公开(公告)号：CN116553469A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202210977196.4

申请日：2022-08-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林璟晖 ,  张仪贤 ,  郑创仁 ,  黄富骏 ,  蔡易恒 ,  黄士芬 ,  朱昭宏 ,  叶柏辰

IPC: B81B3/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  B06B1/06

Abstract: 本公开涉及混合超声换能器系统。本公开涉及一种集成芯片结构。该集成芯片结构包括设置在衬底上的电介质堆叠。集成芯片结构还包括一个或多个压电式微机械超声换能器(PMUT)和一个或多个电容式微机械超声换能器(CMUT)。一个或多个PMUT包括设置在所述电介质堆叠内、位于一个或多个PMUT腔之上的压电堆叠。一个或多个CMUT包括设置在所述电介质堆叠内并由一个或多个CMUT腔分隔开的电极。隔离室被布置在所述电介质堆叠内、横向位于所述一个或多个PMUT和所述一个或多个CMUT之间。所述隔离室在竖直方向上延伸经过所述一个或多个PMUT和所述一个或多个CMUT两者的至少一部分。

公开(公告)号：CN116230685A

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202210936810.2

申请日：2022-08-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑创仁 ,  林璟晖 ,  黄富骏 ,  朱昭宏 ,  叶柏辰

IPC: H01L23/535 ,  H01L25/16 ,  H01L25/18 ,  H01L21/50 ,  H10B53/10 ,  H10B53/30 ,  H10B53/40

Abstract: 本公开涉及半导体结构和制造半导体结构的方法。一种半导体结构包括第一管芯、第二管芯和管芯间过孔(IDV)。第一管芯包括互连结构和电连接到互连结构的CMOS器件。第二管芯包括存储器元件，该存储器元件包括第一电极、位于第一电极上的铁电层和位于铁电层上的第二电极，其中，从俯视角度看，铁电层的周边区域被第二电极暴露并且围绕第二电极。IDV将第一管芯的互连结构电连接到第二管芯的存储器元件。