公开(公告)号：CN113942973A

公开(公告)日：2022-01-18

申请号：CN202110314941.2

申请日：2021-03-24

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 郭宏达 ,  王乙翕 ,  杨子平 ,  王兴宇 ,  赵书汉 ,  许希丞 ,  周银铜 ,  纪元兴 ,  林生元

IPC分类号： B81C1/00 ,  B81B7/02

摘要： 可从共晶接合序列省略预清洁工艺。为了从微机电系统(MEMS)结构的器件晶片的一个或多个表面去除氧化物，相对于在进行预清洁工艺时酸基刻蚀工艺的持续时间，可增加共晶接合序列中的酸基刻蚀工艺的持续时间。酸基刻蚀工艺的持续时间增加使得酸基刻蚀工艺能够在不使用前述预清洁工艺的情况下从器件晶片的一个或多个表面去除氧化物。这降低共晶接合序列的复杂度和循环时间，降低微机电系统结构的悬置机械组件之间粘附的风险，和/或降低微机电系统结构在制造期间可能变得有缺陷或不可操作的可能性，这增加工艺产量。