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公开(公告)号：CN114709149A
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202210232600.5
申请日：2022-03-09
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
摘要： 本发明实施例的一种结合工具包括气体供应管线，所述气体供应管线可直接在和一个或多个气体供应罐相关联的阀门与处理腔室之间延伸，使得气体供应管线在无任何中间阀门或其他类型的结构的情况下不间断，否则所述中间阀门或其他类型的结构可能会导致在处理腔室与和所述一个或多个气体供应罐相关联的阀门之间的气体供应管线中的压力累积。气体供应管线中的压力可维持在处理腔室中的压力或接近处理腔室中的压力，使得经由气体供应管线被提供到处理腔室的气体不会导致处理腔室中的压力不平衡，否则所述压力不平衡可能会导致将在处理腔室中结合的半导体衬底之间的提早接触或过早接触。
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公开(公告)号：CN114717527A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202110948328.6
申请日：2021-08-18
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
摘要： 本发明实施例提供一种沉积工具及半导体处理工具。沉积工具包括电力电缆基座，所述电力电缆基座包括具有第一表面及第二表面的基座本体以及从第一表面到第二表面延伸穿过基座本体的引导孔，其中引导孔的侧壁的至少部分具有倾斜表面，且其中基座本体是由具有高于聚甲醛(POM)熔点的熔点的第一材料形成。所述沉积工具包括布置在引导孔之上的套管，其中所述套管是由具有高于POM熔点的熔点的第二材料形成。
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公开(公告)号：CN115522176A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202210975096.8
申请日：2022-08-15
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： C23C14/50
摘要： 一种夹持环及沉积薄膜在工件上的系统与其方法，该夹持环包含：一本体，其中该本体具有一环状的圆形，且该本体包含一顶面、一底面、具有一内径D1的一内周缘与具有一外径D2的一外周缘；以及多个衬垫，等距地围绕该本体的该内周缘，每一所述衬垫从该本体的该内周缘径向地朝内延伸一距离D5，且每一所述衬垫包含一内缘，其中一第一衬垫的该内缘与一第二衬垫的该内缘间隔一距离D4，该第二衬垫相对于该第一衬垫位于180度处，且该距离D4小于该内径D1。包括增加直径的内周缘的夹持环降低工件粘至夹持环的风险，其中增加直径的内周缘位于不设置朝内延伸的衬片的位置上，且在工艺期间，工件位于靠近夹持环之处或接触夹持环之处。
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公开(公告)号：CN107316796A
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201710061655.3
申请日：2017-01-26
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/3244 , H01J37/32009 , H01J37/32449 , H01L21/0273 , H01L21/3065 , H01L21/3081 , H01L21/82 , H01L22/12
摘要： 本揭露提供一种基于等离子体的制程机台，包含外壳与气体分布板。外壳界定出处理室且包含用以接收处理气体的气体入口。气体分布板设置于处理室中且用以在处理室内分布处理气体。气体分布板包含延伸贯穿气体分布板的多个孔洞，且更包含这些孔洞被分组而成的多个区块。这些区块包含第一区块和第二区块。第一区块的孔洞具有第一剖面。第二区块的孔洞具有不同于第一剖面的第二剖面。
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公开(公告)号：CN115505895A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202210062000.9
申请日：2022-01-19
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： C23C16/04 , C23C16/458 , H01L21/205
摘要： 一种用于在半导体晶片上执行沉积工艺的设备包括腔室、晶片固持件和屏蔽结构。腔室包含反应区域，晶片固持件设置在腔室中以固持半导体晶片，反应区域在半导体晶片之上。屏蔽结构设置在腔室中并将腔室的内侧壁与反应区域隔离。屏蔽结构包括基底构件、第一构件和第二构件。基底构件设置在腔室的内侧壁和晶片固持件之间。第一构件设置在基底构件上且不具窗口。第二构件设置在基底构件上且在第一构件内，第二构件包括具有第一窗口的侧壁以传送半导体晶片。
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公开(公告)号：CN114927446A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202111187621.1
申请日：2021-10-12
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/673
摘要： 一种晶片盒转移组合件包含用于接收晶片盒的晶片盒端口、耦合到晶片盒端口的转移轴、轴杆接收器、耦合到转移轴且耦合到轴杆接收器的轴杆、穿过轴杆接收器且穿过轴杆的插销以及包含第一环和第二环的插销扣，其中插销包括第一端和与第一端相对的第二端。插销扣耦合到插销，第一环环绕插销的第一端，并且第二环环绕插销的第二端。
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公开(公告)号：CN114622186A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202110521761.1
申请日：2021-05-13
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： C23C16/458
摘要： 一种排除环、化学气相沉积机台及将于其上放置排除环的方法，排除环用在处理腔室，例如化学气相沉积腔室中以处理半导体基材。排除环包括第一对准结构，在晶圆的处理期间，第一对准结构与晶圆将放置的平台上的第二对准结构相配合。第一队准结构包含导引面，导引面促进第二对准结构在第一对准结构内的接收和定位。另提供排除环的使用方法。
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公开(公告)号：CN113942973A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202110314941.2
申请日：2021-03-24
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
摘要： 可从共晶接合序列省略预清洁工艺。为了从微机电系统(MEMS)结构的器件晶片的一个或多个表面去除氧化物，相对于在进行预清洁工艺时酸基刻蚀工艺的持续时间，可增加共晶接合序列中的酸基刻蚀工艺的持续时间。酸基刻蚀工艺的持续时间增加使得酸基刻蚀工艺能够在不使用前述预清洁工艺的情况下从器件晶片的一个或多个表面去除氧化物。这降低共晶接合序列的复杂度和循环时间，降低微机电系统结构的悬置机械组件之间粘附的风险，和/或降低微机电系统结构在制造期间可能变得有缺陷或不可操作的可能性，这增加工艺产量。
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公开(公告)号：CN110010518A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201811448403.7
申请日：2018-11-29
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 在一实施例中，一种共晶接合件包含：圆形框架，包括第一侧面以及与第一侧面相对的第二侧面，其中圆形框架包括穿过其形成的孔口；插入件，安置在孔口内；第一晶片，安置在插入件上方；第二晶片，安置在第一晶片上方，其中第一晶片以及第二晶片均配置成用于在加热时共晶接合；两个夹具，沿圆形框架安置在第一侧面上，其中两个夹具配置成在相应的夹具位置处接触第二晶片；以及多个片件，配置成将插入件紧固在孔口内，多个片件包括固定片件以及柔性片件，多个片件包括沿圆形框架的第二侧面分别邻近于夹具位置安置的两个固定片件。
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