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公开(公告)号：CN111258190A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201911204451.6
申请日：2019-11-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/38
Abstract: 一种用于制造半导体装置的方法包括在半导体基板上形成光阻剂层及选择性地使该光阻剂层曝露于光化辐射。在选择性地使该光阻剂层曝露于光化辐射之后，将该半导体基板储存在处于极干燥清洁空气或惰性气体的周围环境下的半导体基板容器中。该方法亦包括在该储存该半导体基板之后，执行该光阻剂层的第一次加热。
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公开(公告)号：CN117008432A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310557072.5
申请日：2023-05-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/38
Abstract: 本公开涉及制造半导体器件的方法和半导体器件制造工具。一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底之上形成包括光致抗蚀剂组合物的光致抗蚀剂层。将光致抗蚀剂层选择性地暴露于光化辐射。在将光致抗蚀剂层选择性地暴露于光化辐射之后，加热光致抗蚀剂层。在加热光致抗蚀剂层期间，使气体流过光致抗蚀剂层。气体的流动在加热光致抗蚀剂层期间被改变，并且在加热光致抗蚀剂层之后显影光致抗蚀剂层，以在光致抗蚀剂层中形成图案。
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公开(公告)号：CN114724929A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202110592417.1
申请日：2021-05-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027
Abstract: 本揭露在各实施例中提供了一种硬化的阻剂层，其可降低阻剂层中的阻剂残渣缺陷。在一实施方式中，提供一种微影方法。此方法包含形成阻剂层于基材的上方，对阻剂层进行曝光制程，对阻剂层进行显影制程以形成具有多个阻剂段的图案化阻剂层，将图案化阻剂层暴露于真空紫外线(VUV)辐射，以及对阻剂图案进行去残渣制程。
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公开(公告)号：CN112987515B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202011394519.4
申请日：2020-12-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明涉及制造半导体器件的方法和半导体器件制造工具。具体地，所述制造半导体器件的方法包括在基板上方形成包括光致抗蚀剂组合物的光致抗蚀剂层。将所述光致抗蚀剂层选择性地暴露于光化辐射。在将所述光致抗蚀剂层选择性地暴露于光化辐射之后，加热所述光致抗蚀剂层。在加热期间，所述光致抗蚀剂层暴露于大于45％相对湿度的环境中。在所述加热后使所述光致抗蚀剂层显影，以在所述光致抗蚀剂层中形成图案。
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公开(公告)号：CN115249629A
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202210700502.X
申请日：2022-06-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种溶液回收装置、湿式工艺装置及其操作方法，溶液回收装置包含：一泵浦，用以循环一溶液；一喷嘴，用以分配该溶液；一喷嘴槽，用以容纳该喷嘴的一末端，及用以在该溶液分配后接收该溶液，该喷嘴槽包含一冲洗气体入口与一溢流路径；以及一缓冲槽，用以从该喷嘴槽接收该溶液，并将该溶液循环回该泵浦。溶剂回收系统，其最小化用于各种半导体工艺中的化学品消耗。透过增设缓冲槽连接槽与循环泵浦，来从喷嘴槽回收溶剂。通过防止槽中的微粒入侵与溢流状况，槽设计的改善进一步维持溶剂洁净度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111111912A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911021406.7
申请日：2019-10-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B03C1/30
Abstract: 一种过滤器用于在微电路制造去除所使用的溶剂中的金属污染物质。过滤器包括：过滤器壳体，包括用于过滤包括金属污染物质的溶剂的过滤膜；以及磁铁，配置在过滤器壳体周围并且配置为在金属污染物质进入过滤膜之前产生磁场以吸引金属污染物质。磁铁配置成使得磁铁在过滤器壳体的外围所产生的磁场大于磁铁在过滤器壳体的中央部分所产生的磁场。
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公开(公告)号：CN117761968A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202310911113.6
申请日：2023-07-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本揭露揭示一种光阻剂溶液、使用光阻剂溶液的方法及改良光阻剂效能的方法，尤其是用于减小使一金属光阻剂显影需要的辐射剂量的方法及材料。在显影期间，该金属光阻剂曝露至一添加剂，该添加剂包含(i)具有一或多个取代基的一个芳族基，该一或多个取代基具有至少一个饱和末端基；或(ii)经由一键联部分键联在一起的多个芳族基。接线解析度亦获得改良。
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公开(公告)号：CN113156769A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110017143.3
申请日：2021-01-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/16
Abstract: 本申请涉及用于在衬底之上涂覆光致抗蚀剂的方法和装置。在一种在晶圆之上涂覆光致抗蚀剂的方法中，在旋转晶圆时开始从喷嘴在晶圆之上分配光致抗蚀剂，并在旋转晶圆时停止分配光致抗蚀剂。在开始分配光致抗蚀剂之后并且停止分配光致抗蚀剂之前，改变晶圆旋转速度至少4次。在分配期间，保持喷嘴的臂可水平移动。喷嘴的尖端可位于距晶圆的2.5mm至3.5mm的高度处。
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公开(公告)号：CN112987515A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202011394519.4
申请日：2020-12-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明涉及制造半导体器件的方法和半导体器件制造工具。具体地，所述制造半导体器件的方法包括在基板上方形成包括光致抗蚀剂组合物的光致抗蚀剂层。将所述光致抗蚀剂层选择性地暴露于光化辐射。在将所述光致抗蚀剂层选择性地暴露于光化辐射之后，加热所述光致抗蚀剂层。在加热期间，所述光致抗蚀剂层暴露于大于45％相对湿度的环境中。在所述加热后使所述光致抗蚀剂层显影，以在所述光致抗蚀剂层中形成图案。
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