公开(公告)号：CN108962776B

公开(公告)日：2021-05-18

申请号：CN201710383479.5

申请日：2017-05-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈龙羿 ,  林新钦 ,  朱嘉鸿 ,  曾云亨 ,  苏香宇 ,  陈开雄 ,  王育青 ,  郑博中 ,  张岐康 ,  傅士奇 ,  陈桂顺

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/68

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法和覆盖误差的测量方法，包括：对基底的第一测试目标执行基于绕射的覆盖误差测量，以取得对应第一测试目标的第一叠置结构的第一绕射强度差值，以及取得对应第一测试目标的第二叠置结构的第二绕射强度差值；以及根据第一绕射强度差值与第二绕射强度差值的平均值，取得对应第一测试目标的第三绕射强度差值。

公开(公告)号：CN108962776A

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201710383479.5

申请日：2017-05-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈龙羿 ,  林新钦 ,  朱嘉鸿 ,  曾云亨 ,  苏香宇 ,  陈开雄 ,  王育青 ,  郑博中 ,  张岐康 ,  傅士奇 ,  陈桂顺

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L22/20 ,  H01L21/68 ,  H01L21/681

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法和覆盖误差的测量方法，包括：对基底的第一测试目标执行基于绕射的覆盖误差测量，以取得对应第一测试目标的第一叠置结构的第一绕射强度差值，以及取得对应第一测试目标的第二叠置结构的第二绕射强度差值；以及根据第一绕射强度差值与第二绕射强度差值的平均值，取得对应第一测试目标的第三绕射强度差值。