侧壁设置，保护性介电材料不同于第一介电材料。
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公开(公告)号：CN115249690A
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202210604092.9
申请日：2022-05-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/538
Abstract: 一种集成芯片，包括：基板。第一导线，在基板上方。第二导线，在基板上方并相邻第一导线。第一介电盖，横向地在第一导线与第二导线之间。第一介电盖将第一导线与第二导线横向地分开。第一介电盖包括第一介电材料。第一空腔，在第一介电盖正下方以及横向地在第一导线与第二导线之间。第一空腔通过第一介电盖的一个或多个表面定义。
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公开(公告)号：CN115084070A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210430100.2
申请日：2022-04-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/482 , H01L21/768 , H01L21/033
Abstract: 一种内连线结构，包括介电层、第一导电部件、第二导电部件、第三导电部件和电介质填充物。第一导电部件，设置于介电层中。第二导电部件，设置于第一导电部件上方。第二导电部件包括设置于第一导电部件上方的第一导电层、设置于第一导电层上的第二导电层以及设置于第二导电层上的第三导电层。第一导电层、第二导电层和第三导电层具有实质上相同的寛度。第三导电部件，设置于介电层上方，第三导电部件包括设置于介电层上方的第四导电层、设置于第四导电层上的第五导电层，以及设置于第五导电层的第六导电层，第四导电层、第五导电层和第六导电层具有实质上相同的寛度。电介质填充物，设置于介电层上方，且介于第二导电部件和第三导电部件之间。
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